短路棒結構及陣列基板的制作方法

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種短路棒結構及具有所述短路棒結構的陣列基板。

背景技術：

液晶顯示面板是液晶顯示裝置中最重要的元件，其通常包括陣列基板、彩膜基板以及夾設在兩基板之間的液晶層。其中，陣列基板上設置有多條掃描線、多條數據線、多條像素電極以及多個陣列分布的薄膜晶體管等各類電子元件。為了保證薄膜晶體管基板上各類電子元件的電連接關系正確，業界通常在制程陣列基板時，會一并在陣列基板的邊緣處設置短路棒，以利用短路棒在模組化之前對陣列基板進行檢測，待檢測完畢后切除陣列基板上的短路棒部分，再將液晶顯示面板送至模組化制程。

如圖1所示，現有技術的短路棒的膜層結構包括數據線層101、第一絕緣層102、金屬走線層103、第二絕緣層104、第三絕緣層105及電極層106，在數據線層101與金屬走線層103之間設置導通孔107，從而使數據線層101與金屬走線層103連通，其中數據線層101用于連接陣列基板上的數據線，金屬走線層103通過同層的金屬走線連接測試信號源，將數據線通過設置于上層的金屬走線連接測試信號源，用于避開一些與數據線同層的金屬走線。

然而，現有技術的短路棒結構，測試信號源向短路棒輸入測試信號時，短路棒上聚集大量靜電，會有膜層連接處被炸傷的風險，從而影響短路棒的測試運行。

技術實現要素：

本發明提供一種短路棒結構，能夠增大數據線層與金屬走線層連接的阻抗，進一步解決了電路棒輸入測試信號時，靜電聚集，電流瞬間增大而炸傷膜層連接處，從而影響測試效果的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種短路棒結構，包括：

自下而上依次層疊設置的數據線層、第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層、第三絕緣層及金屬連接層；以及

第一導通孔，穿過所述第二絕緣層與第三絕緣層，所述第一導通孔內填充導電材料，使得所述金屬連接層與所述金屬走線層導通；

第二導通孔，依次穿過所述第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層及第三絕緣層，所述第二導通孔內填充導電材料，使得所述金屬連接層與所述數據線層導通；其中，

所述第二導通孔之處于所述金屬走線層的部分的外側設置有絕緣材料，以避免所述數據線層與所述金屬走線層直接導通，使得所述數據線層與所述金屬走線層通過所述金屬連接層導通。

根據本發明一優選實施例，所述數據線層與所述金屬走線層的層疊位置可互換。

根據本發明一優選實施例，所述短路棒連接于陣列基板，所述陣列基板包括顯示區及外圍區，所述陣列基板的顯示區排布有若干數據線，所述數據線連接所述短路棒的數據線層，所述短路棒位于所述外圍區，所述短路棒的金屬走線層通過同層金屬走線與測試信號源導通。

根據本發明一優選實施例，所述金屬連接層為氧化銦錫透明導電材料。

根據本發明一優選實施例，所述第一導通孔與第二導通孔內均沉積有所述氧化銦錫透明導電材料。

依據本發明的上述目的，提出一種陣列基板，包含有顯示區及外圍區，所述顯示區排布有若干數據線，所述外圍區設置有測試信號源及短路棒，所述短路棒通過金屬走線連接所述測試信號源；

所述短路棒包括：

自下而上依次層疊設置的數據線層、第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層、第三絕緣層及金屬連接層；以及

第一導通孔，穿過所述第二絕緣層與第三絕緣層，所述第一導通孔內填充導電材料，使得所述金屬連接層與所述金屬走線層導通；

第二導通孔，依次穿過所述第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層及第三絕緣層，所述第二導通孔內填充導電材料，使得所述金屬連接層與所述數據線層導通；其中，

所述第二導通孔之處于所述金屬走線層的部分的外側設置有絕緣材料，以避免所述數據線層與所述金屬走線層直接導通，使得所述數據線層與所述金屬走線層通過所述金屬連接層導通。

根據本發明一優選實施例，所述數據線層與所述金屬走線層的層疊位置可互換。

根據本發明一優選實施例，所述數據線連接所述短路棒的數據線層，所述短路棒的金屬走線層通過同層的所述金屬走線與所述測試信號源導通。

根據本發明一優選實施例，所述金屬連接層為氧化銦錫透明導電材料。

根據本發明一優選實施例，所述第一導通孔與第二導通孔內均沉積有所述氧化銦錫透明導電材料。

本發明的有益效果為：相較于現有的短路棒結構，本發明的短路棒結構，數據線層與金屬走線層間接導通，連接線路延長，從而增大了導通膜層間的阻抗，避免兩膜層的連接處被瞬間增大的電流炸傷；解決了現有的短路棒結構，導通膜層間阻抗較小，輸入測試信號時，瞬間增大的電流容易炸傷膜層連接處，從而影響測試效果的技術問題。

附圖說明

為了更清楚地說明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為一種現有的短路棒結構示意圖；

圖2為本發明的短路棒結構示意圖；

圖3為本發明的短路棒與數據線的連接關系示意圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[內]、[外]、[側面]等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。在圖中，結構相似的單元是用以相同標號表示。

本發明針對現有的短路棒結構，兩導通膜層間阻抗較小，輸入測試信號時，瞬間增大的電流容易炸傷膜層連接處，從而影響測試效果的技術問題，本實施例能夠解決該缺陷。

如圖2所示，本發明的短路棒結構，包括有自下而上依次層疊設置的數據線層201、第一絕緣層202、金屬走線層203、第二絕緣層204、第三絕緣層205及金屬連接層206；所述短路棒中形成有第一導通孔207與第二導通孔208；其中，所述第一導通孔207形成于所述金屬連接層206與所述金屬走線層203之間，在所述第一導通孔207內填充導電材料，用于實現所述金屬連接層206與所述金屬走線層203的導通；所述第二導通孔208形成于所述金屬連接層206與所述數據線層201之間，在所述第二導通孔208內填充導電材料。

所述第二導通孔208之處于所述金屬走線層203的部分的外側設置有絕緣材料209，以避免所述數據線層201與所述金屬走線層203直接導通，用于實現所述金屬連接層206與所述數據線層201的導通。

優選的，所述金屬連接層206氧化銦錫透明導電材料；

優選的，所述第一導通孔207與所述第二導通孔208內填充有與所述金屬連接層206相同材質的導電材料。

優選的，將所述金屬連接層206與所述數據線層201的位置關系互換，也同樣能增大金屬連接層206與所述數據線層201連接處的抗阻，從而避免膜層被靜電炸傷。

所述第一導通孔207與所述第二導通孔208的設置目的，是實現所述數據線層201與所述金屬走線層203通過所述金屬連接層206間接導通，以增大所述數據線層201與所述金屬走線層203連接處的阻抗。

此外，這種設計比較具有靈活性，對于后期需求不同開孔方式帶來方便，而不同的開孔方式會形成膜層不同的連接方式，使連接具有多樣性，而對于光罩的改變也較為簡單；靠近所述短路棒上表面的第三絕緣層205的光罩設計靈活，若所述第三絕緣層205上層無金屬連接層206，那么所述第三絕緣層205不開孔，將所述第一絕緣層202開孔，直接將數據線層201與所述金屬走線層203連接，這就與傳統設計相同，這主要是所述第三絕緣層205上的光罩設計靈活，需要開本發明的第一導通孔207與第二導通孔208就用所述第三絕緣層205上的光罩，不需要兩個導通孔就不用第三絕緣層205上的光罩。

如圖3所示，所述短路棒與陣列基板連接，所述陣列基板包含有顯示區及外圍區，其中，所述顯示區內排布有若干掃描線與數據線，所述外圍區設置有所述短路棒及若干用于驅動顯示的金屬走線，本發明的短路棒結構用于與所述數據線連接，所述掃描線與公共電極可通過傳統短路棒連接以檢測。

所述短路棒與數據線之間通過配線301及信號線302連接，其中所述配線301一端連接所述數據線，所述配線301的另一端通過焊墊303與所述信號線302連接，所述信號線302的另一端連接所述短路棒的數據線層，從而間接地與所述所述金屬走線層導通而與測試信號源導通。

進一步的，所述短路棒有三個，包括第一短路棒304、第二短路棒305及第三短路棒306；將所述配線301中的紅色(R)信號數據線307、綠色(G)信號數據線308和藍色(B)信號數據線309分別通過所述信號線302與所述短路棒連接，例如，所述紅色(R)信號數據線307連接所述第一短路棒304，所述綠色(G)信號數據線308連接所述第二短路棒305，所述藍色(B)信號數據線309連接所述第三短路棒306。

測試時，將液晶顯示面板的公共電極施以電壓，所述柵極線連接的電路棒輸入測試信號打開所述陣列基板上的所有薄膜晶體管，分別向上述三條短路棒施加測試信號以實現液晶顯示面板顯示出不同顏色的純色畫面，通過肉眼觀測或儀器識別畫面來判斷線路是否有異常；當畫面檢測后，需要用激光將所述信號線302與所述配線301相連接的部分切斷，之后該液晶顯示面板進入成組階段。

依據本發明的上述目的，提出一種陣列基板，包含有顯示區及外圍區，所述顯示區排布有若干數據線，所述外圍區設置有測試信號源及短路棒，所述短路棒通過金屬走線連接所述測試信號源；所述短路棒包括：自下而上依次層疊設置的數據線層、第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層、第三絕緣層及金屬連接層；以及第一導通孔，穿過所述第二絕緣層與第三絕緣層，所述第一導通孔內填充導電材料，使得所述金屬連接層與所述金屬走線層導通；第二導通孔，依次穿過所述第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層及第三絕緣層，所述第二導通孔內填充導電材料，使得所述金屬連接層與所述數據線層導通；其中，所述第二導通孔之處于所述金屬走線層的部分的外側設置有絕緣材料，以避免所述數據線層與所述金屬走線層直接導通，使得所述數據線層與所述金屬走線層通過所述金屬連接層導通。

優選的，所述數據線層與所述金屬走線層的層疊位置可互換。

優選的，所述數據線連接所述短路棒的數據線層，所述短路棒的金屬走線層通過同層的所述金屬走線與所述測試信號源導通。

優選的，所述金屬連接層為氧化銦錫透明導電材料。

優選的，所述第一導通孔與第二導通孔內均沉積有所述氧化銦錫透明導電材料。

本發明所提供的陣列基板的具體結構與上述短路棒的優選實施例相同或相似，具體請參見上述短路棒的優選實施例中的相關描述。

本發明的有益效果為：相較于現有的短路棒結構，本發明的短路棒結構增大了導通膜層間的阻抗，避免兩膜層的連接處被瞬間增大的電流炸傷；解決了現有的短路棒結構，導通膜層間阻抗較小，輸入測試信號時，瞬間增大的電流容易炸傷膜層連接處，從而影響測試效果的技術問題。

綜上所述，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。