用于屏蔽光罩的設備的制作方法

本發明實施例涉及用于屏蔽光罩的設備。

背景技術：

硅芯片或晶片的制造典型涉及無數的加工步驟，諸如光刻。在光刻中，沉積有光致抗蝕劑的晶片表面透過圖案化光罩暴露于輻射源。為了將光罩的圖案投影到晶片上，輻射源，諸如紫外光，沿著輻射路徑行進且入射在圖案化光罩上或從圖案化光罩反射出。接著晶片經歷顯影及蝕刻制程，以去除不想要的部分同時在其上留下光罩所定義的圖案。

隨著產業持續降低裝置大小的趨勢，晶片上的線寬被縮小并且裝置計數相應地增加。一方面，光罩圖案的保真度要求越來越嚴格。另一方面，將光罩圖案圖像無錯誤轉換到晶片上也在決定最終半導體產品質量上扮演重要角色。結果，圍繞圖案化光罩的潔凈環境是必須的。此外，重要的是保持光罩的操作表面遠離否則可能阻礙輻射行進路徑或使光罩表面粗糙的外來粒子或污染物，而使得沒有缺陷會發生，諸如不想要的開路或閉路。因此，需要用于光罩的有效屏蔽機制。

技術實現要素：

本揭露提供一種設備。所述設備包括場產生器，用以產生場屏蔽以保護光罩免于外來粒子的污染。

本揭露提供一種用于屏蔽光罩的設備。所述設備包括光罩及圍繞所述光罩的磁場產生器。所述磁場產生器用以在所述光罩上方產生磁場。

本揭露提供一種用于屏蔽光罩的設備。所述設備包括光罩及圍繞所述光罩的電場產生器。所述電場產生器用以在所述光罩上方產生電場。

附圖說明

本揭露的方面將在與隨附圖式一同閱讀下列詳細說明下被最佳理解。請注意，根據業界標準作法，各種特征未依比例繪制。事實上，為了使討論內容清楚，各種特征的尺寸可刻意放大或縮小。

圖1是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備的示意圖。

圖2a至2d是根據本揭露的一些實施例的圖1中光罩屏蔽設備的場產生器的示意圖。

圖3是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備的示意圖。

圖4a及4b是根據本揭露的一些實施例的圖3中光罩屏蔽設備的場產生器的示意圖。

圖5是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備的示意圖。

圖6是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備的示意圖。

圖7是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備的示意圖。

圖8是根據本揭露的一些實施例的系統的示意圖。

圖9a及9b是根據本揭露的一些實施例的圖8中系統的遮光器的示意圖。

具體實施方式

下列揭露提供許多用于實施所提供目標的不同特征的不同實施例、或實例。為了簡化本揭露，下文描述件及布置的具體實例。當然這些僅為實例而非意圖為限制性。例如，在下面說明中，形成第一特征在第二特征上方或上可包含其中第一及第二特征經形成為直接接觸的實施例，以及也可包含其中額外特征可形成在第一與第二特征之間而使得第一及第二特征不可直接接觸的實施例。此外，本揭露可在各種實例中重復參考編號及/或字母。此重復是為了簡單與清楚的目的且其本身并不決定所討論的各種實施例及/或構形之間的關系。

再者，空間相關詞匯，諸如“在...之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”和相似詞匯，可為了使說明書便于描述如圖式繪示的一個組件或特征與另一個(或多個)組件或特征的相對關系而使用于本文中。除了圖式中所畫的方位外，這些空間相對詞匯也意圖用來涵蓋裝置在使用中或操作時的不同方位。所述設備可以其它方式定向(旋轉90度或在其它方位)，據此在本文中所使用的這些空間相關說明符可以相似方式加以解釋。

光罩用在光刻操作中。光罩用以提供用于半導體電路制造的經界定圖案。排列在光罩上的經界定圖案被轉換到晶片表面上。然而，出現在用于光刻的輻射源的行進路徑中的外來粒子可干擾暴露操作并影響所得電路性能。反過來，任何額外保護機制可復雜化光罩的處理及檢查操作。因此，將暴露環境控制為無污染物并同時維持暴露制程有效率是種挑戰。

本揭露呈現一種設備，其用以使光罩屏蔽于否則會附接到晶片表面或阻礙輻射行進路徑的外來粒子或任何其它污染物。所述設備用以通過使用一種場能量將不想要的粒子移離光罩的表面。因此，光罩可以有效的方式受保護而免于粒子污染。

圖1是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備100的示意圖。光罩屏蔽設備100包括光罩10及場再生器20。

光罩10包括襯底102及圖案化層104。此外，光罩10包括第一側10a及與第一側10a相對的第二側10b。第一側10a作為光罩10的前側。第一側10a接收輻射源l1的于已定入射角的入射束。在一些實施例中，第一側10a反射入射輻射束l1成被反射輻射束l2。第二側10b作為光罩10的背側。在一些實施例中，背側不會接收任何用于光刻的輻射或光源。襯底102設置在背側10b上。圖案化層104設置在襯底102上方且在前側10a上。

在一些實施例中，輻射或光束l1或l2包括預定輻射形式，諸如具有365nm、248nm、193nm、157nm或13.5nm波長的光源。在一些實施例中，光罩10用以使用紫外(ultraviolet，uv)光作為光刻的光源。在一些實施例中，輻射束是x射線、電子、或離子形式。

在一些實施例中，光罩10是穿透式光罩，而使得襯底102可為透明以使輻射或光通過。襯底102可由合適的材料形成，諸如熔硅石。在一些實施例中，光罩10是反射式光罩，而使得襯底102可用以反射暴露光。在一些實施例中，襯底102包括層狀結構。例如，襯底102可由背側材料、多層結構及帽蓋層形成。背側材料設置在光罩10的背側10b上。在一些實施例中，背側材料是氮化鉻(crn)所制。在一些實施例中，多層結構設置在背側材料上方。多層結構可包括mosi。在一些實施例中，帽蓋層設置在多層結構及背側材料上方。在一些實施例中，帽蓋層設置在多層結構及圖案化層104之間。在一些實施例中，帽蓋層是ru及si所制。

圖案化層104放置在襯底102上方。圖案化層104用以攜帶預定電路圖案并將所述預定電路圖案轉換到晶片表面。圖案化層104可包含中空部分，透過所述中空部分輻射源可發射到光罩10上。取決于光罩種類，輻射源可穿通過襯底102或可被襯底102反射。在本實施例中，圖案化層104是反射式。光罩10可在前側10a的表面包括光吸收性材料或抗反射涂層。入射束l1撞擊在圖案化層104上，且束l1的一部分透過中空部分撞擊在襯底102上的表面102a處。僅在表面102a處被接收的束部分被反射并形成被反射束l2。輻射束未被反射的剩余部分被圖案化層104的吸收性材料吸收。在一些實施例中，吸收性材料可包括tabo、tabn、tan、tano、ni、au、ag、c、te、pt、pd或cr。

參考圖1，第一外來粒子p1及第二外來粒子p2出現在光罩10的前側10a上面。粒子p1或p2可出現在朝向光罩10的輻射束l1的行進路徑中。替代地，粒子p1或p2可出現在從光罩10反射的輻射束l2的行進路徑中。在一些實施例中，粒子p1或p2可以是靠近光罩10。粒子p1及p2可落在前側10a或光罩10的另一表面上或附接到前側10a或光罩10的另一表面。在一些實施例中，粒子p1或p2可分別阻礙束l1或l2的傳輸路徑的一部分。因此，可能扭曲或模糊對應于在圖案化層104上的所界定電路圖案的光轉換圖案。當粒子大小與圖案的線寬可相比擬時，所述情況可能更糟。

光罩屏蔽設備100用以產生場屏蔽，所述場屏蔽通過使用一種場能量將靠近光罩10的粒子p1及p2排開。在一些實施例中，場能量可以是磁場或電場。在一些實施例中，外來粒子p1或p2可展現磁特性，諸如鐵磁性、抗磁性或順磁性。光罩屏蔽設備100用以通過使用磁場將磁粒子p1或p2移離光罩10。磁粒子p1及p2遷移的起效用原則被稱為磁動力學。

仍參考圖1，場產生器20圍繞光罩10設置。場產生器20用以產生圍繞光罩10的磁場屏蔽。在一些實施例中，場產生器20可由第一場產生器202及第二場產生器204中的一者組成。在一些實施例中，場產生器20可包括第一場產生器202及第二場產生器204二者。第一場產生器202可從光罩10的側向側環繞光罩10。在一些實施例中，有至少兩個環繞光罩10的第一場產生器202。所述第一場產生器202用以在圖案化層104上方共同地產生第一磁場，如通過代表性磁場線f1所繪示者。所述第一場產生器202所產生的第一磁場f1覆蓋在圖案化層104上方的空間的至少一部分。此外，第一磁場f1具備場方向及對應場強度的分布。隨同磁場線f1標示的箭頭表示于箭頭所在位置處的第一磁場的方向。所述第一場產生器202所產生的第一磁場的場強度一般是由場線f1的密度表示。為了容易例示說明，僅一個磁場線f1被顯示于圖1中。所屬領域的技術人員將認知到，更多磁場線f1可被繪示以表示第一磁場的場強度。

在一些實施例中，第二場產生器204抵靠光罩10的第二側10b設置。在一些實施例中，對于襯底102來說，第二場產生器204相異于圖案化層104設置。在一些實施例中，第二場產生器204可與光罩10接觸。在一些實施例中，間隙或中介組件可出現在第二場產生器204與光罩10之間，而使得第二場產生器204與光罩10不彼此接觸。

所述第二場產生器204用以在圖案化層104上方產生第二磁場，如通過代表性磁場線f2所繪示者。第二場產生器204所產生的第二磁場f2覆蓋在圖案化層104上方的空間的至少一部分。第一磁場f1及第二磁場f2可至少部分重疊。此外，第二磁場f2具備場方向及對應場強度的分布。隨同磁場線f2標示的箭頭表示于所述位置處的對應磁場方向。第二場產生器204所產生的磁場的場強度一般是由場中場線的密度表示。為了容易例示說明，僅一個磁場線f2被顯示于圖1中。所屬領域的技術人員將認知到，大于一個磁場線f2可被繪示以表示場強度。在一些實施例中，第二磁場f2可具有與第一磁場f1所具者不同的分布。

在本實施例中，粒子p1及p2暴露于輻射l1且可攜帶靜電電荷。在替代實施例中，輻射源l1包括具有相對較高能量例如高至92ev的極紫外(extremeultraviolet，euv)光。在如此強的輻射源中，粒子p1或p2可被離子化，此是光電子效應所致。在一些實施例中，中性粒子p1或p2可被轉換成雙極，且相應地展現電極性。同時，當粒子p1或p2進入在圖案化層104上方的磁場空間時，那些粒子可經歷由第一磁場f1或第二磁場f2所組成的復合磁場。結果，沿著向光罩10的前側10a的方向行進的雙極性粒子p1或p2可經歷洛侖茲力并且將遵照洛侖茲力定律沿著另一方向復位向而離開前側10a。

在一些實施例中，第一場產生器202或第二場產生器204用以產生從光罩10的前側10a離開的磁場。此外，當與在前側10a上方的磁場f1或f2相比時，此種離開前側10a分布的磁場可忽略。在本揭露中，用語“可忽略”被稱作就值或數目而言相對較小。在一些實施例中，可忽略強度可解釋為小于參考強度的10％。在一些實施例中，可忽略強度可解釋為小于參考強度的1％。在一些實施例中，可忽略強度可解釋為小于參考強度的1ppm(百萬分率)。在一些實施例中，基于業界標準，可忽略強度可稱作具有實質上零值。

在一些實施例中，光罩屏蔽設備100可包括電力存儲單元50。電力存儲單元50可用以提供能量以供給電力給場產生器20。電力存儲單元50可電耦合到第一場產生器202或第二場產生器204。電力存儲單元可以是電池或電力產生器。替代地，光罩屏蔽設備100可包括電連接40。電連接40用以傳輸電力給場產生器20。電連接40可由合適的導電材料形成。在一些實施例中，電力存儲單元50可透過電連接40耦合到場產生器20。

圖2a至2d分別是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備301至304的示意圖。具體地，圖2a至2d分別繪示第一場產生器310至340的示意俯視圖。此外，標記數個箭頭且各箭頭表示相應磁場的極性方向。如下面圖2a及2b所繪示，例示性磁鐵可具有相應的磁極對，包括北極及南極。磁極對用以產生以場線表示的磁場。磁場線的各者形成閉路，如通過圖1的磁場線f1或f2所繪示者。閉路場線f1或f2包含起自北極，從磁體外部通過且朝向南極并回到南極的場方向。又者，場線指示在磁鐵內從南極往北極指的極性方向。繪示于圖2a至2d中的各箭頭的方向表示在箭頭所在位置處的相鄰區域中磁場的極性方向。

參考圖2a，光罩屏蔽設備301包括光罩10(未分開標示)及第一場產生器310。此外，光罩10包含襯底102及圖案化層104。第一場產生器310環繞光罩10。在一些實施例中，第一場產生器310圍繞襯底102設置，而使得襯底102的表面102a暴露。在替代實施例中，第一場產生器310可圍繞圖案化層104設置并覆蓋表面102a的一部分。在一些實施例中，第一場產生器310可與光罩10接觸或物理分開。

在一些實施例中，第一場產生器310共形地適配光罩10的側向輪廓。在一些實施例中，第一場產生器310包括多邊形形狀，諸如三角形、四邊形、六邊形或其類似者。在一些實施例中，第一場產生器310包括長方形或正方形形狀。在替代實施例中，第一場產生器310包括圓形形狀，諸如圓的或橢圓形形狀。在一些實施例中，第一場產生器310在中心包括中空部分。在一些實施例中，第一場產生器310包括框邊形狀。

第一場產生器310用以產生磁力。在一些實施例中，第一場產生器310包括鐵磁性組件。例如，第一場產生器310包含永久性磁鐵。在一些實施例中，第一場產生器310可包括磁性組件，諸如鐵、鎳、鈷及稀土金屬的合金。在一些實施例中，第一場產生器310包括電磁鐵。例如，第一場產生器310可包含線圈。在一些實施例中，第一場產生器310包括耦合到線圈并用以供給電力的電源或導體。第一場產生器310可用以通過使電流穿通過電磁鐵的線圈來產生磁力。

分布在圖案化層104上方的磁場可基于為第一場產生器310所決定的不同材料、構形及參數控制。參考圖2a，第一場產生器310用以產生預定磁場分布。在一些實施例中，預定磁場分布是透過第一磁性產生器310的不同部件或區域的數個分量磁場(例如分量場c1)的疊加產生。在本實施例中，第一磁性產生器310可被分成多個，可能是八個相鄰區。可能的八個區的各者用以提供分量磁場，例如c1至c8。分量磁場的各者在第一磁性產生器310內部具有相應的極性方向，如通過對應箭頭所標記者。此外，分量磁場c1至c8的各者是以圍繞在圍住相應箭頭圓圈的相鄰區的場覆蓋來描述。

參考圖2a，第一場產生器310包括第一側s1、第二側s2、第三側s3及第四側s4。第一側與第二側彼此相對，而第三側與第四側彼此相對。第一側或第三側實質上垂直于第二側或第四側設置。再者，第一場產生器310用以在第一側、第二側、第三側及第四側上分別產生分量場c2、c4、c6及c8。在第一側上的分量場c2包含指向270度的極性方向d1，其中零度參考物與x軸的正方向一致。極性方向d1實質上等于在第三側上的分量場c6所具者。又者，在第三側上的分量場c4包含指向90度的極性方向d2。極性方向d2實質上等于在第四側上的分量場c8所具者。極性方向d1與極性方向d2實質上相反。在一些排列中，在第一側s1及第三側s3上的極性方向d1與在第二側s2及第四側s4上的極性方向d2相反。此種排列可幫助增加在光罩10的前側10a上方的場強度同時管理在背側10b下面的復合場強度。因此，場分布可更集中并因此在形成對抗在光罩10的前側10a上方的外來粒子的場屏蔽上更有效。

在一些實施例中，第一場產生器310進一步用以在其四個角落分別產生分量場c1、c3、c5及c7。在一些實施例中，分量場c1、c3、c5及c7的各者包括與極性方向d1及d2不同的極性方向d3。在一些實施例中，分量場c1、c3、c5及c7可包含統一極性方向d3。在一些實施例中，分量場c1、c3、c5及c7可包含不同極性方向，諸如分別沿著315度、225度、135度及45度指向。可有大于一個貢獻圖2a中的極性方向的構形。可構成相似于圖2a中所具者的極性方向分布的任何組件(諸如磁鐵)、材料及構形是在本揭露所涵蓋的范圍內。

圖2b顯示根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備302的示意圖。光罩屏蔽設備302包括第一場產生器320，第一場產生器320用以在其四個角落產生分量場c1、c3、c5及c7。參考圖2a及2b，第一場產生器320的極性方向相似于第一場產生器310的極性方向，除了第一場產生器320的分量場c1、c3、c5及c7與第一場產生器310的對應者至少包含一個不同極性方向d4，例如指向零度。在一些實施例中，在分量場c1、c3、c5及c7之中，他們之中至少兩者可包含相同極性方向d4。例如，第一場產生器320的分量場c1、c3、c5及c7分別可指向零度、180度、零度及180度。此種排列可幫助增加在光罩10的前側10a上方的場強度同時管理在背側10b下面的復合場強度。因此，場分布可更集中并因此在形成對抗在光罩10的前側10a上方的外來粒子的場屏蔽上更有效。

圖2c顯示根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備303的示意圖。光罩屏蔽設備303包括由數個離散磁性組件(諸如磁鐵332)形成的第一場產生器330。在一些實施例中，所述磁鐵332具有相等大小及相似形狀。在一些實施例中，所述磁鐵332中的至少一者可包括四邊形形狀，諸如長方形或正方形。在一些實施例中，所述磁鐵332中的至少一者可包括三角形形狀。所述磁鐵332用以形成至少一個磁條(或一維數組)，如第一場產生器330的磁鐵332-1、332-5及332-6。在一些實施例中，所述磁鐵332的各者可彼此接觸或物理分開。

在一些實施例中，所述磁鐵332的各者可經定向以依所欲決定其極性方向。例如，磁鐵332-1可沿極性方向d5(也就是說，指向270度)定向，磁鐵332-2可沿極性方向d6(也就是說，指向90度)定向，磁鐵332-3可沿極性方向d5定向，且磁鐵332-4可沿極性方向d6定向。磁鐵332-1及磁鐵332-3以相同極性方向d5定向。此外，磁鐵332-1及磁鐵332-2以實質上相對極性方向定向。

再者，第一場產生器330包括分別設置在其四個角落的磁鐵332-5、332-6、332-7及332-8。在一些實施例中，磁鐵332-5、332-6、332-7及332-8可沿相等或不同極性方向定向。在一些實施例中，磁鐵332-5、332-6、332-7及332-8中的至少一者可沿垂直于極性方向d5及d6的極性方向定向，諸如指向零度或180度。

圖2d顯示根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備304的示意圖。光罩屏蔽設備304包括第一場產生器340。在一些實施例中，第一場產生器340包括數個離散磁性組件，諸如磁鐵342及344。在一些實施例中，第一場產生器340由第一磁鐵群342及第二磁鐵群344所構成。從俯視視角，磁鐵342包括三角形形狀，而從俯視視角，磁鐵344包括四邊形形狀，諸如梯形。在一些實施例中，三角形磁鐵342圍繞第一場產生器340的角落設置。在一些實施例中，一個磁鐵344設置在所述磁鐵342中的兩者之間。相似地，一個磁鐵342設置在所述磁鐵344中的兩者之間。磁鐵342或344的極性方向可以與第一場產生器310、320或330的那些極性方向相似的方式排列。

圖3是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備400的透視圖。光罩屏蔽設備400包括光罩10(未分開標示)，光罩10包括襯底102及圖案化層104。此外，光罩屏蔽設備400包括第二場產生器410。參考圖1及4，第二場產生器410靠近光罩10的背側10b設置。在一些實施例中，第二場產生器410抵靠光罩10的襯底102設置。在一些實施例中，第二場產生器410由二維數組形成。在一些實施例中，第二場產生器410面對光罩10的背側10b。

在一些實施例中，第二場產生器410用以產生圍繞光罩10的磁力。在一些實施例中，第二場產生器410用以產生實質上分布在光罩10的前側10a上方的磁場，如通過磁場線f3所繪示者。在一些實施例中，第二場產生器410用以使得當與在前側10a上方的磁場f3相比時，靠近光罩10的背側10b所產生的磁場f01是可忽略的。

圖4a是根據本揭露的一些實施例的第二場產生器510的示意圖。在一些實施例中，第二場產生器510包括數個離散磁性組件，諸如磁鐵542、544及546。在一些實施例中，磁鐵542、544或546具有實質上相等大小及相似形狀。在一些實施例中，從剖面視角，磁鐵542、544或546可包括四邊形形狀，諸如長方形或正方形。在一些實施例中，從俯視視角，磁鐵542、544或546可包括四邊形形狀，諸如長方形或正方形。所述磁鐵542用以形成第二場產生器510的至少一個磁條532(一維數組)。相似地，所述磁鐵544及546分別用以形成磁條534及536。至少一部分的所述磁鐵544形成第二場產生器510的二維數組534。在一些實施例中，磁鐵542、544及546形成磁鐵矩陣。在一些實施例中，磁鐵542、544及546的各者可彼此接觸或物理分開。

參考圖4a，第二場產生器510參考具有x軸、y軸及z軸的笛卡爾坐標定向。此外，圖4a中標記在磁鐵上的十字符號表示磁鐵指向沿z軸的負方向的極性方向。相似地，圖4a中標記在磁鐵上的點符號表示此磁鐵指向沿z軸的正方向的極性方向。在一些實施例中，磁條532的各磁鐵可在統一極性方向上定向。例如，磁鐵542可沿通過十字符號表示的極性方向d7定向。在一些實施例中，磁條536的各磁鐵可在統一極性方向上定向。例如，磁鐵546可沿通過點符號表示的極性方向d8定向。在一些實施例中，磁鐵數組534的各磁鐵可在統一極性方向上定向。例如，磁鐵544可經排列以提供極性方向d9，其中方向d9沿第二場產生器510的頂部表面從磁鐵數組532指向磁鐵數組536，也就是說，沿y軸的正方向。

圖4b是根據本揭露的一些實施例的第二場產生器520的示意圖。在一些實施例中，第二場產生器520包括數個離散磁性組件，諸如磁鐵562、564及566。磁鐵562、564或566分別形成磁鐵數組552、554及556。在一些實施例中，磁鐵可包括用于不同磁鐵數組的不同形狀或幾何。例如，從俯視視角、仰視視角及剖面視角，磁鐵562、564及566的各者具有四邊形表面。在一些實施例中，從俯視視角及仰視視角，磁鐵562、564及566的各者具有長方形或正方形表面，而從剖面視角，磁鐵562、564及566的各者含有梯形表面。在一些實施例中，磁鐵562及566的各者具有大于頂部表面的底部表面。在一些實施例中，磁鐵564的各者具有大于底部表面的頂部表面。在一些實施例中，在第二場產生器520中的磁鐵中的至少一者包括楔形狀。其中磁鐵562或566中的至少一者具有大于頂部表面的底部表面的所述排列可在光罩10的前側10a上方產生較大磁場。

圖5是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備700的示意圖。光罩屏蔽設備700包括光罩10及場產生器30。

參考圖1及5，作為場產生器20的替代方案，光罩屏蔽設備700包括場產生器30。在一些實施例中，場產生器30用以產生場屏蔽，諸如電場。在一些實施例中，場產生器30用以產生圍繞光罩10的電場屏蔽。在一些實施例中，場產生器30用以產生電場屏蔽，所述電場屏蔽實質上分布在跨越光罩10的前側10a上方的空間，如通過電場線f4所繪示者。在一些實施例中，場產生器30用以使得當與在前側10a上方的電場f4相比時，靠近光罩10的背側10b所產生的電場f02是可忽略的。

在一些實施例中，外來粒子p1是帶電的。在一些實施例中，場產生器30用以將帶電粒子p1移離光罩10。例如，場產生器30用以產生用以移動帶電粒子p1的庫侖力。庫侖力是基于粒子p1的參數(諸如其質量、速度及電荷質量)，以及場產生器30所提供的電場強度(通過場線f4所表示者)所決定。

在一些實施例中，外來粒子p2是中性的。在一些實施例中，場產生器30用以使中性粒子p2帶電或極化。在一些實施例中，在場產生器30所提供的電場屏蔽的空間內的中性粒子p2可被極化成電雙極。在一些實施例中，場產生器30用以提供抵抗帶電或極化粒子的漂移力并將帶電或極化粒子移離光罩10。在一些實施例中，場產生器30用以提供非均勻電場，以產生諸如飄移力的電力。飄移力的方向及強度是基于所產生電場(通過場線f4表示)的梯度向量及關于帶電粒子的可極化性因子所決定。

在一些實施例中，場產生器30由電容器形成。電容器30可包括第一電極702及第二電極704。對于光罩10來說，第一電極702以及第二電極704設置在相異側。在一些實施例中，第一電極702具有第一表面，所述第一表面面對第二電極704的第二表面，此等表面二者被稱作場產生器30的電容面積。在一個實施例中，第一表面及第二電極704具有實質上相等的電容面積。相應地，所得電場f4包含均勻分布。

在替代實施例中，第一表面具有與第二表面所具者不同的形狀。在一個實施例中，第一表面或第二表面可包括平坦表面、彎曲表面或頂點。在一些實施例中，第一表面或第二表面可包括波形。因此，第一表面可具有與第二表面不同的電容形狀，即便第一表面及第二表面二者具有實質上相等電容面積。在其中第一表面具有與第二表面不同的電容面積或電容形狀的例子中，所得電場f4可包含非均勻分布。

在一些實施例中，場產生器30可包括構件706。在一些實施例中，構件706面對光罩10的襯底102。在一些實施例中，構件706用以耦合第一電極702以及第二電極704。構件706可以是電性絕緣或導電材料所制。

在一些實施例中，光罩屏蔽設備700可包含耦合到場產生器30的電力存儲單元50或電連接40。電力存儲單元50或電連接40用以供給電力給場產生器30，進而可建立電場。

圖6是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備800的示意俯視圖。在本實施例中，第一電極702具有大于第二電極704所具者的電容面積。因此，電場線f4以非均勻方式分布。

圖7是根據本揭露的一些實施例的光罩屏蔽設備900的示意圖。光罩屏蔽設備900包括磁場產生器20及電場產生器30，其分別用以產生磁場及電場。在一些實施例中，磁場產生器20可包括第一場產生器202及第二場產生器204中的一者。在一些實施例中，磁場產生器20可包括第一場產生器202及第二場產生器204二者。在一些實施例中，光罩屏蔽設備900包括屏蔽組件60，屏蔽組件60用以使涉及電磁能量操作的其它鄰近組件或儀器屏蔽于磁場。在一些實施例中，屏蔽組件60設置在場產生器20及場產生器30之間。在一些實施例中，屏蔽組件60整合到場產生器30中。在一些實施例中，屏蔽組件60環繞場產生器30。屏蔽組件60可由諸如金屬的高滲透性材料形成。

圖8是根據本揭露的一些實施例的系統1000的示意圖。系統1000用以產生用于制造半導體裝置或組件的特征的光刻圖案。在一實施例中，系統1000包括光刻系統，諸如euv掃描系統。參考圖8，系統1000包括光罩10、遮光器810、光學裝置820、光學調制器830以及場產生器840及842。

在一些實施例中，光刻圖案是以圖案化輻射束形式轉移。為了完成圖案轉移，系統1000用以接收來自輻射源(未分開顯示)的輻射束l1或l2并透過光罩10形成光刻圖案。在一些實施例中，系統1000包括輻射源或輻射源是在系統1000外部。光罩10包括相似于提及圖1、5及7的說明所繪示的那些組件，且光罩10的詳情不在此重復。

系統1000進一步用以在圖案形成之前或之后透過諸如光學調制器830的光學組件來傳遞輻射束。例如，光學調制器830用以接收來自輻射源的撞擊入射輻射束l1或l2。在一些實施例中，孔包括透鏡。在一實施例中，光學調制器830包括用以反射或準直入射輻射的反射器或準直器。此外，系統1000用以在光刻圖案產生之前或之后透過至少一個光學組件(諸如光學裝置820或遮光器810)的孔形成光路徑。結果，由光罩10界定的光刻圖案透過被反射束r1或r2被轉移到后續光學組件或目標晶片(未分開顯示)。

光學裝置820包括至少一個孔，所述孔用以使輻射束通過而到目標晶片。例如，光學裝置820用以重新導向或處理穿通過孔822的入射輻射束l1、l2。在一些實施例中，光學裝置820可包括照明裝置。又者，系統1000包括圍繞孔822的場產生器840。場產生器840用以使圍繞孔822的光路徑屏蔽于被外來粒子阻礙或阻擋。有效地，輻射束的傳輸路徑可凈空而免于粒子污染或阻礙。在一些實施例中，場產生器840可相似于參考圖1、5及7的場產生器20或30實施且其詳情不在此重復。

在另一實施例中，光學裝置820用以處理(在束圖案形成之后)從光罩10通過的被反射光r1或r2并將其導向通過另一孔824。在一些實施例中，光學裝置820可包括成像裝置。又者，系統1000包括圍繞孔824的場產生器842。場產生器842用以使圍繞孔824的光路徑屏蔽于被外來粒子阻礙或阻擋。在一些實施例中，場產生器842可相似于參考圖1、5及7的場產生器20或30實施且其詳情不在此重復。

在一些實施例中，系統1000可包括由遮光器810形成的可受控孔。例如，遮光器810用以允許入射光l1或l2穿通過并發射給光罩10。遮光器810包括孔826(未明確顯示但在圖8中以虛線標記)且用以決定遮光器速度以便控制通過而到光罩10上的輻射l1或l2的量。

遮光器810包括至少一個遮光器葉片。在一些實施例中，遮光器葉片可由不透明材料構成且用以控制穿通過孔826的光的量。在一些實施例中，遮光器810可以是光圈遮光器，其包括多個重疊的葉片。在一些實施例中，多個葉片包括刀葉形狀。其它種類的遮光器810，例如焦平面遮光器或電子遮光器也在本揭露所涵蓋的范圍內。在一些實施例中，系統1000包括具有遮光器810的光罩屏蔽(reticlemasking，rema)刀葉系統。

圖9a是根據本揭露的一些實施例的圖8的系統1000的遮光器850的示意圖。遮光器850包括第一遮光器葉片901、第二遮光器葉片902、第三遮光器葉片903及第四遮光器葉片904。遮光器葉片901、902、903及904共同地受控以形成孔905。替代地，當遮光器850打開時，孔905被遮光器葉片901、902、903及904環繞。在一些實施例中，遮光器850包括控制器，所述控制器用以管理葉片901、902、903及904及相應的孔905的大小。在本實施例中，葉片901至904包括具有圓角的類三角形形狀。盡管如此，前述葉片901至904可包括其它合適的形狀，諸如多邊形形狀。再者，葉片901至904可包括直的或彎曲的邊緣，以及直角或圓角。遮光器850的葉片901至904的數目及在圖8中所顯示的形狀是例示說明用。其它的數目及形狀的遮光器850的遮光器葉片是在本揭露所涵蓋的范圍內。

遮光器850進一步包括場產生器906，場產生器906用以使圍繞孔905的光路徑屏蔽于不想要的粒子。在一些實施例中，場產生器906用以產生圍繞孔905的磁場及/或電場。在一些實施例中，場產生器包括匹配葉片901至904靠近孔905的邊緣的形狀。在一些實施例中，取決于孔905的開口形狀，場產生器906包括框邊形狀或四邊形形狀。

在一些實施例中，葉片901、902、903及904可被移動或樞轉以便決定孔905的大小。在所述例子中，場產生器906可包括大于一個對應于遮光器850的葉片的場產生組件(未明確顯示)。場產生組件用以隨著對應遮光器葉片的運動移動。在一些實施例中，場產生組件可彼此分開。在一些實施例中，場產生組件包括條形狀或四邊形形狀。

圖9b是根據本揭露的一些實施例的系統1000的遮光器860的示意圖。遮光器860包括第一遮光器葉片921、第二遮光器葉片922、第三遮光器葉片923及第四遮光器葉片924。遮光器葉片921、922、923及924共同地用以形成孔925。替代地，孔925被遮光器葉片921、922、923及924環繞。將圖9b與圖9a相比較，葉片921至924包括具有圓角的四邊形形狀。其它的數目及形狀的遮光器葉片是在本揭露所涵蓋的范圍內。

遮光器860進一步包括場產生器926，場產生器926用以使圍繞孔925的輻射束的光路徑屏蔽于不想要的粒子。在一些實施例中，場產生器926用以產生圍繞孔925的磁場及/或電場。在一些實施例中，場產生器包括匹配于遮光器葉片921至924靠近孔925的邊緣的形狀。在一些實施例中，場產生器906包括框邊形狀或四邊形形狀。

在一些實施例中，葉片921、922、923及924可被移動或樞轉以便決定孔925的大小。在所述例子中，場產生器926可包括大于一個對應于遮光器860的可動葉片的場產生組件(未明確顯示)。場產生組件用以隨著對應遮光器葉片的運動移動。在一些實施例中，場產生組件可彼此分開。在一些實施例中，間隔式場產生組件包括條形狀或四邊形形狀。

本揭露提供一種設備。所述設備包括場產生器，用以產生保護光罩免于外來粒子污染的場屏蔽。

本揭露提供一種用于光罩屏蔽的設備。所述設備包括光罩及圍繞所述光罩的磁場產生器。所述磁場產生器用以在所述光罩上方產生磁場。

本揭露提供一種用于光罩屏蔽的設備。所述設備包括光罩及圍繞所述光罩的電場產生器。所述電場產生器用以在所述光罩上方產生電場。

前面列述了數個實施例的特征以便所屬領域的技術人員可更佳地理解本揭露的方面。所屬領域的技術人員應了解，它們可輕易地使用本揭露作為用以設計或修改其它制程及結構的基礎以實現本文中所介紹實施例的相同目的及/或達成本文中所介紹實施例的相同優點。所屬領域的技術人員也應認識到這些均等構造不會背離本揭露的精神及范圍，以及它們可在不背離本揭露的精神及范圍下做出各種改變、取代、或替代。

符號說明

10光罩

10a第一側

10b第二側/背側

20場再生器/場產生器/磁場產生器

30場產生器/電容器/電場產生器

40電連接

50電力存儲單元

60屏蔽組件

100光罩屏蔽設備

102襯底

102a表面

104圖案化層

202第一場產生器

204第二場產生器

301光罩屏蔽設備

302光罩屏蔽設備

303光罩屏蔽設備

304光罩屏蔽設備

310第一場產生器

320第一場產生器

330第一場產生器

332磁鐵

332-1磁鐵

332-2磁鐵

332-3磁鐵

332-4磁鐵

332-5磁鐵

332-6磁鐵

332-7磁鐵

332-8磁鐵

340第一場產生器

342磁鐵/第一磁鐵群

344磁鐵/第二磁鐵群

400光罩屏蔽設備

410第二場產生器

510第二場產生器

520第二場產生器

532磁條/磁鐵數組

534磁條/二維數組/磁鐵數組

536磁條/磁鐵數組

542磁鐵

544磁鐵

546磁鐵

552磁鐵數組

554磁鐵數組

556磁鐵數組

562磁鐵

564磁鐵

566磁鐵

700光罩屏蔽設備

702第一電極

704第二電極

706構件

800光罩屏蔽設備

810遮光器

820光學裝置

822孔

824孔

826孔

830光學調制器

840場產生器

842場產生器

850遮光器

860遮光器

900光罩屏蔽設備

901葉片

902葉片

903葉片

904葉片

905孔

906場產生器

921葉片

922葉片

923葉片

924葉片

925孔

926場產生器

1000系統

l1輻射源

l2輻射源/反射輻射束

r1反射光

r2反射光

p1外來粒子

p2外來粒子

f1磁場線

f2磁場線

f3磁場線

f4電場線

f01磁場

f02電場

c1分量磁場

c2分量磁場

c3分量磁場

c4分量磁場

c5分量磁場

c6分量磁場

c7分量磁場

c8分量磁場

s1第一側

s2第二側

s3第三側

s4第四側