電子照相感光體、處理盒、圖像形成裝置以及導電基底的制作方法

本發明涉及一種電子照相感光體、處理盒、圖像形成裝置以及可包括在電子照相感光體中的導電基底。
背景技術：
：在日本專利文獻特開平4-278957號公報公開了一種電子照相感光體，其包括由鋁或鋁合金構成的導電性基底；設置在導電基底上的感光層，該感光層由電荷產生層和包含有機材料的電荷傳輸層構成；以及設置于導電基底和感光層之間的勃姆石層。日本專利文獻特開2013-109035號公報公開了一種電子照相感光體，其包括氧化的鋁或鋁合金構成的導電基底；設置在導電基底上的感光層；以及設置在該導電基底表面上的電阻層，該電阻層具有特定的體積電阻率。在電子照相感光體的制造過程中，清潔導電基底的外表面，并通過涂布在所述導電基底上形成感光層。為清潔所述導電基底的所述外表面，通常使用水、溫水、再生水等作為清潔液。因此，所述導電基底的所述外表面上可能會存在大量的羥基。如果使用所述電子照相感光體形成圖像，特別是在水分子可能被吸附到所述導電基底上的高溫高濕環境中，電荷可能會通過所述水分子在所述感光體中局部泄漏，并且有可能腐蝕所述感光體。這一局部缺陷可能會導致形成點狀圖像缺陷(即色斑)。以上圖像缺陷特別有可能在不具有底涂層的電子照相感光體中發生。技術實現要素：因此，本發明的目的在于提供一種電子照相感光體，與包括如下導電基底的電子照相感光體相比，可降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導致的點狀圖像缺陷的發生率，其中，該導電基底具有通過n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或溫度為50℃的離子交換水處理過的外周表面。根據本發明的一個方面，提供一種電子照相感光體，其包括：導電基底，其具有使用硅氮烷處理的外周表面；以及感光層，其配置于所述導電基底的所述外周表面上。所述感光層包括電荷產生材料和電荷傳輸材料。根據本發明的第二方面，所述導電性基底的表面包括由通式(a)表示的結構，其中，rs1至rs3各自獨立地表示氫原子或單價有機基團；并且*表示在所述結構連接到所述導電基底的外周表面上的位置。根據本發明的第三方面，通式(a)中的rs1至rs3是選自未取代或取代的烷基、未取代或取代的環烷基、未取代或取代的芳基以及未取代或取代的甲硅烷基中的至少一種。根據本發明的第四方面，由通式(a)表示的所述結構是選自結構a-1至a-6組成的組中的至少一種，根據本發明的第五方面，所述導電性基底包括鋁或鋁合金。根據本發明的第六方面，所述感光層是包括粘合劑樹脂、所述電荷產生材料以及所述電荷傳輸材料的單層型感光層，所述電荷傳輸材料包括空穴傳輸材料以及電子傳輸材料。根據本發明的第七方面，選自由通式(1)表示的電子傳輸材料以及由通式(2)表示的電子傳輸材料中的至少一種，其中，r11、r12、r13、r14、r15、r16和r17各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；并且r18表示烷基、-l19-o-r20基、芳基或芳烷基，l19是亞烷基且r20是烷基，其中，r21、r22、r23和r24各自獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或苯基。根據本發明的第八方面，所述空穴傳輸材料包括由通式(3)表示的空穴傳輸材料，其中，r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨立地表示氫原子、低級烷基、烷氧基、苯氧基、鹵素原子或者由選自低級烷基、低級烷氧基和鹵素原子的基團取代或未取代的苯基；并且p和q各自獨立地表示0或1。根據本發明的第九方面，所述電荷產生材料包括選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種。根據本發明的第十方面，提供一種處理盒，可拆卸地安裝到圖像形成裝置，所述處理盒包括上述的電子照相感光體。根據本發明的第十一方面，提供一種圖像形成裝置，其包括：上述的電子照相感光體；充電單元，其對所述電子照相感光體的表面進行充電；靜電潛像形成單元，其在所述電子照相感光體的所述已充電表面形成靜電潛像；顯影單元，其使用含有調色劑的顯影劑對所述電子照相感光體的所述表面形成的所述靜電潛像進行顯影以形成調色劑圖像；以及轉印單元，其將所述調色劑圖像轉印到記錄介質的表面。根據本發明的第十二方面，提供一種導電基底，可包括在電子照相感光體，所述導電基板包括硅氮烷處理過的外周表面。根據本發明的第一至第九方面的電子照相感光體，與包括如下導電基底的電子照相感光體相比，可降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導致的點狀圖像缺陷的發生率，其中，該導電基底具有通過n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或溫度為50℃的離子交換水處理過的外周表面。根據本發明第十方面的處理盒和根據本發明第十一方面的圖像形成裝置，與包括如下電子照相感光體的處理盒和圖像形成裝置相比，可降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導致的點狀圖像缺陷的發生率，其中，該電子照相感光體包括具有通過n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或溫度為50℃的離子交換水處理過的外周表面的導電基底。包括根據本發明的第十二方面的導電性基底的電子照相感光體，與包括具有通過n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或溫度為50℃的離子交換水處理過的外周表面的導電基底的電子照相感光體相比，可降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導致的點狀圖像缺陷的發生率。附圖說明將基于下列附圖詳細說明本發明的示例性實施例，其中：圖1是根據示例性實施例的電子照相感光體的一個示例的示意性部分橫截面圖，其中示出構成電子照相感光體的多個層；圖2是根據示例性實施例的電子照相感光體的另一個示例的示意性部分橫截面圖，其中示出構成電子照相感光體的多個層；圖3是根據示例性實施例的圖像形成裝置的一個示例的示意圖；以及圖4是根據示例性實施例的圖像形成裝置的另一個示例的示意圖。具體實施方式下面參照附圖與示例性實施例對本發明作進一步詳細說明。在附圖中，具有相同功能的元件用相同的參考號表示，并且省略重復的描述。電子照相感光體根據示例性實施例的電子照相感光體(以下簡稱為“感光體”)包括：導電基底，其具有使用硅氮烷處理的外周表面；以及感光層，其配置于導電基底的外周表面上。感光層包括電荷產生材料和電荷傳輸材料。感光層可以是由電荷產生層和電荷傳輸層構成的具有分離功能的感光層(以下，這種感光層稱為“功能分離型感光層”)或者僅具有一層的感光層(以下，這種感光層稱為“單層型感光層”)。當感光層是功能分離型感光層時，電荷產生層包括電荷產生材料，且電荷傳輸層包括電荷傳輸材料。具有上述結構的電子照相感光體被認為可以降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導致的點狀圖像缺陷的發生率，其機理如下。羥基有可能會留在包括在電子照相感光體中的導電基底的表面。例如，甚至具有勃姆石處理過的表面的鋁基底也包含少量的來源于表面上的氫氧化鋁的羥基。當使用包括上面存在羥基的導電基底的電子照相感光體時，水分子可能會吸附到導電基底的羥基上，特別是在高溫高濕環境(例如，溫度：30℃，濕度：85％)中。如果使用包括含有吸附到外周表面上的水分子的導電基底的電子照相感光體形成圖像，電荷可能會通過水分子在感光體中局部泄漏。另外，電荷的泄漏可能會導致點狀圖像缺陷(即色斑)的形成。為解決這一問題，根據本示例性實施例的電子照相感光體包括具有使用硅氮烷處理的外周表面的導電基底。以下，具有使用硅氮烷處理的外周表面的導電基底稱為“硅氮烷處理導電基底”，且具有尚未使用硅氮烷處理的外周表面的導電基底稱為“硅氮烷處理前導電基底”。在硅氮烷處理導電基底中，所有羥基或包括在硅氮烷處理前導電基底的外周表面上存在的羥基中的氫原子被包括在連接到構成si-n鍵的氮原子上的硅氮烷中的甲硅烷基所取代。例如，硅氮烷包括由通式(s)表示的結構，并且與羥基具有高反應性。當上面存在羥基的導電基底的表面使用具有由通式(s)表示的結構的硅氮烷進行處理時，si-n鍵發生解離，并且羥基(-oh)或羥基的氫(-h)原子被由通式(a)表示的甲硅烷基所取代。以下，由通式(a)表示的甲硅烷基可以由“-a”表示。例如，在由鋁構成的導電基底使用硅氮烷進行處理的情況下，羥基連接到鋁表面上，也就是說，“al-oh”被甲硅烷基“-a”所取代以形成“al-o-a”或“al-a”。在通式(s)中，rs1至rs3各自獨立地表示氫原子或單價有機基團。在通式(a)中，rs1至rs3分別表示與通式(s)中由rs1至rs3表示的基團相同的基團(即氫原子或單價有機基團)；并且*表示甲硅烷基連接到導電基底的外周表面上的位置。一種可以用甲硅烷基取代硅氮烷處理前導電基底的外周表面上存在的羥基的方式是使用硅烷偶聯劑對外周表面進行甲硅烷基化。硅烷偶聯劑的常見示例是由x-si-(orc)3表示的化合物，其中x和rc各自獨立地表示單價有機基團。在使用硅烷偶聯劑的外周表面的甲硅烷基化中，通過水解將硅烷偶聯劑轉換成x-si-(oh)3，并且包括在轉換的硅烷偶聯劑中的硅烷醇基的脫水縮合通過加熱進行，該轉換的硅烷偶聯劑含有導電基底的表面上存在的羥基。然而，由于以上脫水縮合反應以低于硅氮烷與羥基反應的反應性進行，甚至在進行了使用硅烷偶聯劑的硅氮烷處理前導電基底的外周表面的甲硅烷基化之后，某些尚未被甲硅烷基所取代的羥基也有可能會留在導電基底的外周表面上。另外，由于通過水解降解的硅烷偶聯劑具有復數個羥基(即硅烷醇基)，某些包括在連接到導電基底的外周表面上的甲硅烷基中的羥基(即硅烷醇基)有可能會殘留而不發生脫水縮合。相反，與硅烷偶聯劑相比，硅氮烷與羥基具有更高的反應性，并且不太可能在通過水解降解時產生羥基。因此，使用硅氮烷處理導電基底的外周表面，除使導電基底的外周表面上存在的羥基被甲硅烷基“-a”所取代以外，還能夠減少導電基底的外周表面上存在的羥基的數量，該硅氮烷不太可能在通過水解降解時產生羥基(即硅烷醇基)。使用上述硅氮烷處理導電基底，即外周表面上存在的羥基的數量更少的導電基底，降低了水分子吸附到導電基底的外周表面上的可能性。從而，可以降低電荷通過水分子在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導致的點狀圖像缺陷的發生率。根據示例性實施例的電子照相感光體被認為可以降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導致的點狀圖像缺陷的發生率，其機理如上所述。下面參照附圖對根據本示例性實施例的電子照相感光體作進一步詳細說明。圖1是電子照相感光體7a的示意性部分橫截面圖，其中示出構成電子照相感光體的多個層，該電子照相感光體7a是根據本示例性實施例的電子照相感光體的一個示例。例如，圖1所示的電子照相感光體7a包括導電基底1以及配置于導電基底1上的單層型感光層2。電子照相感光體7a可以可選地包括外層。外層的示例包括設置在導電基底1和單層型感光層2之間的底涂層以及設置在單層型感光層2上的保護層。包括在圖1所示的電子照相感光體7a中的導電基底1是硅氮烷處理導電基底。例如，圖1所示的電子照相感光體7a可以通過包括以下步驟的方法制造：制備硅氮烷處理前導電基底；使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導電基底的外周表面以制備硅氮烷處理導電基底(即導電基底1)；以及在硅氮烷處理導電基底(即導電基底1)的外周表面上形成包括電荷產生材料和電荷傳輸材料的單層型感光層2。圖2是電子照相感光體7b的示意性部分橫截面圖，其中示出構成電子照相感光體的多個層，該電子照相感光體7b是根據本示例性實施例的電子照相感光體的另一個示例。圖2所示的電子照相感光體7b包括依次層疊在彼此頂部的導電基底1、底涂層3、電荷產生層4以及電荷傳輸層5。電荷產生層4和電荷傳輸層5構成功能分離型感光層6。電子照相感光體7b并不一定包括底涂層3。電子照相感光體7b可以可選地包括外層。外層的一個示例是設置在電荷傳輸層5上的保護層。與電子照相感光體7a的導電基底1類似，包括在圖2所示的電子照相感光體7b中的導電基底1是硅氮烷處理導電基底。例如，圖2所示的電子照相感光體7b可以通過包括以下步驟的方法制造：制備硅氮烷處理前導電基底；使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導電基底的外周表面以形成硅氮烷處理導電基底(即導電基底1)；在硅氮烷處理導電基底(即導電基底1)的外周表面上形成底涂層3；以及在底涂層3上形成包括電荷產生材料和電荷傳輸材料的功能分離型感光層6。形成功能分離型感光層6的步驟包括在底涂層3上形成包括電荷產生材料的電荷產生層4的子步驟，以及在電荷產生層4上形成包括電荷傳輸材料的電荷傳輸層5的子步驟。下面對構成根據本示例性實施例的上述電子照相感光體的各層分別作進一步詳細說明。在以下描述中，省略參考號。導電基底導電基底的示例包括金屬板材、金屬轂以及金屬帶，其中含有諸如鋁、銅、鋅、鉻、鎳、鉬、釩、銦、金或鉑的金屬，或者諸如不銹鋼的合金。導電基底的其他示例包括紙張、樹脂膜以及帶，其上通過涂布、氣相沉積或層壓沉積有諸如導電聚合物或氧化銦的化合物、諸如鋁、鈀或金的金屬或者合金。這里使用的術語“導電”指體積電阻率小于1013ωcm。導電基底可以包含鋁以具有適合電子照相感光體的電氣性能。特別地，可以使用由鋁或鋁合金構成的導電基底。可以構成導電基底的鋁合金的示例包括含有鋁以及選自si、fe、cu、mn、mg、cr、zn和ti中的至少一種元素的鋁合金。例如，構成導電基底的鋁合金中的鋁含量可以是50重量％以上。從鋁合金的可加工性的角度來說，鋁合金中的鋁含量優選為90.0重量％以上，更優選為93.0重量％以上，進一步優選為95.0重量％以上。本示例性實施例中使用的導電基底是外周表面使用硅氮烷處理的導電基底，即硅氮烷處理導電基底。這里使用的術語“硅氮烷”指包括si-n鍵的化合物。例如，如上所述，硅氮烷具有由以上通式(s)表示的結構。當硅氮烷處理前導電基底的外周表面用硅氮烷進行處理時，導電基底的外周表面上存在的羥基(-oh)或包括在羥基中的氫(-h)原子被包括在硅氮烷中的由以上通式(a)表示的甲硅烷基“-a”所取代。其結果，形成包括外周表面上存在的甲硅烷基“-a”的導電基底，即硅氮烷處理導電基底。硅氮烷處理導電基底的外周表面上存在的甲硅烷基“-a”，即包括在以上處理(以下，稱為“硅氮烷處理”)中使用的硅氮烷中的甲硅烷基，優選不包括oh基，更優選不包括oh基或si-o鍵以降低點狀圖像缺陷的發生率。在構成通式(a)中由rs1至rs3表示的基團的原子中，直接連接到si原子上的原子可以是選自氫原子、碳原子和si原子中的至少一種。例如，甲硅烷基“-a”的分子量可以是50以上且250以下，優選為55以上且200以下以降低點狀圖像缺陷的發生率。通式(a)中由rs1至rs3表示的單價有機基團的示例包括未取代或取代的烷基、未取代或取代的環烷基、未取代或取代的芳基以及未取代或取代的甲硅烷基。由rs1至rs3表示的烷基的示例包括具有1-20個碳原子，優選1-10個碳原子的直鏈烷基，以及具有3-10個碳原子，優選3或4個碳原子的支鏈烷基。直鏈烷基的具體示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基以及正癸基。支鏈烷基的具體示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基以及叔癸基。由rs1至rs3表示的可以取代烷基的基團的示例包括鹵素原子、環烷基、芳基、甲硅烷基、烷氧基、烷硫基以及氨基。可以取代烷基的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。可以取代烷基的環烷基、芳基和甲硅烷基分別與下面描述的由rs1至rs3表示的環烷基、芳基和甲硅烷基的示例相同。可以取代烷基的烷氧基的示例包括由烷基和連接到烷基上的-o-基構成的基團。可以取代烷基的烷硫基的示例包括由烷基和連接到烷基上的-s-基構成的基團。連接到-o-或-s-基上的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同。可以取代烷基的氨基的示例包括伯胺(-nh2)；烷基取代氨基，即烷基氨基(即仲胺)；以及兩個烷基連接到其上的氨基，即二烷基氨基(即叔胺)。包括在烷基氨基或二烷基氨基中的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同。由rs1至rs3表示的環烷基的示例包括具有3-12個碳原子，優選4-8個碳原子的環烷基。環烷基的具體示例包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基以及環辛基。可以取代由rs1至rs3表示環烷基的基團的示例包括鹵素原子、烷基、芳基、甲硅烷基、烷氧基、烷硫基以及氨基。可以取代環烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代環烷基的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同。可以取代環烷基的芳基和甲硅烷基的示例與下面描述的由rs1至rs3表示的芳基和甲硅烷基的示例相同。由rs1至rs3表示的芳基的示例包括具有6-18個碳原子，優選6-12個碳原子的芳基。芳基的具體示例包括苯基、萘基、菲基以及聯苯基。可以取代由rs1至rs3表示的芳基的基團的示例包括鹵素原子、烷基、環烷基、甲硅烷基、烷氧基、烷硫基以及氨基。可以取代芳基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代芳基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代芳基的烷基和環烷基的示例分別與由rs1至rs3表示的烷基和環烷基的上述示例相同。可以取代芳基的甲硅烷基的示例分別與下面描述的由rs1至rs3表示的甲硅烷基的示例相同。由rs1至rs3表示的甲硅烷基的示例包括-sih3基。可以取代由rs1至rs3表示的甲硅烷基的基團的示例包括鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、甲硅烷基、烷氧基烷基、烷硫基烷基以及氨基烷基。可以取代甲硅烷基的鹵素原子的示例與取代烷基的鹵素原子的上述示例相同。可以取代甲硅烷基的烷基、環烷基、芳基和甲硅烷基的示例分別與由rs1至rs3表示的烷基、環烷基、芳基和甲硅烷基的上述示例相同。可以取代甲硅烷基的烷氧基烷基、烷硫基烷基和氨基烷基的示例分別是由rs1至rs3表示的被選自可以取代烷基的烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例的基團所取代的烷基的上述示例。為降低點狀圖像缺陷的發生率，通式(a)中的rs1至rs3優選為氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或者未取代或取代的甲硅烷基；更優選為氫原子、具有1-4個碳原子的未取代的烷基、未取代或取代的苯基或者未取代的甲硅烷基；進一步優選為氫原子、具有1或2個碳原子的未取代的直鏈烷基、具有3或4個碳原子的未取代的支鏈烷基、未取代的苯基、被鹵素原子取代的苯基或者未取代的甲硅烷基。通式(a)中由rs1至rs3表示的基團可以彼此相同或不同。優選選自由rs1至rs3表示的基團的兩個或兩個以上的基團相同。更優選由rs1至rs3表示的所有基團都相同。特別地，優選選自由rs1至rs3表示的基團的兩個或兩個以上的基團是單價有機基團，更優選由rs1至rs3表示的所有基團都是單價有機基團。由通式(a)表示的結構的具體示例包括但不限于以下結構。例如，硅氮烷處理導電基底可以通過包括以下步驟的方法制造：制備硅氮烷處理前導電基底；以及使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導電基底的外周表面。用于處理硅氮烷處理前導電基底的外周表面的硅氮烷的類型不受限制，并且可以使用包括si-n鍵的任何類型的硅氮烷。特別地，直接連接到構成si-n鍵的氮原子上的甲硅烷基可以是由以上通式(a)表示的甲硅烷基。直接連接到硅氮烷的si-n鍵的氮原子上的甲硅烷基優選不包括oh基，更優選不包括oh基或si-o鍵以降低點狀圖像缺陷的發生率。例如，硅氮烷的分子量可以是100以上且300以下，優選為110以上且200以下以提高硅氮烷與羥基的反應性并降低點狀圖像缺陷的發生率。連接到包括在硅氮烷中的si原子上的原子可以是選自氫原子、碳原子和si原子中的至少一種。用于處理導電基底的外周表面的硅氮烷包括由以下通式(s1)至(s3)表示的硅氮烷。在以上通式(s1)至(s3)中，rs11至rs15、rs21至rs27以及rs31至rs37各自獨立地表示氫原子或單價有機基團；并且rs14和rs15可以彼此連接以形成環。通式(s1)至(s3)中的rs11至rs13、rs21至rs23、rs25至rs27以及rs31至rs33分別與通式(a)中的rs1至rs3相同。通式(s2)中的rs21至rs23和rs25至rs27可以彼此相同或不同，優選為分別彼此相同。換句話說，包括在由通式(s2)表示的硅氮烷中的兩個甲硅烷基可以彼此相同或不同，優選為彼此相同。通式(s1)中由rs14和rs15表示的單價有機基團包括未取代或取代的烷基、未取代或取代的環烷基、未取代或取代的芳基以及未取代或取代的烷基羰基。由彼此連接的rs14和rs15構成的環的示例包括未取代或取代的含氮雜環。由rs14和rs15表示的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同。可以取代由rs14和rs15表示的烷基的基團的示例包括鹵素原子、環烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基。可以取代烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代烷基的環烷基、芳基和烷基羰基的示例分別與下面描述的由rs14和rs15表示的環烷基、芳基和烷基羰基的示例相同。由rs14和rs15表示的環烷基的示例與由rs1至rs3表示的環烷基的上述示例相同。可以取代由rs14和rs15表示的環烷基的基團的示例包括鹵素原子、烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基。可以取代環烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代環烷基的烷基的示例與由rs14和rs15表示的烷基的上述示例相同。可以取代環烷基的烷基和烷基羰基的示例分別與下面描述的由rs14和rs15表示的烷基和烷基羰基的示例相同。由rs14和rs15表示的芳基的示例與由rs1至rs3表示的芳基的上述示例相同。可以取代由rs14和rs15表示的芳基的基團的示例包括鹵素原子、烷基、環烷基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基。可以取代芳基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的芳基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代芳基的烷基和環烷基的示例分別與由rs14和rs15表示的烷基和環烷基的上述示例相同。可以取代芳基的烷基羰基的示例與由rs14和rs15表示的烷基羰基的示例相同。由rs14和rs15表示的烷基羰基的示例包括選自由rs14和rs15表示的烷基的上述示例中的烷基連接到其上的羰基。可以取代由rs14和rs15表示的烷基羰基的基團的示例包括鹵素原子、環烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基。可以取代烷基羰基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與由rs1至rs3表示的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代烷基羰基的環烷基、芳基和烷基羰基的示例分別與由rs14和rs15表示的環烷基、芳基和烷基羰基的上述示例相同。由彼此連接的rs14和rs15構成的含氮雜環的示例包括構成環的原子的個數(以下，稱為“環構成原子數”)為3-12個，優選為3-9個的含氮雜環。注意，環構成原子數還指構成si-n鍵的氮原子的個數。除構成si-n鍵的氮原子以外，含氮雜環還可以進一步包括雜原子。雜原子的示例包括氮原子、氧原子以及硫原子。含氮雜環的具體示例包括乙烯亞胺環、氮雜環丁烷環、吡咯環、哌啶環、六亞甲基亞胺環、氮雜環庚三烯環、吡咯烷環、咪唑環、吡唑環、咪唑啉環、嗎啉環、噻嗪環、吲哚環、異吲哚環、苯并咪唑環、嘌呤環以及咔唑環。含氮雜環可以可選地被取代。可以取代含氮雜環的基團的示例包括鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基。可以取代含氮雜環的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代含氮雜環的烷基、環烷基、芳基和烷基羰基的示例分別與由rs14和rs15表示的烷基、環烷基、芳基和烷基羰基的上述示例相同。為提高硅氮烷與導電基底的表面上存在的羥基的反應性，通式(s1)中的rs14和rs15優選為氫原子、未取代的烷基、由鹵素原子取代的烷基、未取代的烷基羰基或由鹵素原子取代的烷基羰基，或者通過彼此連接來形成的未取代的含氮雜環，更優選為氫原子、具有1-12個碳原子的未取代的烷基、烷基羰基即具有1-12個碳原子的未取代的烷基連接到其上的羰基或烷基羰基即具有1-12個碳原子的鹵素取代的烷基連接到其上的羰基，或者通過彼此連接來形成的具有構成5-9個原子數的環的未取代的含氮雜環。當rs14和rs15不形成環時，rs14和rs15可以是相同的基團或不同的基團。在這種情況下，優選選自rs14和rs15中的至少一個是單價有機基團，更優選rs14和rs15都是單價有機基團。通式(s2)中由rs24表示的單價有機基團的示例包括未取代的烷基。由rs24表示的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同。通式(s2)中的rs24優選為氫原子或具有1-12個碳原子的未取代的烷基，更優選為氫原子以提高硅氮烷與導電基底的表面上存在的羥基的反應性。通式(s3)中由rs34表示的單價有機基團的示例包括未取代或取代的烷基、未取代或取代的環烷基以及未取代或取代的芳基。由rs34表示的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同。可以取代由rs34表示的烷基的基團的示例包括鹵素原子、環烷基、芳基、烷氧基、烷硫基以及氨基。可以取代烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代烷基的環烷基和芳基分別與下面描述的由rs34表示的環烷基和芳基的示例相同。由rs34表示的環烷基的示例與由rs1至rs3表示的環烷基的上述示例相同。可以取代由rs34表示的環烷基的基團的示例包括鹵素原子、烷基、芳基、烷氧基、烷硫基以及氨基。可以取代環烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代環烷基的烷基與由rs34表示的烷基的上述示例相同。可以取代環烷基的芳基與下面描述的由rs34表示的芳基的示例相同。由rs34表示的芳基的示例與由rs1至rs3表示的芳基的上述示例相同。可以取代由rs34表示的芳基的基團的示例包括鹵素原子、烷基、環烷基、烷氧基、烷硫基以及氨基。可以取代芳基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代芳基的烷基和環烷基的示例分別與由rs34表示的烷基和環烷基的上述示例相同。通式(s3)中的rs34優選為氫原子、未取代的烷基或鹵素取代的烷基，更優選為氫原子或具有1-12個碳原子的未取代的烷基以提高硅氮烷與導電基底的表面上存在的羥基的反應性。硅氮烷優選為由通式(s1)至(s3)中的任何一個表示的化合物，更優選為由通式(s1)或(s2)表示的化合物。硅氮烷的具體示例包括但不限于以下結構。為使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導電基底的外周表面，可以直接或者以通過使用溶劑和適當的添加劑稀釋硅氮烷制備的液體混合物的形式使用硅氮烷。以下，含有硅氮烷的液體混合物稱為“含硅氮烷液體混合物”。包括在含硅氮烷液體混合物中的溶劑的示例包括但不限于己烷、苯、乙醚以及甲苯。包括在含硅氮烷液體混合物中的添加劑的示例包括但不限于諸如三氟醋酸鹽、氯化氫和硫化銨的催化劑。例如，包括在含硅氮烷液體混合物中的硅氮烷的含量不限于，可以是10重量％以上且90重量％以下。例如，為使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導電基底的外周表面，可以在干燥的氣氛下將硅氮烷處理前導電基底浸入硅氮烷或含硅氮烷液體混合物中。或者，可以將硅氮烷或含硅氮烷液體混合物噴涂到硅氮烷處理前導電基底的外周表面上。例如，在硅氮烷處理中，硅氮烷或含硅氮烷液體混合物的溫度可以設置為20℃以上且100℃以下，優選設置為30℃以上且70℃以下。硅氮烷或含硅氮烷液體混合物的溫度可以根據硅氮烷的含量更改。例如，硅氮烷處理所需的時間量可以是，但不限于1分鐘以上且24小時以下。硅氮烷處理所需的時間量可以根據硅氮烷的含量更改。在硅氮烷處理之后，可以使用疏水有機溶劑(例如，己烷、苯、乙醚或甲苯)清潔硅氮烷處理導電基底以去除未反應部分的硅氮烷，接著進行干燥以去除疏水有機溶劑。如上所述，硅氮烷處理前導電基底的外周表面上存在的羥基(-oh)或包括在羥基中的氫(-h)原子被硅氮烷處理導電基底中的甲硅烷基所替代，該硅氮烷處理導電基底通過使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導電基底的外周表面制備。導電基底是否是硅氮烷處理導電基底可以利用紅外吸收確定。在難以利用紅外吸收確定甲硅烷基的存在的情況下，可以采用簡單方便的測量水接觸角的方法。在導電基底的外周表面通過硅氮烷處理進行疏水化的期間發生的水接觸角的增加表示羥基(-oh)的反應。如上所述，使用甲硅烷基替代硅氮烷處理前導電基底的外周表面上存在的羥基的另一種可能的方法是使用硅烷偶聯劑進行甲硅烷基化。然而，硅烷偶聯劑與羥基的反應性比硅氮烷低。另外，當硅烷偶聯劑通過水解分解時，產生羥基(即硅烷醇基)。因此，與硅氮烷處理導電基底相比，留在使用硅烷偶聯劑處理的導電基底的外周表面上的羥基(-oh)的數量很可能會較大。在使用硅烷偶聯劑的情況下，不同于甲硅烷基的烷氧基連接到導電基底的外周表面上。由此，導電基底是否使用硅氮烷或通過甲硅烷基化處理過在一定程度上可以利用紅外吸收、氣相色譜法、x射線光電子能譜法等確定。在硅氮烷處理之前，導電基底還可以進行除硅氮烷處理以外的處理。換句話說，硅氮烷處理前導電基底可以是進行過除硅氮烷處理以外的處理的導電基底。其他處理的示例包括下面描述的粗糙化處理、使用酸性涂布液的處理以及勃母石處理。特別地，其他處理可以在硅氮烷處理之前進行。下面描述硅氮烷處理前導電基底的其他處理。在電子照相感光體作為激光打印機的部件的情況下，可以將導電基底的表面粗糙化至0.04μm以上且0.5μm以下的中心線粗糙度ra以降低當使用激光束照射感光體時形成干涉條紋的可能性。進行粗糙化以防止形成干涉條紋在使用發射非相干光的光源的情況下可以省略，但可以延長感光體的使用壽命，因為它降低了由于導電基底的表面不規則而導致缺陷的可能性。例如，為粗糙化導電基底的表面，可以采用以下方法：濕式珩磨，其中向導電基底噴涂通過將磨料懸浮在水中制備的液體；無心研磨，其中通過使導電基底與旋轉砂輪壓力接觸來對其進行持續的研磨；以及陽極氧化。為通過陽極氧化粗糙化導電基底的表面，通過使用由諸如鋁的金屬制成的導電基底作為陽極在電解質溶液中進行陽極氧化以在導電基底的表面形成氧化膜。電解質溶液的示例包括硫酸溶液和草酸溶液。但是，最初，由陽極氧化形成的多孔陽極氧化膜有化學活性，并且易受污染。另外，多孔陽極氧化膜的電阻率根據環境變化很大。因此，可以進行多孔陽極氧化膜的密封處理，其中氧化膜中形成的微孔被由于加壓蒸汽或沸水(可含有諸如鎳的金屬的鹽)的水合作用導致的體積膨脹所封閉，以將氧化膜變成比氧化膜更穩定的水合氧化膜。例如，陽極氧化膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。當陽極氧化膜的厚度在上述范圍以內時，可以提高氧化膜的注入阻礙特性。另外，可以限制由于重復使用導致的殘余電勢的增加。導電基底可以通過酸性處理液進行處理或者實施勃母石處理。例如，可以通過以下方式進行使用酸性處理液對導電基底的處理。制備含有磷酸、鉻酸和氫氟酸的酸性處理液。例如，酸性處理液中磷酸、鉻酸和氫氟酸的含量如下：磷酸：10重量％以上且11重量％以下；鉻酸：3重量％以上且5重量％以下；以及氫氟酸：0.5重量％以上且2重量％以下。這些酸的總濃度可以是13.5重量％以上且18重量％以下。例如，處理溫度為42℃以上且48℃以下。涂膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。例如，在勃母石處理中，將導電基底浸入溫度為90℃以上且100℃以下的純水中5至60分鐘或者使其與溫度為90℃以上且120℃以下的蒸汽接觸5至60分鐘。涂膜的厚度可以是0.1μm以上且5μm以下。產生的導電基底可以通過具有低涂膜溶解度的電解質溶液，例如己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽或檸檬酸鹽，可選地實施陽極氧化。底涂層雖然未圖示，底涂層可以可選地設置在導電基底和感光層之間。例如，底涂層含有無機顆粒和粘合劑樹脂。例如，無機顆粒可以具有102ωcm以上且1011ωcm以下的粉末電阻率(即體積電阻率)。例如，在具有以上電阻率的所述無機顆粒中，優選諸如氧化錫顆粒、氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒和氧化鋯顆粒的金屬氧化物顆粒，特別優選氧化鋅顆粒。例如，無機顆粒的bet比表面積可以是10m2/g以上。例如，無機顆粒的體積平均粒徑可以是50nm以上且2,000nm以下，優選為60nm以上且1,000nm以下。例如，無機顆粒的含量優選為粘合劑樹脂的數量的10重量％以上且80重量％以下，更優選為40重量％以上且80重量％以下。無機顆粒可以可選地實施表面處理。可以使用兩種或兩種以上已實施過不同的表面處理或在混合物中具有不同直徑的無機顆粒。表面處理中使用的試劑的示例包括硅烷偶聯劑、鈦酸酯偶聯劑、鋁酸鹽偶聯劑和表面活性劑。具體地說，優選硅烷偶聯劑，更優選包括氨基的硅烷偶聯劑。包括氨基的硅烷偶聯劑的示例包括但不限于3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷和n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷。兩種或兩種以上的硅烷偶聯劑可以混合使用。例如，包括氨基的硅烷偶聯劑可以與另一種硅烷偶聯劑組合使用。另一種硅烷偶聯劑的示例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。可以通過任何已知的方法進行使用表面處理劑的無機顆粒的表面處理。可以采用干法和濕法。例如，使用的表面處理劑的數量可以是無機顆粒的數量的0.5重量％以上且10重量％以下。除無機顆粒以外，底涂層還可以包括電子接受化合物(即接受體化合物)以提高電學性能和載體阻擋性能的長期穩定性。電子接受化合物的示例包括下列電子傳輸物質：諸如氯醌和溴醌的醌；四氰基對醌二甲烷；諸如2,4,7-三硝基芴酮和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮的芴酮；諸如2-(4-聯苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑、2,5-雙(4-萘基)-1,3,4-惡二唑和2,5-雙(4-二乙氨基苯基)-1,3,4-惡二唑的惡二唑；氧雜蒽酮；噻吩；以及諸如3,3',5,5'-四-叔丁基聯苯醌的聯苯醌。具體地說，可以使用具有蒽醌結構的化合物作為電子接受化合物。具有蒽醌結構的化合物的示例包括羥基蒽醌、氨基蒽醌和氨基羥基蒽醌。其具體示例包括蒽醌、茜素、醌茜、蒽絳酚和羥基茜草素。底涂層中包括的電子接受化合物可以與無機顆粒一起分散到底涂層中或者沉積在無機顆粒的表面。例如，為將電子接受化合物沉積在無機顆粒的表面，可以采用干法和濕法。例如，在干法中，在使用能夠產生大剪切力的混合器等攪拌無機顆粒的同時，向無機顆粒滴加或者與干燥空氣或氮氣一起噴涂電子接受化合物或通過在有機溶液溶解電子接受化合物制備的溶液以將電子接受化合物沉積在無機顆粒的表面。電子接受化合物的添加或噴涂在等于或低于使用的溶劑的沸點的溫度下進行。在添加或噴涂電子接受化合物之后，可以可選地在100℃以上烘干產生的無機顆粒。無機顆粒烘干的溫度和無機顆粒烘干的時間不受限；無機顆粒可以在獲得預期電子照相性能的適當溫度和時間條件下烘干。例如，在濕法中，在使用攪拌器、超聲波、砂磨機、磨碎機、球磨機等將無機顆粒分散到溶劑中的同時，在產生的分散液中添加電子接受化合物。在將分散液攪拌或分散之后，去除溶劑使得電子接受化合物沉積在無機顆粒的表面。例如，溶劑的去除可以通過過濾或蒸餾進行。在溶劑去除之后，可以可選地在100℃以上烘干產生的無機顆粒。無機顆粒烘干的溫度和無機顆粒烘干的時間不受限；無機顆粒可以在獲得預期電子照相性能的適當溫度和時間條件下烘干。在濕法中，可以在添加電子接受化合物之前去除無機顆粒中含有的水分。例如，無機顆粒中含有的水分的去除可以通過在溶劑中攪拌的同時加熱無機顆粒或者將水分與溶劑一起煮沸來完成。電子接受化合物的沉積可以在使用表面處理劑的無機顆粒的表面處理之前或之后進行。或者，電子接受化合物的沉積與使用表面處理劑的表面處理可以同時進行。例如，電子接受化合物的含量為無機顆粒的數量的0.01重量％以上且20重量％以下，優選為0.01重量％以上且10重量％以下。底涂層中包括的粘合劑樹脂的示例包括下列已知的材料：諸如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機硅樹脂、有機硅-醇酸樹脂、脲醛樹脂、酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、醇酸樹脂和環氧樹脂的高分子化合物；鋯螯合物；鈦螯合物；鋁螯合物；鈦醇鹽；有機鈦化合物以及硅烷偶聯劑。底涂層中包括的粘合劑樹脂的其他示例包括具有電荷傳輸基團的電荷傳輸樹脂以及諸如聚苯胺的導電樹脂。在以上粘合劑樹脂中，可以使用不溶于用于在底涂層上形成一層的涂布液中含有的溶劑的樹脂作為底涂層中包括的粘合劑樹脂。具體地說，可以使用通過使選自由熱固性樹脂(例如脲醛樹脂、酚樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂和環氧樹脂)、聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯醇縮醛樹脂組成的組中的至少一種樹脂與固化劑反應而產生的樹脂。在以上粘合劑樹脂中的兩種或兩種以上組合使用的情況下，可以適當地設定粘合劑樹脂之間的混合比。底涂層可以包括各種添加劑以提高電學性能、環境穩定性和圖像重量。添加劑的示例包括下列已知材料：諸如聚縮顏料和偶氮顏料的電子傳輸顏料、鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、鈦醇鹽、有機鈦化合物以及硅烷偶聯劑。如上所述可以在無機顆粒的表面處理中使用的硅烷偶聯劑也可以作為添加劑添加到底涂層中。可以作為添加劑使用的硅烷偶聯劑的示例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷以及3-氯丙基三甲氧基硅烷。鋯螯合物的示例包括丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯丁醇鋯、醋酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環烷酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁醇鋯、硬脂酸丁醇鋯和異硬脂酸丁醇鋯。鈦螯合物的示例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、四-(2-乙基己基)鈦酸、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、亞辛基乙醇酸鈦、乳酸銨鹽鈦、乳酸鈦、乳酸乙酯鈦、三乙醇胺鈦以及多羥基硬脂酸鈦。鋁螯合物的示例包括異丙醇鋁、單丁氧基二異丙酸鋁、丁酸鋁、二乙基乙酰乙酸二異丙醇鋁以及鋁三(乙酰乙酸乙酯)。以上添加劑可以單獨使用。或者，以上化合物中的兩種或兩種以上可以混合或者以縮聚物的形式使用。底涂層可以具有35以上的維氏硬度。為減少莫爾條紋的形成，可以將底涂層的表面粗糙度(即十點平均粗糙度)控制在作為曝光光使用的激光束的波長λ的1/(4n)至1/2，其中n是底涂層上將形成的層的折射率。可以向底涂層添加樹脂顆粒等以調整底涂層的表面粗糙度。樹脂顆粒的示例包括有機硅樹脂顆粒以及交聯聚甲基丙烯酸甲酯樹脂顆粒。可以研磨底涂層的表面以調整底涂層的表面粗糙度。為研磨底涂層的表面，可以進行拋光、噴砂、濕式珩磨、研磨等。形成底涂層的方法不受限，可以采用已知的方法。例如，使用通過將上述成分與溶劑混合而制備的底涂層形成涂布液形成涂布膜，并且將涂布膜干燥，必要時加熱。用于制備底涂層形成涂布液的溶劑的示例包括已知的有機溶劑，例如醇溶劑、芳香烴溶劑、鹵代烴類溶劑、酮溶劑、酮醇溶劑、醚類溶劑以及酯溶劑。其具體示例包括下列常見有機溶劑：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、醋酸甲酯、乙酸乙酯、醋酸正丁酯、二氧六環、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯以及甲苯。例如，為在制備底涂層形成涂布液的過程中分散無機顆粒，可以使用已知的設備，例如滾磨機、球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機、膠體磨以及油漆搖動器。例如，為使用底涂層形成涂布液涂布導電基底，可以采用常用的方法，例如刮刀涂布、線棒涂布、噴涂、浸漬涂布、珠涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。例如，底涂層的厚度優選地設置為15μm以上，更優選地設置為18μm以上且50μm以下。中間層盡管附圖中未示出，可以可選地在底涂層和感光層之間設置中間層。例如，中間層包括樹脂。中間層中包括的樹脂的示例包括下列高分子化合物：縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機硅樹脂、有機硅-醇酸樹脂、酚醛樹脂以及三聚氰胺樹脂。中間層可以包括有機金屬化合物。可以包括在中間層中的有機金屬化合物的示例包括含有諸如鋯原子、鈦原子、鋁原子、錳原子或硅原子的金屬原子的有機金屬化合物。可以包括在中間層中的以上化合物可以單獨使用。或者，以上化合物中的兩種或兩種以上可以混合或者以縮聚物的形式使用。具體地說，中間層可以包括含有鋯原子或硅原子的有機金屬化合物。形成中間層的方法不受限，可以采用已知的方法。例如，使用通過將上述成分與溶劑混合而制備的中間層形成涂布液形成涂布膜，并且將涂布膜干燥，必要時加熱。為形成中間層，可以采用常用的涂布方法，例如浸漬涂布、上推涂布(pushcoating)、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。例如，中間層的厚度可以設置為0.1μm以上且3μm以下。可以使用中間層作為底涂層。單層型感光層單層型感光層包括粘合劑樹脂、電荷產生材料、電子傳輸材料以及空穴傳輸材料。單層型感光層可以可選地包括其他添加劑。粘合劑樹脂粘合劑樹脂的示例包括但不限于聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚芳酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、有機硅樹脂、有機硅-醇酸樹脂、苯酚甲醛樹脂、苯乙烯醇酸樹脂、聚-n-乙烯基咔唑以及聚硅烷。以上粘合劑樹脂可以單獨使用或者兩種或兩種以上混合使用。例如，在以上粘合劑樹脂中，特別地，從感光層的可成形性的角度來說，可以使用粘度平均分子量為30,000以上且80,000以下的聚碳酸酯樹脂。例如，粘合劑樹脂的含量可以是感光層的總固體含量的35重量％以上且60重量％以下，優選為50重量％以上且60重量％以下，進一步優選為53重量％以上且60重量％以下。電荷產生材料電荷產生材料的示例包括諸如雙偶氮和三偶氮的偶氮顏料；諸如二溴蒽嵌蒽醌的環狀芳香族顏料；苝顏料；吡咯并吡咯顏料；酞菁顏料；氧化鋅；以及三角硒。在以上電荷產生材料中，考慮到近紅外區域中激光束的曝光，可以使用金屬酞菁顏料或非金屬酞菁顏料。所述電荷產生材料的具體示例包括羥基鎵酞菁、氯化鎵酞菁、二氯化錫酞菁以及氧鈦酞菁。在以上電荷產生材料中，考慮到近紫外區域中激光束的曝光，可以使用諸如二溴蒽嵌蒽醌；硫靛顏料；四氮雜卟啉；氧化鋅；三角硒以及雙偶氮顏料的環狀芳香族顏料。也就是說，例如，在由用于曝光的光源發出的光的波長為380nm以上且500nm以下的情況下可以使用無機顏料作為電荷產生材料，在由用于曝光的光源發出的光的波長為700nm以上且800nm以下的情況下可以使用金屬和非金屬酞菁顏料作為電荷產生材料。在本示例性實施例中，電荷產生材料可以是選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種顏料。以上顏料可以單獨使用或者必要時作為電荷產生材料的組合使用。特別地，電荷產生材料可以是羥基鎵酞菁顏料以提高感光體的反應性并降低點狀圖像缺陷的發生率。羥基鎵酞菁顏料的類型不受限制。為提高感光體的反應性并減少圖像上的色斑的形成，可以使用v型羥基鎵酞菁顏料。特別地，例如，羥基鎵酞菁顏料可以是在涵蓋600nm以上且900nm以下的范圍的光譜吸收光譜內具有810nm以上且839nm以下的最大峰值波長的羥基鎵酞菁顏料，因為所述羥基鎵酞菁顏料能夠以更高的程度分散。也就是說，當所述羥基鎵酞菁顏料作為電子照相感光體的材料使用時，有可能獲得優良的可分散性、足夠高的靈敏度、足夠高的帶電性以及足夠高的暗衰減特性。具有810nm以上且839nm以下的最大峰值波長的羥基鎵酞菁顏料可以具有在特定范圍以內的平均粒徑以及在特定范圍以內的bet比表面積。具體地說，所述羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑優選為0.20μm以下，更優選為0.01μm以上且0.15μm以下，而所述羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積優選為45m2/g以上，更優選為50m2/g以上，特別優選為55m2/g以上且120m2/g以下。羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑是利用由堀場公司(horiba,ltd.)制造的激光衍射/散射粒徑分布分析儀“la-700”測量的羥基鎵酞菁顏料的體積平均粒徑(即d50平均粒徑)。羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積利用由日本島津公司(shimadzucorporation)制造的bet比表面積分析儀“flowsorbii2300”通過氮氣沖洗法進行測量。如果羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑大于0.20μm或者羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積小于45m2/g，顏料顆粒的尺寸有可能過大或者顏料顆粒有可能形成聚集體。這樣，增加了諸如分散性、靈敏度、帶電性以及暗衰減特性的性能劣化的發生率，由此可能會增加圖像重量的缺陷。羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑(即最大初級粒徑)優選為1.2μm以下，更優選為1.0μm以下，進一步優選為0.3μm以下。如果羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑超過以上范圍，可能會增加黑斑的發生。羥基鎵酞菁顏料可以具有0.2μm以下的平均粒徑，1.2μm以下的最大粒徑以及45m2/g以上的比表面積以降低由于感光體暴露于熒光燈等而可能發生的密度不一致。羥基鎵酞菁顏料可以是在由cukα輻射測量的x射線衍射光譜中至少在7.3°、16.0°、24.9°和28.0°的布拉格角(2θ±0.2°)具有衍射峰的v型羥基鎵酞菁顏料。盡管氯化鎵酞菁顏料的類型不受限，但氯化鎵酞菁顏料在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(2θ±0.2°)可以具有衍射峰。所述氯化鎵酞菁顏料作為具有優良靈敏度的電子照相感光體的材料。氯化鎵酞菁顏料在光譜吸收光譜中的適宜的最大峰值波長、平均粒徑、最大粒徑和比表面積與羥基鎵酞菁顏料相同。例如，電荷產生材料的含量可以是感光層的總固體含量的1重量％以上且5重量％以下，優選為1.2重量％以上且4.5重量％以下。電子傳輸材料電子傳輸材料的示例包括但不限于以下電子傳輸化合物：諸如對苯醌、氯醌、四溴對苯醌和蒽醌的醌；四氰二甲基對苯醌化合物；諸如2,4,7-三硝基芴酮的芴酮；諸如二腈基亞甲基芴的芴；氧雜蒽酮；二苯甲酮；氰乙烯基化合物；以及乙烯。以上電子傳輸材料可以單獨使用或者以兩種或兩種以上的混合物使用。從電荷遷移性的角度來說，電子傳輸材料優選為選自包括諸如芴酮、芴和醌的芴骨架的化合物中的至少一種，更優選為選自包括二氰亞甲基和聯苯醌的芴衍生物中的至少一種，進一步優選為選自由以下通式(1)和(2)表示的電子傳輸材料中的至少一種。下面描述由以下通式(1)表示的電子傳輸材料。在通式(1)中，r11、r12、r13、r14、r15、r16和r17各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；并且r18表示烷基、-l19-o-r20基、芳基或芳烷基，其中l19是亞烷基，且r20是烷基。通式(1)中由r11至r17表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。通式(1)中由r11至r17表示的烷基的示例包括具有1-4個碳原子，優選1-3個碳原子的直鏈烷基和支鏈烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基以及異丁基。通式(1)中由r11至r17表示的烷氧基的示例包括具有1-4個碳原子，優選1-3個碳原子的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。通式(1)中由r11至r17表示的芳基的示例包括苯基和甲苯基。特別地，在由r11至r17表示的芳基中，可以使用苯基。通式(1)中由r11至r17表示的芳烷基的示例與下面描述的由r18表示的芳烷基相同，例如芐基、苯乙基以及苯丙基。通式(1)中由r18表示的烷基的示例包括具有1-12個碳原子，優選5-10個碳原子的直鏈烷基以及具有3-10個碳原子，優選5-10個碳原子的支鏈烷基。具有1-12個碳原子的直鏈烷基的示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基以及正十二烷基。具有3-10個碳原子的支鏈烷基的示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基以及叔癸基。在通式(1)中由r18表示的-l19-o-r20基中，l19表示亞烷基，且r20表示烷基。由l19表示的亞烷基的示例包括具有1-12個碳原子的直鏈烷基和支鏈亞烷基，例如亞甲基、乙烯基、正丙烯基、異丙烯基、正丁烯基、異丁烯基、仲丁烯基、叔丁烯基、正戊烯基、異戊烯基、新戊烯基以及叔戊烯基。由r20表示的烷基的示例與由r11至r17表示的烷基的上述示例相同。通式(1)中由r18表示的芳基的示例包括苯基、甲基苯基、二甲基苯基以及乙基苯基。從可溶性的角度來說，由r18表示的芳基可以是由烷基取代的芳基，即烷基取代的芳基。可以取代芳基以形成烷基取代的芳基的烷基的示例與由r11至r17表示的烷基的上述示例相同。通式(1)中由r18表示的芳烷基的示例包括由-r18a-ar表示的基團，其中r18a是亞烷基，且ar是芳基。由r18a表示的亞烷基的示例包括具有1-12個碳原子的直鏈烷基和支鏈亞烷基，例如亞甲基、乙烯基、正丙烯基、異丙烯基、正丁烯基、異丁烯基、仲丁烯基、叔丁烯基、正戊烯基、異戊烯基、新戊烯基以及叔戊烯基。由ar表示的芳基的示例包括苯基、甲基苯基、二甲基苯基以及乙基苯基。通式(1)中由r18表示的芳烷基的具體示例包括芐基、甲基芐基、二甲基芐基、苯乙基、甲基苯乙基、苯丙基以及苯丁基。在由通式(1)表示的電子傳輸材料中，可以使用r18是具有5-10個碳原子的支鏈烷基或芳烷基的電子傳輸材料以提高感光體的靈敏度并降低色斑的發生率。特別地，可以使用r11至r17各自獨立的是氫原子、鹵素原子或烷基，且r18是具有5-10個碳原子的支鏈烷基或芳烷基的電子傳輸材料。由通式(1)表示的電子傳輸材料的示例包括但不限于下列例示化合物。以下，下列例示化合物被編號為“例示化合物(1-[編號])”。具體地，例如，例示化合物(15)被編號為“例示化合物(1-15)”。用于描述上述例示化合物的縮寫表示如下。*：基團連接到氧原子上的位置n-bu：正丁基t-bu：叔丁基cl：氯原子me：甲基meo：甲氧基ph：苯基下面描述由通式(2)表示的電子傳輸材料。在通式(2)中，r21、r22、r23和r24各自獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或苯基。通式(2)中由r21至r24表示的烷基的示例包括具有1-6個碳原子的直鏈烷基和支鏈烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基以及己基。由r21至r24表示的烷基可以由基團取代。可以取代烷基的基團的示例包括環烷基和氟取代的烷基。通式(2)中由r21至r24表示的烷氧基的示例包括具有1-6個碳原子的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。通式(2)中由r21至r24表示的鹵素原子的示例包括氯原子、碘原子、溴原子以及氟原子。通式(2)中由r21至r24表示的苯基可以由基團取代。可以取代苯基的基團的示例包括具有1-6個碳原子的烷基、具有1-6個碳原子的烷氧基以及聯苯基。在由通式(2)表示的電子傳輸材料中，可以使用其中選自r21至r24中的至少一種，優選三種或三種以上為具有4個碳原子的支鏈烷基的電子傳輸材料以提高感光體的靈敏度并降低色斑的發生率。由通式(2)表示的電子傳輸材料的具體示例包括但不限于下列例示化合物。以下，下列例示化合物被編號為“例示化合物(2-[編號])”。具體地，例如，例示化合物(2)被編號為“例示化合物(2-2)”。除由通式(1)和(2)表示的電子傳輸材料以外，電子傳輸材料的具體示例還包括由以下結構式(et-a)至(et-e)表示的化合物。下面描述的其他電子傳輸材料可以與選自由通式(1)和(2)表示的電子傳輸材料中的至少一種組合使用。按固體含量計算，感光層中的電子傳輸材料的總含量優選為2重量％以上且30重量％以下，更優選為5重量％以上且20重量％以下。將電子傳輸材料的含量設置成在以上范圍以內使得感光體具有良好的電氣性能并且產生良好的電荷保持能力。空穴傳輸材料空穴傳輸材料的示例包括但不限于三芳胺、聯苯胺、芳烷烴、芳基取代的乙烯、二苯乙烯、蒽以及腙。以上空穴傳輸材料可以單獨使用或者以兩種或兩種以上的混合物使用。從電荷遷移率的角度來說，空穴傳輸材料優選包括三芳胺，更優選包括具有丁二烯結構的三芳胺，進一步優選包括由以下通式(3)表示的空穴傳輸材料。在通式(3)中，r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨立地表示氫原子、低級烷基、烷氧基、苯氧基、鹵素原子或者由選自低級烷基、低級烷氧基和鹵素原子的基團取代或未取代的苯基；并且p和q各自獨立地表示0或1。通式(3)中由r1至r6表示的低級烷基的示例包括具有1-4個碳原子的直鏈烷基和支鏈烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基以及異丁基。具體地，在以上低級烷基中，可以使用甲基和乙基。通式(3)中由r1至r6表示的烷氧基的示例包括具有1-4個碳原子的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。通式(3)中由r1至r6表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。通式(3)中由r1至r6表示的苯基的示例包括未取代的苯基；諸如對甲苯基和2,4-二甲苯基的低級烷基取代的苯基；諸如對甲氧基苯基的低級烷氧基取代的苯基；以及諸如對氯苯基的鹵素取代的苯基。可以取代苯基的基團的示例包括由r1至r6表示的低級烷基、低級烷氧基以及鹵素原子的上述示例。在由通式(3)表示的空穴傳輸材料中，可以使用其中p和q都是1的空穴傳輸材料以提高感光體的靈敏度并降低點狀圖像缺陷的發生率。特別地，可以使用其中r1至r6各自獨立地表示氫原子、低級烷基或烷氧基并且p和q是1的空穴傳輸材料。由通式(3)表示的空穴傳輸材料的具體示例包括但不限于下列例示化合物。以下，下列例示化合物被編號為“例示化合物(3-[編號])”。具體地，例如，例示化合物(15)被編號為“例示化合物(3-15)”。用于描述上述例示化合物的縮寫表示如下。4-me：在4-位值連接到苯基上的甲基3-me：在3-位值連接到苯基上的甲基4-cl：在4-位值連接到苯基上的氯原子4-meo：在4-位值連接到苯基上的甲氧基4-f：在4-位值連接到苯基上的氟原子4-pr：在4-位值連接到苯基上的丙基4-pho：在4-位值連接到苯基上的苯氧基除由通式(3)表示的空穴傳輸材料以外，空穴傳輸材料的具體示例還包括由以下通式(b-1)至(b-3)表示的化合物。在通式(b-1)中，arb101、arb102和arb103各自獨立地表示未取代或取代的芳基、-c6h4-c(rb104)＝c(rb105)(rb106)基或-c6h4-ch＝ch-ch＝c(rb107)(rb108)基，其中rb104、rb105、rb106、rb107和rb108各自獨立地表示氫原子、未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳基。可以取代以上基團的基團的示例包括氫原子、具有1-5個碳原子的烷基、具有1-5個碳原子的烷氧基以及由具有1-3個碳原子的烷基取代的氨基。在通式(b-2)中，rb8和rb8’可以彼此相同或不同，并且各自獨立地表示氫原子、具有1-5個碳原子的烷基或者具有1-5個碳原子的烷氧基；rb9、rb9'、rb10和rb10'可以彼此相同或不同，并且各自獨立地表示氫原子、具有1-5個碳原子的烷基、具有1-5個碳原子的烷氧基、由具有1或2個碳原子的烷基取代的氨基、未取代或取代的芳基、-c(rb11)＝c(rb12)(rb13)基或者-ch＝ch-ch＝c(rb14)(rb15)基，其中rb11至rb15各自獨立地表示氫原子、未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳基；并且m12、m13、n12和n13各自獨立地表示0到2的整數。在通式(b-3)中，rb16和rb16'可以彼此相同或不同，并且各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、具有1-5個碳原子的烷基或者具有1-5個碳原子的烷氧基；rb17、rb17'、rb18和rb18'可以彼此相同或不同，并且各自獨立地表示氫原子、具有1-5個碳原子的烷基、具有1-5個碳原子的烷氧基、由具有1或2個碳原子的烷基取代的氨基、未取代或取代的芳基、-c(rb19)＝c(rb20)(rb21)基或者-ch＝ch-ch＝c(rb22)(rb23)基，其中rb19至rb23各自獨立地表示氫原子、未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳基；并且m14、m15、n14和n15各自獨立地表示0到2的整數。特別地，在由通式(b-1)至(b-3)表示的化合物中，可以使用由通式(b-1)表示的包括-c6h4-ch＝ch-ch＝c(rb107)(rb108)基的化合物以及由通式(b-2)表示的包括-ch＝ch-ch＝c(rb14)(rb15)基的化合物。由通式(b-1)至(b-3)表示的化合物的具體示例包括以下化合物。例如，空穴傳輸材料的含量可以是感光層的總固體含量的10重量％以上且40重量％以下，優選為20重量％以上且35重量％以下。注意，在兩種或兩種以上空穴傳輸材料組合使用的情況下，這里使用的術語“空穴傳輸材料的含量”指空穴傳輸材料的總含量。空穴傳輸材料與電子傳輸材料之間的比空穴傳輸材料與電子傳輸材料之間的重量比，即[空穴傳輸材料]/[電子傳輸材料]優選為50/50以上且90/10以下，更優選為60/40以上且80/20以下。注意，在其他電荷傳輸材料組合使用的情況下，這里使用的術語“空穴傳輸材料與電子傳輸材料之間的重量比”指空穴傳輸材料的總重量與電子傳輸材料的總重量之間的比。其他添加劑單層型感光層可以可選地包括其他已知的添加劑，例如表面活性劑、抗氧化劑、光穩定劑以及熱穩定劑。在單層型感光層作為表面層的情況下，單層型感光層可以包括氟樹脂顆粒、硅油等。單層型感光層的形成單層型感光層可以使用通過混合上述成分與溶劑制備的感光層形成涂布液來形成。溶劑的示例包括下列常用有機溶劑：諸如苯、甲苯、二甲苯和氯苯的芳香烴；諸如丙酮和2-丁酮的酮；諸如二氯甲烷、氯仿和氯化乙烯的鹵代脂肪族烴；以及諸如四氫呋喃和乙醚的環醚和直鏈醚。以上溶劑可以單獨使用或者以兩種或兩種以上的混合物使用。為將電荷產生材料等的顆粒分散到感光層形成涂布液中，可以使用諸如球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機和臥式砂磨機的介質分散機；以及諸如攪拌器、超聲波分散器、滾磨機和高壓均質器的無介質分散機。高壓均質器的示例包括其中使分散液在高壓條件下碰撞液體或壁以形成分散液的沖擊式均質器以及其中分散液在高壓條件下通過非常薄的通道以形成分散液的穿透式均質器。例如，為將感光層形成涂布液涂敷到導電基底等上，可以采用浸漬涂布、上推涂布、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。單層型感光層的厚度優選為5μm以上且60μm以下，更優選為5μm以上且50μm以下，進一步優選為10μm以上且40μm以下。其他層如上所述，根據本示例性實施例的感光體可以可選地包括其他層。其他層的示例為設置在感光層上并作為表面層的保護層。例如，設置保護層以減少充電過程中可能發生的感光層的化學變化并增加感光層的機械強度。因此，保護層可以是由固化薄膜(即交聯薄膜)組成的層。所述層的示例包括以下1)和2)中所述的層。1)由通過固化包括含反應基團電荷傳輸材料的組合物形成的薄膜組成的層，該含反應基團電荷傳輸材料在同一個分子中包括反應基團和電荷傳輸骨架，即包括該含反應基團電荷傳輸材料的聚合物或交聯產物的層。2)由通過固化包括非反應性電荷傳輸材料和含反應基團非電荷傳輸材料的組合物形成的薄膜組成的層，該含反應基團非電荷傳輸材料不包括電荷傳輸骨架且包括反應基團，即包括該非反應性電荷傳輸材料與含反應基團非電荷傳輸材料的聚合物或交聯產物的層。包括在含反應基團電荷傳輸材料中的反應基團的示例包括以下已知的反應基團：鏈聚合基團；環氧基；-oh基；-or基，其中r是烷基；-nh2基、-sh基、-cooh基；以及-sirq13-qn(orq2)qn基，其中rq1表示氫原子、烷基或者未取代或取代的烷基，rq2表示氫原子、烷基或者三烷基甲硅烷基，并且qn是1到3的整數。鏈聚合基團的類型不受限制，并且可以使用能夠誘導自由基聚合的任何官能團。所述官能團的示例包括包含至少一個碳雙鍵的官能團。官能團的具體示例包括包含選自乙烯基、乙烯醚基、乙烯硫醚基、乙烯苯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基以及以上基團的衍生物中的至少一種的官能團。特別地，可以使用包括選自乙烯基、乙烯苯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基以及以上基團的衍生物中的至少一種的鏈聚合基團，因為所述鏈聚合基團具有高反應性。包括在含反應基團電荷傳輸材料中的電荷傳輸骨架不受限制，并且可以使用通常在電子照相感光體中使用的具有已知結構的任何電荷傳輸骨架。所述電荷傳輸骨架的示例包括來源于諸如三芳胺、聯苯胺和腙的含氮空穴傳輸化合物并且與氮原子共軛的骨架。特別地，在以上骨架中，可以使用三芳胺骨架。上述包括反應基團和電荷傳輸骨架的含反應基團電荷傳輸材料、非反應性電荷傳輸材料以及含反應基團非電荷傳輸材料可以選自常用材料。保護層可以可選地包括其他的已知添加劑。用于形成保護層的方法不受限制，并且可以使用已知的形成方法。例如，使用通過將上述成分與溶劑混合而制備的保護層形成涂布液形成涂布膜，接著干燥，并在必要時通過加熱使其固化。用于制備保護層形成涂布液的溶劑的示例包括諸如甲苯和二甲苯的芳香族溶劑；諸如甲基乙基酮、甲基異丁基酮和環己酮的酮溶劑；諸如乙酸乙酯和乙酸丁酯的酯溶劑；諸如四氫呋喃和二氧六環的醚類溶劑；諸如乙二醇單甲醚的溶纖劑；以及諸如異丙醇和丁醇的醇溶劑。以上溶劑可以單獨使用或者以兩種或兩種以上的混合物使用。保護層形成涂布液可以在不使用溶劑的情況制備。例如，為將保護層形成涂布液涂敷到感光層上，可以采用以下常用方法：浸漬涂布、上推涂布、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布、簾式涂布等。例如，保護層的厚度優選為1μm以上且20μm以下，更優選為2μm以上且10μm以下。功能分離型感光層例如，功能分離型感光層包括依次層疊在彼此頂部的導電基底、電荷產生層以及電荷傳輸層。電荷產生層例如，包括在功能分離型感光層中的電荷產生層包括電荷產生材料和粘合劑樹脂。電荷產生層可以通過電荷產生材料的氣相沉積形成。電荷產生材料和粘合劑樹脂分別與包括在上述單層型感光層中的電荷產生材料和粘合劑樹脂相同。形成電荷產生層的方法與形成單層型感光層的方法相同。電荷產生材料與粘合劑樹脂之間的重量比優選為10:1至1:10。例如，電荷產生層的厚度優選為0.1μm以上且5.0μm以下，更優選為0.2μm以上且2.0μm以下。電荷傳輸層例如，包括在功能分離型感光層中的電荷傳輸層包括電荷傳輸材料和粘合劑樹脂。電荷傳輸層可以包括高分子電荷傳輸材料。電荷傳輸材料的細節與包括在上述單層型感光層中的空穴傳輸材料和電子傳輸材料相同。用于形成電荷傳輸層的方法與用于形成單層型感光層的方法相同。電荷傳輸材料與粘合劑樹脂之間的重量比優選為10:1至1:5。例如，電荷傳輸層的厚度優選為5μm以上且50μm以下，更優選為10μm以上且30μm以下。圖像形成裝置與處理盒根據示例性實施例的圖像形成裝置包括電子照相感光體；充電單元，其對電子照相感光體的表面進行充電；靜電潛像形成單元，其在電子照相感光體的已充電表面形成靜電潛像；顯影單元，其使用含有調色劑的顯影劑對電子照相感光體的表面形成的靜電潛像進行顯影以形成調色劑圖像；以及轉印單元，其將調色劑圖像轉印到記錄介質的表面。電子照相感光體是根據上述示例性實施例的電子照相感光體。根據本示例性實施例的圖像形成裝置可以作為下列已知圖像形成裝置中的任意一種實現：具有將轉印到記錄介質表面的調色劑圖像定影的定影單元的圖像形成裝置；直接將電子照相感光體的表面形成的調色劑圖像轉印到記錄介質的表面的直接轉印式圖像形成裝置；將電子照相感光體的表面形成的調色劑圖像轉印到中間轉印體的表面(此過程被稱為“一次轉印”)并進一步將轉印到中間轉印體的表面的調色劑圖像轉印到記錄介質的表面(此過程被稱為“二次轉印”)的中間轉印式圖像形成裝置；具有對調色劑圖像轉印之后尚未被充電的電子照相感光體的表面進行清潔的清潔單元的圖像形成裝置；具有對調色劑圖像轉印之后尚未被充電的電子照相感光體的表面照射電荷消除光以消除電荷的電荷消除單元的圖像形成裝置；以及具有對電子照相感光體進行加熱以降低電子照相感光體的相對溫度的電子照相感光體加熱元件的圖像形成裝置。例如，在中間轉印式圖像形成裝置中，轉印單元包括：中間轉印體，其上轉印有調色劑圖像；一次轉印單元，其將電子照相感光體的表面形成的調色劑圖像轉印到中間轉印體的表面(一次轉印)；以及二次轉印單元，其將轉印到中間轉印體的表面的調色劑圖像轉印到記錄介質的表面(二次轉印)。根據本示例性實施例的圖像形成裝置可以是干式顯影圖像形成裝置或使用液體顯影劑顯影圖像的濕式顯影圖像形成裝置。例如，在根據本示例性實施例的圖像形成裝置中，具有電子照相感光體的部分可以具有墨盒結構，也就是說，可以是處理盒，其可拆卸地安裝到圖像形成裝置上。例如，處理盒可以具有根據上述示例性實施例的電子照相感光體。例如，處理盒可以進一步具有至少一個選自由充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和轉印單元組成的組中的部件。下面描述根據本示例性實施例的圖像形成裝置的示例。但是，根據本示例性實施例的圖像形成裝置不限于此。以下，僅描述附圖中示出的部件，省略其他部件的描述。圖3示意性地示出根據本示例性實施例的圖像形成裝置的示例。如圖3所示，根據本示例性實施例的圖像形成裝置100具有處理盒300，該處理盒300包括電子照相感光體7、曝光裝置9(靜電潛像形成單元的示例)、轉印裝置40(即一次轉印裝置)以及中間轉印體50。在圖像形成裝置100中，設置曝光裝置9使得電子照相感光體7暴露于由曝光裝置9通過在處理盒300中形成的縫隙發射的光；轉印裝置40設置成面對電子照相感光體7且中間轉印體50處于轉印裝置40與電子照相感光體7之間；并且中間轉印體50設置成使得中間轉印體50的一部分與電子照相感光體7相接觸。盡管附圖中未示出，圖像形成裝置100還具有將轉印到中間轉印體50上的調色劑圖像轉印到記錄介質，例如紙張上的二次轉印裝置。在圖像形成裝置100中，中間轉印體50、轉印裝置40(即一次轉印裝置)以及二次轉印裝置(未示出)相當于轉印單元的示例。圖3所示的處理盒300包括電子照相感光體7、充電裝置8(充電單元的示例)、顯影裝置11(顯影單元的示例)以及清潔裝置13(清潔單元的示例)，它們一體地支撐在外殼中。清潔裝置13包括清潔刮刀131(清潔元件的示例)，其設置成與電子照相感光體7的表面相接觸。例如，清潔元件的形式不限于清潔刮刀131，還可以是導電纖維元件或絕緣纖維元件。導電纖維元件或絕緣纖維元件可以單獨使用或者與清潔刮刀131組合使用。圖3所示的圖像形成裝置包括：輥狀纖維元件132，通過其向電子照相感光體7的表面供應潤滑劑14；以及平面刷狀纖維元件133，其輔助清潔。但是，圖3所示的圖像形成裝置僅僅是示例，并且清潔元件132和133是可選的，根據需要可有可無。下面分別描述根據本示例性實施例的圖像形成裝置的部件。充電裝置例如，充電裝置8可以是接觸型充電器，包括導電或半導電充電輥、充電刷、充電薄膜、充電橡膠刮刀、充電管等。也可以使用已知的充電器，例如非接觸型輥充電器以及利用電暈放電的格柵電暈管(scorotron)和電暈管(corotron)。曝光裝置例如，曝光裝置9可以是光學裝置，通過該光學裝置可以使電子照相感光體7的表面以預定圖像圖案暴露于由半導體激光器、led、液晶光閘等發射的光。光源的波長設置為在電子照相感光體的光譜靈敏度范圍以內。盡管常見半導體激光器在780nm附近，即在近紅外區域，有震蕩波長，但可以作為光源使用的半導體激光器不限于所述半導體激光器；也可以使用具有大約600-700nm的震蕩波長的半導體激光器以及具有400nm以上且450nm以下的震蕩波長的藍色半導體激光器。為形成彩色圖像，可以使用能夠輸出多波束的面發射激光器作為光源。顯影裝置例如，顯影裝置11可以是使用顯影劑以接觸或非接觸方式進行顯影的常見顯影裝置。顯影裝置11的類型不受限，并且可以根據目的進行選擇。顯影裝置的示例包括已知的顯影裝置，其能夠使用刷子、輥等使單組分或雙組分顯影劑沉積在電子照相感光體7上。特別地，可以使用具有其上沉積有顯影劑的顯影輥的顯影裝置。顯影裝置11中包含的顯影劑可以是僅含調色劑的單組份顯影劑或者是含有調色劑和載體的雙組份顯影劑。顯影劑可以是磁性的或非磁性的。可以使用已知的顯影劑作為包含在顯影裝置11中的顯影劑。清潔裝置例如，清潔裝置13可以是具有清潔刮刀131的清潔刮刀型清潔裝置。清潔裝置13的類型不限于清潔刮刀型清潔裝置，也可以使用毛刷清潔型清潔裝置以及同時進行清潔和顯影的清潔裝置。轉印裝置例如，轉印裝置40可以是下列已知轉印充電器中的任意一種：接觸型轉印充電器，其包括帶、輥、薄膜、橡膠刮刀等；以及轉印充電器，例如利用電暈放電的格柵電暈管和電暈管。中間轉印體例如，中間轉印體50可以是帶形中間轉印體，也就是說含有聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡膠等并且呈半導電的中間轉印帶。中間轉印體不限于帶形中間轉印體，也可以是鼓形中間轉印體。圖4示意性地示出根據本示例性實施例的圖像形成裝置的另一個示例。圖4所示的圖像形成裝置120是具有四個處理盒300的串聯式多色圖像形成裝置。在圖像形成裝置120中，四個處理盒300彼此并列地設置在中間轉印體50上，并且一個電子照相感光體用于一種顏色。除圖像形成裝置120為串聯式以外，圖像形成裝置120與圖像形成裝置100的結構相同。根據本示例性實施例的圖像形成裝置的結構不限于上述結構。例如，第一電荷消除裝置可以沿電子照相感光體7的旋轉方向可選地設置在轉印裝置40下游且清潔裝置13上游的電子照相感光體7的周邊的位置，該第一電荷消除裝置使得留在電子照相感光體7上的調色劑的極性均勻以使得使用清潔刷容易去除剩余的調色劑。第二電荷消除裝置可以沿電子照相感光體7的旋轉方向設置在清潔裝置13下游且充電裝置8上游的電子照相感光體7的周邊的位置，該第二電荷消除裝置消除電子照相感光體7的表面上存在的電荷。根據本示例性實施例的圖像形成裝置的結構不限于上述結構，并且可以使用具有常用結構的任何圖像形成裝置。例如，可以采用電子照相感光體7上形成的調色劑圖像直接轉印到記錄介質上的直接轉印圖像形成裝置的結構。示例參照以下示例描述本發明的示例性實施例。然而，本發明不限于以下示例。導電基底導電基底1的制備在25℃下將鋁基底，即由鋁構成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導電基底浸入六甲基二硅氮烷(即硅氮烷，例示化合物s-1)3分鐘。使用己烷清潔用硅氮烷處理過的導電基底，即硅氮烷處理導電基底，接著在25℃下空氣干燥1小時以形成導電基底1。導電基底2的制備在50℃下將鋁基底，即由鋁構成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導電基底浸入含重量比為1:9的六甲基二硅氮烷(即硅氮烷，例示化合物s-1)和甲苯的液體混合物(即含硅氮烷液體混合物)中10分鐘。使用己烷清潔用硅氮烷處理過的導電基底，即硅氮烷處理導電基底，接著在25℃下空氣干燥1小時以形成導電基底2。導電基底3的制備在30℃下將鋁基底，即由鋁構成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導電基底浸入含重量比為1:9的n-甲基-n-三甲基甲硅烷基乙酰胺(即硅氮烷，例示化合物s-11)和甲苯的液體混合物(即含硅氮烷液體混合物)中5小時。使用己烷清潔用硅氮烷處理過的導電基底，即硅氮烷處理導電基底，接著在25℃下空氣干燥1小時以形成導電基底3。導電基底4的制備在60℃下將鋁基底，即由鋁構成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導電基底浸入含重量比為1:9:0.01的n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、甲苯和乙酸的液體混合物中2小時。使用己烷清潔用硅氮烷處理過的導電基底，即硅氮烷處理導電基底，接著在25℃下空氣干燥1小時以形成導電基底4。導電基底5的制備將鋁基底，即由鋁構成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導電基底浸入溫度為50℃的離子交換水中10分鐘以形成導電基底5。導電基底的測量測量導電基底1-5的水接觸角。具體地，在室溫下(25℃)將蒸餾水滴到各導電基底的表面，并在10秒后使用由協和界面科學公司(kyowainterfacescienceco.,ltd.)制造的接觸角測量儀“ca-x”測量導電基底的表面的所得液滴的接觸角。表1對結果進行了概括。表1單層型感光層的形成使用包括直徑為1mm的玻璃微珠的砂磨機將1.5重量份作為電荷產生材料的羥基鎵酞菁、49重量份由以下公式(p)表示的作為粘合劑樹脂的共聚聚碳酸酯樹脂(粘度平均分子量：50,000)、250重量份四氫呋喃以及20重量份甲苯的混合物分散3小時。接著，通過過濾將玻璃微珠從所得混合物中去除。由此，制備了分散液。所使用的羥基鎵酞菁在使用cukα輻射測得的x-射線衍射光譜中至少在布拉格角(2θ±0.2°)7.3°、16.0°、24.9°和28.0°下有衍射峰。表示以下公式(p)中的各結構單元的編號指結構單元的含量(即摩爾比)。向分散液中添加30重量份表2中所述的具體一種空穴傳輸材料、11重量份表2中所述的具體一種電子傳輸材料以及0.001重量份由信越化學工業公司(shin-etsuchemicalco.,ltd.)制造的硅油“kp340”。將所得混合物攪拌一整夜，即12小時以形成感光層形成涂布液。如表2所述，通過浸漬涂布將感光層形成涂布液涂敷到各導電基底上。在130℃下干燥1小時沉積的涂布液以形成厚度為22μm的單層型感光層。由此，制備的感光體。感光體的評價點狀圖像缺陷的評價使用各感光體，在30℃的室溫與85％的濕度下，使用由兄弟工業株式會社(brotherindustries,ltd.)制造的“hl-2360d”在6,000張紙上形成20％-中間色調圖像。經過10小時后，在另外10張紙上形成20％-中間色調圖像。經過10小時后，根據以下標準目測檢查10張紙中的第十張上形成的圖像上是否存在色斑。表2對結果進行了概括。a：存在色斑b：存在9個以下的色斑，從圖像質量的角度上來說可以接受c：存在10個以上的色斑，可能會阻礙感光體的使用表2示例感光體導電基底電子傳輸材料空穴傳輸材料評價結果示例1感光體111-23-1a示例2感光體221-33-1a示例3感光體331-53-1a示例4感光體411-3ht-1a示例5感光體511-5ht-1b示例6感光體622-1ht-4b示例7感光體732-2ht-4b比較示例1比較感光體151-23-1c比較示例2比較感光體251-3ht-4c比較示例3比較感光體352-23-1c比較示例4比較感光體441-23-1c以上結果證實，示例中制備的感光體，與使用比較示例中制備的比較感光體的情況相比，降低了點狀圖像缺陷的發生率。表2中使用的縮寫等表示如下：1-2：由通式(1)表示的電子傳輸材料的例示化合物(1-2)1-3：由通式(1)表示的電子傳輸材料的例示化合物(1-3)1-5：由通式(1)表示的電子傳輸材料的例示化合物(1-5)2-1：由通式(2)表示的電子傳輸材料的例示化合物(2-1)2-2：由通式(2)表示的電子傳輸材料的例示化合物(2-2)3-1：由通式(3)表示的空穴傳輸材料的例示化合物(3-1)ht-1：由通式(b-2)表示的化合物的例示化合物(ht-1)ht-4：由通式(b-1)表示的化合物的例示化合物(ht-4)為了進行圖示和說明，以上對本發明的示例性實施例進行了描述。其目的并不在于全面詳盡地描述本發明或將本發明限定于所公開的具體形式。很顯然，對本
技術領域：
的技術人員而言，可以做出許多修改以及變形。本實施例的選擇和描述，其目的在于以最佳方式解釋本發明的原理及其實際應用，從而使得本
技術領域：
的其他熟練技術人員能夠理解本發明的各種實施例，并做出適合特定用途的各種變形。本發明的范圍由與本說明書一起提交的權利要求書及其等同物限定。當前第1頁12