一種內嵌式觸控測試電路的制作方法

本發明涉及觸控技術領域，尤其涉及一種內嵌式觸控測試電路。

背景技術：

相對于傳統的將觸摸面板設置在液晶面板上的技術，將觸摸面板功能和液晶面板一體化的研究日漸盛行，于是，出現了內嵌式觸摸屏。內嵌式觸摸屏技術包括in-cell和on-cell兩種。In-cell觸摸屏技術是指將觸摸面板功能嵌入到液晶像素中，而on-cell觸摸屏技術是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光片之間。與on-cell觸摸屏相比，in-cell觸摸屏能夠實現面板的二更輕薄化。

在in-cell觸摸屏技術中，在cell(組立制程)階段，一般只對觸摸屏的顯示功能進行測試，而沒有對觸摸屏的觸控功能進行測試。觸控功能需要等到綁定芯片和排線后再進行測試，這樣使得觸控不良的觸摸屏在cell階段不能篩選出來，進而造成芯片和排線等物料的浪費，降低生產效率。

故，有必要提供一種內嵌式觸控測試電路，以解決現有技術所存在的問題。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種內嵌式觸控測試電路，以解決現有的觸摸屏在cell階段不能進行觸摸功能測試，需要綁定芯片和排線等物料后才能進行測試，進而造成物料浪費，生產效率降低的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明實施例提供一種內嵌式觸控測試電路，其包括：

陣列排布的觸控電極，每個觸控電極都與相應的第一薄膜晶體管的源極連接，其中，每一行有n個觸控電極，每一列有m個觸控電極；

電容耦合模塊，其與觸控電極耦合連接，用于觸發觸控電極生成觸控信號；

第一開關模塊，其包括一個第一輸入端、a個第一控制端和n個第一輸出端，第一控制端與相應的第一控制信號源連接，第一輸入端與恒壓高電平源連接，第一輸出端與相應的第一薄膜晶體管的柵極連接，用于受第一控制信號源提供的第一控制信號的控制將恒壓高電平源提供的恒壓高電平傳輸至第一薄膜晶體管的柵極，將其中一列觸控電極生成的觸控信號傳輸到相應的第一薄膜晶體管的漏極；

第二開關模塊，其包括m個第二輸入端，b個第二控制端和一個第二輸出端，第二輸入端與相應的第一薄膜晶體管的漏極連接，第二控制端與相應的第二控制信號源連接，第二輸出端與觸控信號采集端子連接，用于受第二控制信號源提供的第二控制信號的控制將其中一列觸控電極生成的觸控信號逐個輸出至觸控信號采集端子上；

其中，n、m、a和b為正整數，n小于等于2^a，m小于等于2^b。

在本發明的內嵌式觸控測試電路中，電容耦合模塊包括：

恒壓電源，用于提供恒壓電平；

掃描線輸入信號源，用于提供掃描線輸入信號；

掃描線控制信號源，用于提供掃描線控制信號；以及，

控制單元，用于接收掃描線輸入信號，并受掃描線控制信號的控制輸出掃描線輸入信號；其中，

恒壓電源與數據線連接，掃描線輸入信號源與控制單元的輸入端連接，掃描線控制信號源與控制單元的控制端連接，控制單元的輸出端與掃描線連接。

在本發明的內嵌式觸控測試電路中，控制單元包括多個第二薄膜晶體管，每個第二薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號源連接，每個第二薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號源連接，每個第二薄膜晶體管的漏極與相應的掃描線連接。

在本發明的內嵌式觸控測試電路中，第一開關模塊包括多個第三薄膜晶體管，每個第一薄膜晶體管的柵極與a個串聯的第三薄膜晶體管連接。

在本發明的內嵌式觸控測試電路中，第二開關模塊包括多個第四薄膜晶體管，每個第一薄膜晶體管的漏極與b個串聯的第四薄膜晶體管連接。

本發明還提供一種內嵌式觸控測試電路，其包括：

陣列排布的觸控電極，每個觸控電極都與相應的第一薄膜晶體管的源極連接，其中，每一行有n個觸控電極，每一列有m個觸控電極；

電容耦合模塊，其與觸控電極耦合連接，用于觸發觸控電極生成觸控信號；

第一開關模塊，其包括一個第一輸入端、a個第一控制端和n個第一輸出端，第一控制端與相應的第一控制信號源連接，第一輸入端與恒壓高電平源連接，第一輸出端與相應的第一薄膜晶體管的柵極連接，用于受第一控制信號源提供的第一控制信號的控制將恒壓高電平源提供的恒壓高電平傳輸至第一薄膜晶體管的柵極，將其中一列觸控電極生成的觸控信號傳輸到相應的第一薄膜晶體管的漏極；

第二開關模塊，其包括m個第二輸入端，b個第二控制端和一個第二輸出端，第二輸入端與相應的第一薄膜晶體管的漏極連接，第二控制端與相應的第二控制信號源連接，第二輸出端與觸控信號采集端子連接，用于受第二控制信號源提供的第二控制信號的控制將其中一列觸控電極生成的觸控信號逐個輸出至觸控信號采集端子上；

其中，n、m、a和b為正整數，n小于等于2^a，m小于等于2^(b+1)。

在本發明的內嵌式觸控測試電路中，電容耦合模塊包括：

恒壓電源，用于提供恒壓電平；

掃描線輸入信號源，用于提供掃描線輸入信號；

掃描線控制信號源，用于提供掃描線控制信號；以及，

控制單元，用于接收掃描線輸入信號，并受掃描線控制信號的控制輸出掃描線輸入信號；其中，

恒壓電源與數據線連接，掃描線輸入信號源與控制單元的輸入端連接，掃描線控制信號源與控制單元的控制端連接，控制單元的輸出端與掃描線連接。

在本發明的內嵌式觸控測試電路中，控制單元包括多個第二薄膜晶體管，每個第二薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號源連接，每個第二薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號源連接，每個第二薄膜晶體管的漏極與相應的掃描線連接。

在本發明的內嵌式觸控測試電路中，第一開關模塊包括多個第三薄膜晶體管，每個第一薄膜晶體管的柵極與a個串聯的第三薄膜晶體管連接。

在本發明的內嵌式觸控測試電路中，第二開關模塊包括多個第四薄膜晶體管，每個第一薄膜晶體管的漏極與b個串聯的第四薄膜晶體管連接。

本發明的內嵌式觸控測試電路通過電容耦合模塊觸發觸控電極生成觸控信號，并通過第一開關模塊和第二開關模塊逐個采集每個觸控電極生成的觸控信號，將采集到的觸控信號進行對比，從而完成觸摸屏的出品功能測試；解決了現有的觸摸屏的觸控功能需要等到綁定芯片和排線后再進行測試，使得觸控不良的觸摸屏在cell階段不能篩選出來，進而造成芯片和排線等物料的浪費，降低生產效率的技術問題。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發明的具體實施方式詳細描述，將使本發明的技術方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發明的內嵌式觸控測試電路的第一優選實施例的結構示意圖；

圖2為本發明的內嵌式觸控測試電路的第一優選實施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

圖3為本發明的內嵌式觸控測試電路的第一優選實施例的第一開關模塊和第二開關模塊的電路原理圖；

圖4為本發明的內嵌式觸控測試電路的第二優選實施例的結構示意圖；

圖5為本發明的內嵌式觸控測試電路的第二優選實施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

圖6為本發明的內嵌式觸控測試電路的第二優選實施例的第一開關模塊和第二開關模塊的電路原理圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。

需要說明的是，本發明的內嵌式觸控測試電路的實施例以4*4的矩陣觸控電極為例,本領域技術人員根據以下教導和啟示可以類推出觸摸屏的所有觸控電極的電路連接關系。

參閱圖1，圖1為本發明的內嵌式觸控測試電路的第一優選實施例的結構示意圖；

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，包括：

陣列排布的觸控電極，每個觸控電極都與相應的第一薄膜晶體管的源極連接，其中，每一行有4個觸控電極，每一列有4個觸控電極；

電容耦合模塊109，其與觸控電極耦合連接，用于觸發觸控電極生成觸控信號；

第一開關模塊104，其包括一個第一輸入端、2個第一控制端和4個第一輸出端，第一控制端與相應的第一控制信號源連接，第一輸入端與恒壓高電平源101連接，第一輸出端與相應的第一薄膜晶體管的柵極連接，用于受第一控制信號源提供的第一控制信號的控制將恒壓高電平源101提供的恒壓高電平傳輸至第一薄膜晶體管的柵極，將其中一列觸控電極生成的觸控信號傳輸到相應的第一薄膜晶體管的漏極；

第二開關模塊108，其包括4個第二輸入端、2個第二控制端和一個第二輸出端，第二輸入端與相應的第一薄膜晶體管的漏極連接，第二控制端與相應的第二控制信號源連接，第二輸出端與觸控信號采集端子連接，用于受第二控制信號源提供的第二控制信號的控制將其中一列觸控電極生成的觸控信號逐個輸出至觸控信號采集端子107上。

特別地，本優選實施例的第一開關模塊104的2個第一控制信號源和第二開關模塊108的2個控制信號源最多可以控制16個觸控電極上生成的觸控信號的逐一采集。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，第一開關模塊104上的2個第一控制信號源包括：第一個第一控制信號源102和第二個第一控制信號源103；第二開關模塊108上的2個第二控制信號源包括：第一個第二控制信號源105和第二個第二控制信號源106。

參閱圖2，圖2為本發明的內嵌式觸控測試電路的第一優選實施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，電容耦合模塊109包括：恒壓電源113、掃描線輸入信號源112、掃描線控制信號源111以及控制單元110。恒壓電源113，用于提供恒壓電平；掃描線輸入信號源112，用于提供掃描線輸入信號；掃描線控制信號源111，用于提供掃描線控制信號；控制單元110，用于接收掃描線輸入信號，并受掃描線控制信號的控制輸出掃描線輸入信號；

其中，恒壓電源113與數據線116連接，掃描線輸入信號源112與控制單元110的輸入端連接，掃描線控制信號源111與控制單元110的控制端連接，控制單元110的輸出端與掃描線連接115。

具體地，控制單元110包括12個第二薄膜晶體管T17～T28，一條掃描線115對應一個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號源111連接，每個薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號源112連接，每個薄膜晶體管的漏極與相應的掃描線115連接。

參閱圖3，圖3為本發明的內嵌式觸控測試電路的第一優選實施例的第一開關模塊和第二開關模塊的電路原理圖；

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，第一開關模塊104包括8個第三薄膜晶體管，每個第一薄膜晶體管的柵極與2個串聯的第三薄膜晶體管連接；

具體地，第三薄膜晶體管T29和T30串聯，第三薄膜晶體管T29的源極與恒壓高電平源101連接，第三薄膜晶體管T30的漏極與第一薄膜晶體管T13、T14、T15和T16的柵極連接；

第三薄膜晶體管T31和T32串聯，第三薄膜晶體管T31的源極與恒壓高電平源101連接，第三薄膜晶體管T32的漏極與第一薄膜晶體管T9、T10、T11和T12的柵極連接；

第三薄膜晶體管T33和T34串聯，第三薄膜晶體管T33的源極與恒壓高電平源101連接，第三薄膜晶體管T34的漏極與第一薄膜晶體管T5、T6、T7和T8的柵極連接；

第三薄膜晶體管T35和T36串聯，第三薄膜晶體管T35的源極與恒壓高電平源101連接，第三薄膜晶體管T36的漏極與第一薄膜晶體管T1、T2、T3和T4的柵極連接。

第一個第一控制信號源102與第三薄膜晶體管T29、T31、T33、T35的柵極連接；第二個第一控制信號源103與第三薄膜晶體管T30、T32、T34、T36的柵極連接。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，第二開關模塊108包括8個第四薄膜晶體管，每個第一薄膜晶體管的漏極與2個串聯的第四薄膜晶體管連接；

具體地，第四薄膜晶體管T37和T38串聯，第四薄膜晶體管T38的源極與第一薄膜晶體管T1、T5、T9、T13連接，第四薄膜晶體管T37的漏極與觸控信號采集端子107連接；

第四薄膜晶體管T39和T40串聯，第四薄膜晶體管T40的源極與第一薄膜晶體管T2、T6、T10、T14連接，第四薄膜晶體管T40的漏極與觸控信號采集端子107連接；

第四薄膜晶體管T41和T42串聯，第四薄膜晶體管T42的源極與第一薄膜晶體管T3、T7、T11、T15連接，第四薄膜晶體管T42的漏極與觸控信號采集端子107連接；

第四薄膜晶體管T43和T44串聯，第四薄膜晶體管T44的源極與第一薄膜晶體管T4、T8、T12、T16連接，第四薄膜晶體管T44的漏極與觸控信號采集端子107連接；

第一個第二控制信號源105與第四薄膜晶體管T37、T39、T41、T43的柵極連接；第二個第二控制信號源106與第四薄膜晶體管T38、T40、T42、T44的柵極連接。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，第一薄膜晶體管T1～T16、第二薄膜晶體管T17～T28、第三薄膜晶體管T32、T33、T35和T36、第四薄膜晶體管T40、T41、T43和T44為N型薄膜晶體管；第三薄膜晶體管T29、T30、T31和T34、第四薄膜晶體管T37、T38、T39和T42為P型薄膜晶體管。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路使用時，首先，恒壓電源113提供0V電壓至數據線116上，防止數據線對觸控電極發出電性干擾；隨后，掃描線控制信號源111提供高電位的掃描線控制信號至薄膜晶體管T17～T28，掃描線輸入信號源112提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號經薄膜晶體管T17～T28傳至掃描線上，由于掃描線115和觸控電極之間的電容耦合效應，進而觸發觸控電極生成觸控信號。

接著，第一個第一控制信號源102和第二個第一控制信號源103提供高電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管T35、T36打開，將恒壓高電平源101提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管T1、T2、T3和T4的柵極，第一薄膜晶體管T1、T2、T3和T4打開，第一、二、三和四個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管T1、T2、T3和T4的漏極；

此時，當第一個第二控制信號105源和第二個第二控制信號源106提供低電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T37、T38打開，第一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105提供低電位的控制信號，第二個第二控制信號源106提供高電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T39、T40打開，第二個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105提供高電位的控制信號，第二個第二控制信號源106提供低電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T41、T42打開，第三個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105和第二個第二控制信號源106提供高電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T43、T44打開，第四個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上。

下一時刻，第一個第一控制信號源102提供高電位的控制信號，第二個第一控制信號源103提供低電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管T33、T34打開，將恒壓高電平源101提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管T5、T6、T7和T8的柵極，第一薄膜晶體管T5、T6、T7和T8打開，第五、六、七和八個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管T5、T6、T7和T8的漏極；

此時，當第一個第二控制信號源105和第二個第二控制信號源106提供低電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T37、T38打開，第五個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上107；

當第一個第二控制信號源105提供低電位的控制信號，第二個第二控制信號源106提供高電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T39、T40打開，第六個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105提供高電位的控制信號，第二個第二控制信號源106提供低電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T41、T42打開，第七個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105和第二個第二控制信號源106提供高電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T43、T44打開，第八個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上。

下一時刻，第一個第一控制信號源102提供低電位的控制信號，第二個第一控制信號源提供高電位的控制信號103，串聯的第三薄膜晶體管T31、T32打開，將恒壓高電平源101提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管T9、T10、T11和T12的柵極，第一薄膜晶體管T9、T10、T11和T12打開，第九、十、十一和十二個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管T9、T10、T11和T12的漏極；

此時，當第一個第二控制信號源105和第二個第二控制信號源106提供低電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T37、T38打開，第九個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上；

當第一個第二控制信號源105提供低電位的控制信號，第二個第二控制信號源106提供高電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T39、T40打開，第十個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105提供高電位的控制信號，第二個第二控制信號源106提供低電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T41、T42打開，第十一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105和第二個第二控制信號源106提供高電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T43、T44打開，第十二個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上。

下一時刻，第一個第一控制信號源102和第二個第一控制信號源103提供低電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管T29、T30打開，將恒壓高電平源101提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管T13、T14、T15和T16的柵極，第一薄膜晶體管T13、T14、T15和T16打開，第十三、十四、十五和十六個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管T13、T14、T15和T16的漏極；

此時，當第一個第二控制信號源105和第二個第二控制信號源106提供低電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T37、T38打開，第十三個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105提供低電位的控制信號，第二個第二控制信號源106提供高電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T39、T40打開，第十四個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105提供高電位的控制信號，第二個第二控制信號源106提供低電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T41、T42打開，第十五個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上；

當第一個第二控制信號源105和第二個第二控制信號源106提供高電位的控制信號，串聯的第四薄膜晶體管T43、T44打開，第十六個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子107上。

最后，將采集到的觸控信號進行對比，若采集到的所有觸控信號的波形一致，則此觸摸屏為良品；若某個觸控信號跟其他觸控信號的波形差異較大，則可推斷出此觸控電極出現了短路、開路。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路通過電容耦合模塊109觸發觸控電極生成觸控信號，并通過第一開關模塊104和第二開關模塊108逐個采集每個觸控電極生成的觸控信號，將采集到的觸控信號進行對比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測試，避免造成芯片和排線等物料的浪費，提高了生產效率。

參閱圖4，圖4為本發明的內嵌式觸控測試電路的第二優選實施例的結構示意圖；

本優選實施例與第一優選實施例的區別在于，減少了一個控制信號源的使用，由于每個控制信號源都需要在觸摸屏邊框上預留位置，減少控制信號源的使用有利于邊框的窄型化。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，包括：

陣列排布的觸控電極，每個觸控電極都與相應的第一薄膜晶體管的源極連接，其中，每一行有4個觸控電極，每一列有4個觸控電極；

電容耦合模塊209，其與觸控電極耦合連接，用于觸發觸控電極生成觸控信號；

第一開關模塊204，其包括一個第一輸入端、2個第一控制端和4個第一輸出端，第一控制端與相應的第一控制信號源連接，第一輸入端與恒壓高電平源201連接，第一輸出端與相應的第一薄膜晶體管的柵極連接，用于受第一控制信號源提供的第一控制信號的控制將恒壓高電平源201提供的恒壓高電平傳輸至第一薄膜晶體管的柵極，將其中一列觸控電極生成的觸控信號傳輸到相應的第一薄膜晶體管的漏極；

第二開關模塊208，其包括4個第二輸入端、1個第二控制端和一個第二輸出端，第二輸入端與相應的第一薄膜晶體管的漏極連接，第二控制端與相應的第二控制信號源連接，第二輸出端與觸控信號采集端子連接，用于受第二控制信號源提供的第二控制信號的控制將其中一列觸控電極生成的觸控信號逐個輸出至觸控信號采集端子207上。

特別地，本優選實施例的第一開關模塊204的2個第一控制信號源和第二開關模塊208的1個控制信號源最多可以控制16個觸控電極上生成的觸控信號的逐一采集。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，第一開關模塊204上的2個第一控制信號源包括：第一個第一控制信號源202和第二個第一控制信號源203；第二開關模塊208上的1個第二控制信號源205。

參閱圖5，圖5為本發明的內嵌式觸控測試電路的第二優選實施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，電容耦合模塊209包括：恒壓電源213、掃描線輸入信號源212、掃描線控制信號源211以及控制單元210。恒壓電源213，用于提供恒壓電平；掃描線輸入信號源212，用于提供掃描線輸入信號；掃描線控制信號源211，用于提供掃描線控制信號；控制單元210，用于接收掃描線輸入信號，并受掃描線控制信號的控制輸出掃描線輸入信號；

其中，恒壓電源213與數據線216連接，掃描線輸入信號源212與控制單元210的輸入端連接，掃描線控制信號源211與控制單元210的控制端連接，控制單元210的輸出端與掃描線連接215。

具體地，控制單元210包括12個第二薄膜晶體管D17～D28，一條掃描線215對應一個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號源211連接，每個薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號源212連接，每個薄膜晶體管的漏極與相應的掃描線215連接。

參閱圖6，圖6為本發明的內嵌式觸控測試電路的第二優選實施例的第一開關模塊和第二開關模塊的電路原理圖；

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，第一開關模塊204包括8個第三薄膜晶體管，每個第一薄膜晶體管的柵極與2個串聯的第三薄膜晶體管連接；

具體地，第三薄膜晶體管D29和D30串聯，第三薄膜晶體管D29的源極與恒壓高電平源201連接，第三薄膜晶體管D30的漏極與第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16的柵極連接；

第三薄膜晶體管D31和D32串聯，第三薄膜晶體管D31的源極與恒壓高電平源201連接，第三薄膜晶體管D32的漏極與第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12的柵極連接；

第三薄膜晶體管D33和D34串聯，第三薄膜晶體管D33的源極與恒壓高電平源201連接，第三薄膜晶體管D34的漏極與第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8的柵極連接；

第三薄膜晶體管D35和D36串聯，第三薄膜晶體管D35的源極與恒壓高電平源201連接，第三薄膜晶體管D36的漏極與第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4的柵極連接。

第一個第一控制信號源202與第三薄膜晶體管D29、D31、D33、D35的柵極連接；第二個第一控制信號源203與第三薄膜晶體管D30、D32、D34、D36的柵極連接。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，第二開關模塊208包括4個第四薄膜晶體管，每個第一薄膜晶體管的漏極與1個第四薄膜晶體管連接；

具體地，第四薄膜晶體管D37的源極與第一薄膜晶體管D1、D5、D9、D13連接，第四薄膜晶體管D37的漏極與觸控信號采集端子207連接；

第四薄膜晶體管D38的源極與第一薄膜晶體管D2、D6、D10、D14連接，第四薄膜晶體管D38的漏極與觸控信號采集端子207連接；

第四薄膜晶體管D39與第一薄膜晶體管D3、D7、D11、D15連接，第四薄膜晶體管D39的漏極與觸控信號采集端子207連接；

第四薄膜晶體管D40與第一薄膜晶體管D4、D8、D12、D16連接，第四薄膜晶體管D40的漏極與觸控信號采集端子207連接；

第二控制信號源205與第四薄膜晶體管D37、D38、D39、D40的柵極連接。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路，第一薄膜晶體管D1～D16、第二薄膜晶體管D23～D28、第三薄膜晶體管D32、D33、D35和D36、第四薄膜晶體管D38和D40為N型薄膜晶體管；第二薄膜晶體管D17～D22、第三薄膜晶體管D29、D30、D31和D34、第四薄膜晶體管D37和D39為P型薄膜晶體管。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路使用時，首先，恒壓電源213提供0V電壓至數據線216上，防止數據線對觸控電極發出電性干擾；隨后，掃描線控制信號源211提供高電位的掃描線控制信號至薄膜晶體管D17～D28，掃描線輸入信號源212提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號經薄膜晶體管D23～D28傳至掃描線上，由于掃描線215和觸控電極之間的電容耦合效應，進而觸發第一、二、五、六、九、十、十三、十四個觸控電極生成觸控信號。

接著，第一個第一控制信號源202和第二個第一控制信號源203提供高電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管D35、D36打開，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4的柵極，第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4打開，第一、二個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管D1和D2的漏極；

此時，當第二控制信號205源提供低電位的控制信號，第四薄膜晶體管D37打開，第一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上；

當第二控制信號源205提供高電位的控制信號，第四薄膜晶體管D38打開，第二個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上。

下一時刻，第一個第一控制信號源202提供高電位的控制信號，第二個第一控制信號源203提供低電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管D33、D34打開，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8的柵極，第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8打開，第五、六個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管D5和D6的漏極；

此時，當第二控制信號源205提供低電位的控制信號，第四薄膜晶體管D37打開，第五個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上207；

當第二控制信號源205提供高電位的控制信號，第四薄膜晶體管D38打開，第六個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上。

下一時刻，第一個第一控制信號源202提供低電位的控制信號，第二個第一控制信號源203提供高電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管D31、D32打開，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12的柵極，第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12打開，第九、十個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管D9和D10的漏極；

此時，當第二控制信號源205提供低電位的控制信號，第四薄膜晶體管D37打開，第九個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上207；

當第二控制信號源205提供高電位的控制信號，第四薄膜晶體管D38打開，第十個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上。

下一時刻，第一個第一控制信號源202和第二個第一控制信號源203提供低電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管D29、D30打開，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16的柵極，第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16打開，第十三、十四個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管D13和D14的漏極；

此時，當第二控制信號源205提供低電位的控制信號，第四薄膜晶體管D37打開，第十三個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上207；

當第二控制信號源205提供高電位的控制信號，第四薄膜晶體管D38打開，第十四個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上。

然后，掃描線控制信號源211提供低電位的掃描線控制信號至薄膜晶體管D17～D28，掃描線輸入信號源212提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號經薄膜晶體管D17～D22傳至掃描線上，由于掃描線215和觸控電極之間的電容耦合效應，進而觸發第三、四、七、八、十一、十二、十五、十六個觸控電極生成觸控信號。

接著，第一個第一控制信號源202和第二個第一控制信號源203提供高電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管D35、D36打開，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4的柵極，第一薄膜晶體管D1、D2、D3和D4打開，第三、四個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管D3和D4的漏極；

此時，當第二控制信號205源提供低電位的控制信號，第四薄膜晶體管D39打開，第三個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上；

當第二控制信號源205提供高電位的控制信號，第四薄膜晶體管D40打開，第四個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上。

下一時刻，第一個第一控制信號源202提供高電位的控制信號，第二個第一控制信號源203提供低電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管D33、D34打開，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8的柵極，第一薄膜晶體管D5、D6、D7和D8打開，第七、八個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管D7和D8的漏極；

此時，當第二控制信號源205提供低電位的控制信號，第四薄膜晶體管D39打開，第七個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上207；

當第二控制信號源205提供高電位的控制信號，第四薄膜晶體管D40打開，第八個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上。

下一時刻，第一個第一控制信號源202提供低電位的控制信號，第二個第一控制信號源203提供高電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管D31、D32打開，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12的柵極，第一薄膜晶體管D9、D10、D11和D12打開，第十一、十為個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管D11和D12的漏極；

此時，當第二控制信號源205提供低電位的控制信號，第四薄膜晶體管D39打開，第十一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上207；

當第二控制信號源205提供高電位的控制信號，第四薄膜晶體管D40打開，第十二個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上。

下一時刻，第一個第一控制信號源202和第二個第一控制信號源203提供低電位的控制信號，串聯的第三薄膜晶體管D29、D30打開，將恒壓高電平源201提供的恒壓高電位傳至第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16的柵極，第一薄膜晶體管D13、D14、D15和D16打開，第十五、十六個電極上的觸控信號傳至第一薄膜晶體管D15和D16的漏極；

此時，當第二控制信號源205提供低電位的控制信號，第四薄膜晶體管D39打開，第十五個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上207；

當第二控制信號源205提供高電位的控制信號，第四薄膜晶體管D40打開，第十六個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子207上。

最后，將采集到的觸控信號進行對比，若采集到的所有觸控信號的波形一致，則此觸摸屏為良品；若某個觸控信號跟其他觸控信號的波形差異較大，則可推斷出此觸控電極出現了短路、開路。

本優選實施例的內嵌式觸控測試電路通過電容耦合模塊209觸發觸控電極生成觸控信號，并通過通過第一開關模塊204和第二開關模塊208逐個采集每個觸控電極生成的觸控信號，將采集到的觸控信號進行對比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測試，避免造成芯片和排線等物料的浪費，提高了生產效率。

綜上，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。