殺菌鍍膜膜層結構及方法與流程

本發明涉及透光元件表面鍍膜技術領域，具體地說，涉及一種殺菌鍍膜膜層結構及方法。

背景技術：

在對如各種顯示器的面板、光學儀器中的透光元件來說，由于其大多是直接暴露在外界環境中的，因此均對抗菌性能有所需求。另一方面，由于透光元件表面的反射，不僅會影響其通光能量，而且還會形成雜散光，進而會對透光效果造成影響。現有技術中，缺乏一種能夠用在透光元件表面的兼具殺菌和增透效果的如膜層結構。

技術實現要素：

本發明提供了一種殺菌鍍膜膜層結構，其能夠克服現有技術的某種或某些缺陷。

根據本發明的殺菌鍍膜膜層結構，其包括用于設于基體表面的膜層本體，膜層本體包括至少一層膜層單元，膜層單元包括在遠離基體表面的方向上依次層疊的膜層單元組件層A和膜層單元組件層B，膜層單元組件層A的材質為二氧化硅，膜層單元組件層B的材質為氯化銀。

本發明的殺菌鍍膜膜層結構中，膜層單元組件層B的材質為氯化銀，使得膜層單元組件層B會存在微量的銀離子，該微量的銀離子可以破壞細菌的蛋白質，因而有很強殺菌作用，而且相對于其他重金屬銀對人體的危害較小。

作為優選，所述至少一層膜層單元的數量為3個，分別為在遠離基體表面的方向上依次層疊第一膜層單元、第二膜層單元和第三膜層單元。

作為優選，第一膜層單元包括第一膜層單元組件層A和第一膜層單元組件層B，第一膜層單元組件層A的厚度為95.42nm，和第一膜層單元組件層B的厚度為5.46nm；

第二膜層單元包括第二膜層單元組件層A和第二膜層單元組件層B，第二膜層單元組件層A的厚度為61.46nm，第二膜層單元組件層B的厚度為34.88nm；

第三膜層單元包括第三膜層單元組件層A和第三膜層單元組件層B，第三膜層單元組件層A的厚度為16.40nm，第三膜層單元組件層B的厚度為69.91nm。

本發明的殺菌鍍膜膜層結構中，通過設置3層膜層單元，并使得該3層膜層單元的構造為上述方式，使得該膜層本體能夠具備較佳的增透效果，其對可見光的反射率基本在0.5％左右。

本發明還提供了一種殺菌鍍膜方法，其能夠克服現有技術的某種或某些缺陷。

根據本發明的殺菌鍍膜方法，其包括以下步驟：

(1)在基體表面鍍一層第一膜層單元組件層A，第一膜層單元組件層A的材質為二氧化硅、厚度為95.42nm；

(2)在第一膜層單元組件層A表面鍍一層第一膜層單元組件層B，第一膜層單元組件層B的材質為氯化銀、厚度為5.46nm；

(3)在第一膜層單元組件層B表面鍍一層第二膜層單元組件層A，第二膜層單元組件層A的材質為二氧化硅、厚度為61.46nm；

(4)在第二膜層單元組件層A表面鍍一層第二膜層單元組件層B，第二膜層單元組件層B的材質為氯化銀、厚度為34.88nm；

(5)在第二膜層單元組件層B表面鍍一層第三膜層單元組件層A，第三膜層單元組件層A的材質為二氧化硅、厚度為16.40nm；

(6)在第三膜層單元組件層A表面鍍一層第三膜層單元組件層B，第三膜層單元組件層B的材質為氯化銀、厚度為69.91nm。

作為優選，步驟(1)～(6)中的鍍膜方法采用蒸發鍍膜方法或磁控濺射鍍膜方法。

通過本發明的殺菌鍍膜方法，使得能夠較佳的基體表面形成一層膜層本體，且該膜層本體能夠同時兼具較佳的殺菌能力和較佳的增透效果。

附圖說明

圖1為實施例1中的一種殺菌鍍膜膜層結構的示意圖；

圖2為實施例1中的膜層本體對不同波長光線的反射率關系圖。

圖2中，橫軸為波長(nm)，縱軸為反射率(％)。

具體實施方式

為進一步了解本發明的內容，結合附圖和實施例對本發明作詳細描述。應當理解的是，實施例僅僅是對本發明進行解釋而并非限定。

實施例1

如圖1所示，本實施例提供了一種殺菌鍍膜膜層結構，其特征在于：包括用于設于基體110表面的膜層本體120，膜層本體120包括至少一層膜層單元，膜層單元包括在遠離基體110表面的方向上依次層疊的膜層單元組件層A和膜層單元組件層B，膜層單元組件層A的材質為二氧化硅，膜層單元組件層B的材質為氯化銀。

本實施例中，膜層單元的數量為3個，分別為在遠離基體110表面的方向上依次層疊第一膜層單元、第二膜層單元和第三膜層單元。

第一膜層單元包括第一膜層單元組件層A121和第一膜層單元組件層B122，第一膜層單元組件層A121的厚度為95.42nm，和第一膜層單元組件層B122的厚度為5.46nm。

第二膜層單元包括第二膜層單元組件層A123和第二膜層單元組件層B124，第二膜層單元組件層A123的厚度為61.46nm，第二膜層單元組件層B124的厚度為34.88nm。

第三膜層單元包括第三膜層單元組件層A125和第三膜層單元組件層B126，第三膜層單元組件層A125的厚度為16.40nm，第三膜層單元組件層B126的厚度為69.91nm。

如圖2所示，本實施例中的膜層本體120在可見光的范圍內均具備較低的反射率，尤其是在常見光的范圍內，反射率能夠保持在0.5％左右。

實施例2

本實施例提供了一種殺菌鍍膜方法，其包括以下步驟：

1、在基體表面鍍一層第一膜層單元組件層A121，第一膜層單元組件層A121的材質為二氧化硅、厚度為95.42nm；

2、在第一膜層單元組件層A121表面鍍一層第一膜層單元組件層B122，第一膜層單元組件層B122的材質為氯化銀、厚度為5.46nm；

3、在第一膜層單元組件層B122表面鍍一層第二膜層單元組件層A123，第二膜層單元組件層A123的材質為二氧化硅、厚度為61.46nm；

4、在第二膜層單元組件層A123表面鍍一層第二膜層單元組件層B124，第二膜層單元組件層B124的材質為氯化銀、厚度為34.88nm；

5、在第二膜層單元組件層B124表面鍍一層第三膜層單元組件層A125，第三膜層單元組件層A125的材質為二氧化硅、厚度為16.40nm；

6、在第三膜層單元組件層A125表面鍍一層第三膜層單元組件層B126，第三膜層單元組件層B126的材質為氯化銀、厚度為69.91nm。

本實施例中，步驟1～6中的鍍膜方法能夠采用蒸發鍍膜方法或磁控濺射鍍膜方法。

以上示意性的對本發明及其實施方式進行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本發明的實施方式之一，實際的結構并不局限于此。所以，如果本領域的普通技術人員受其啟示，在不脫離本發明創造宗旨的情況下，不經創造性的設計出與該技術方案相似的結構方式及實施例，均應屬于本發明的保護范圍。