偏光掩膜的制作方法與工藝

本申請涉及一種偏光掩膜，以及一種用于制造光學器件的設備和方法。

背景技術：
光學器件，如延遲膜或偏光片可以，例如，在顯示器件中用于調節光的性質，或者在建筑物或汽車中用作包括窗戶或遮光物的多種用途。如本領域所公知的，這樣的光學器件包括通過在聚合物膜(如PVA(聚乙烯醇)膜)上吸收和取向二色性染料而得到的膜、采用液晶化合物和二色性染料制造的膜、通過拉伸的方法而被賦予光學各向異性的膜或者采用液晶化合物而被賦予光學各向異性的膜。[現有技術文獻][專利文獻](專利文獻1)韓國未審查專利申請公開第2008-0077975號(專利文獻2)韓國專利第0364504號(專利文獻3)美國專利第5,707,566號。

技術實現要素：
[技術問題]本申請提供一種偏光掩膜，以及一種制造光學器件的設備和方法。[技術方案]本申請的一個方面提供一種包含光學層的光學器件。在本申請中，所述術語“光學層”可包括形成以實施所需光學功能(例如，入射光的相位延遲或者狀態(如偏振態)的改變)的所有類型的層。所述光學層可包含其中光軸或光吸收軸在一個方向偏移的區域(下文中稱之為偏移區域)。在本申請中，所述術語“光軸”可指的是在各向異性區域中的慢軸或快軸。在所述光學層的偏移區域中，所述光軸或光吸收軸的方向可以連續變化。所述光軸或光吸收軸的方向的連續變化可表示由所述光軸或光吸收軸所形成的角度可在一個方向上增大或減小。圖1為顯示了一個示例性光學層的上部形狀的示意圖。在圖1中，雙箭頭代表了所述光學層的光軸或光吸收軸。在圖1中，當在逆時針方向測量時，由所述光軸或光吸收軸所形成的角度趨向于在一個方向(即如圖1所示，由頂部跨越至底部的方向)上增大。在所述偏移區域中，所述光軸或光吸收軸的平均變化率可由以下方程式1所確定。[方程式1]V＝360/P在方程式1中，V代表了平均變化率，以及P代表了所述偏移區域的間距。在本申請中，所述術語“偏移區域的間距”指的是在一個方向測得的、在偏移區域中實現所述光軸或光吸收軸的360度旋轉所需要的長度，所述偏移區域為由所述光軸或光吸收軸所形成的角度在一個方向上連續增大或減小的區域。除非在本申請中另有明確定義，否則可采用毫米(mm)來作為長度的單位。因此，在方程式1中所述平均變化率V的單位可以是度/mm。例如，圖2為顯示當以逆時針方向測量時，由所述光軸或光吸收軸所形成的角度在一個方向(即如圖2所示，由頂部跨越至底部的方向)上連續減小的區域的圖。在圖2中，所述區域的間距，即在一個方向測得的、實現所述光軸或光吸收軸的360度旋轉所需要的距離，由P所代表。在一個偏移區域中，當未實現所述光軸或光吸收軸的360度旋轉時，所述間距可通過將所述偏移區域的角度A和長度L代入以下方程式2中來計算。在這里，當以順時針和逆時針方向之一測量時，所述角度A由所述偏移區域的終點的光軸或光吸收軸相對于所述偏移區域的起點的光軸或光吸收軸的旋轉所形成。[方程式2]P＝360×(L/A)在方程式2中，P代表了偏移區域的間距，L代表了所述偏移區域的長度，以及A代表了當以順時針和逆時針方向之一測量時，由所述偏移區域的終點的光軸或光吸收軸相對于所述偏移區域的起點的光軸或光吸收軸的旋轉所形成的角度。在所述偏移區域中，方程式1中所計算的平均變化率可大于0且小于或等于5。根據另一個示例性實施方式，所述平均變化率可為4.5以下、4以下、3.5以下、3.0以下、2.5以下、2.0以下、1.5以下、1.0以下或0.7以下。此外，所述平均變化率可為0.1以上或0.2以上。可設計光學層以具有上述平均變化率，并因此得到適合于預期應用的器件。在本申請中，所述光學層可以是單層。在本申請中，所述術語“單層”用于表示排除通過裝配或堆疊兩層或多層所形成的層的概念。例如，將通過裝配具有不同的光軸或光吸收軸的至少兩個不同的層所形成的層，或者采用堆疊偏光層和延遲層的方法所形成的層排除于所述單層的范疇之外，從而形成連續偏移的光軸或光吸收軸。根據一個示例性實施方式，在所述光學層的偏移區域中的具有不同光軸或光吸收軸的區域之間可能觀察不到界面。即，可基本上完全實現光軸或光吸收軸的連續變化，且在所述光學層中沒有域可被觀察到。例如，“在所述光學層的偏移區域中的具有不同光軸或光吸收軸的區域之間觀察不到界面”的表述可意指，在所述偏移區域的光軸或光吸收軸中的變化滿足以下方程式3。[方程式3]Y＝a×X在方程式3中，X代表了在發生了光軸或光吸收軸的變化的一個方向上測得的距離偏移區域的起點的距離，Y代表了通過在所測量的X點上相對于所述偏移區域的起點的光軸或光吸收軸旋轉光軸或光吸收軸而得到的角度，以及a代表了大于0且小于或等于5的整數。在方程式3中，所述光軸或光吸收軸的旋轉角Y為相對于0度(其被設定為在所述偏移區域的起點的光軸或光吸收軸的角度)，以順時針或逆時針方向之一所測得的角度。在方程式3中，在另一個示例性實施方式中，a可為4.5以下、4.0以下、3.5以下、3.0以下、2.5以下、2.0以下、1.5以下、1.0以下或0.7以下。還有，a可為0.1以上或0.2以上。本發明可提供一種光學器件，其中所述光軸或光吸收軸的變化滿足方程式3，且連續地實現所述變化以適合于所需用途。所述偏移區域的旋轉角可根據以下方程式4所確定。在方程式4中，代表了旋轉角，V代表了平均變化率，以及L代表了所述偏移區域的長度。在方程式4中，所述平均變化率V可根據方程式1來測量。所述偏移區域的旋轉角的范圍，可考慮使用所述光學器件的應用來確定，且可以是，例如，約10度以上、20度以上、30度以上、40度以上、50度以上、60度以上、70度以上、80度以上、90度以上、100度以上、110度以上、120度以上、130度以上、140度以上、150度以上、160度以上、170度以上、180度以上、190度以上、200度以上、210度以上、220度以上、230度以上、240度以上、250度以上、260度以上、270度以上、280度以上、290度以上、300度以上、310度以上、320度以上、330度以上、340度以上或350度以上，但本發明并不僅限于此。所述旋轉角的上限也依照預期應用來確定，且可以是，例如，約1,000度以下、900度以下或800度以下，但本發明并不僅限于此。所述光學器件的光學層可設置為僅包含上述一種偏移區域，或需要時包含兩種偏移區域。此外，所述光學器件的光學層可設置為包含除了所述偏移區域之外的區域，例如，僅在一個方向均勻形成所述光軸或光吸收軸的區域，或者所述光軸或光吸收軸的變化非連續地進行的區域。所述光學層可以是相位延遲層或偏光層。當所述光學層為相位延遲層時，所述光學層可具有上述的光軸。還有，當所述光學層為偏光層時，所述光學層可具有上述的光吸收軸。當所述光學層為相位延遲層時，相位差不受限定，或者當所述光學層為偏光層時，偏光效率不受限定。例如，考慮到預期應用，所述相位差或偏光效率可通過選取適合的原料而自由調節。所述光學層可以是液晶聚合物層。在本發明中，所述術語“液晶聚合物層”可指的是通過聚合可聚合液晶化合物(簡稱反應性液晶元(RM，reactivemesogen))而形成的層。例如，所述液晶聚合物層可通過在將可聚合液晶化合物在取向膜上取向(將在以下描述)的狀態下聚合可聚合液晶化合物而形成。當需要時，所述液晶聚合物層可進一步包含公知的額外組分，例如，不可聚合液晶化合物、聚合物的無定型化合物、非聚合物的無定型化合物、表面活性劑或流平劑。用于形成所述液晶聚合物層的可聚合液晶化合物可根據目的適當地選取。例如，可采用具有層列相(smecticphase)、向列相(nematicphase)或膽甾相(cholestericphase)的化合物來作為所述液晶化合物。采用展現出此特性的液晶化合物可更有效地形成具有所需形狀的光學層。由以下通式1所代表的可聚合液晶化合物可以，例如，用作所述可聚合液晶化合物。[通式1]在通式1中，A代表單鍵、-COO-或-OCO-，以及R1至R10各自獨立地為氫、鹵素、烷基、烷氧基、烷氧羰基、氰基、硝基、-O-Q-P或者以下通式2所代表的取代基，或者R1至R5中的一對兩個相鄰取代基或R6至R10的一對兩個相鄰取代基連接在一起形成被-O-Q-P取代的苯環，條件是取代基R1至R10中的至少一個為-O-Q-P或以下通式2的取代基，或者R1至R5中的一對兩個相鄰取代基或R6至R10的一對兩個相鄰取代基中的至少一對連接在一起形成被-O-Q-P取代的苯環，其中，Q為烷撐基(alkylenegroup)或烷叉基(alkylidenegroup)，以及P為可聚合官能團，如烯基、環氧基、氰基、羧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。[通式2]在通式2中，B為單鍵、-COO-或-OCO-，以及R11至R15各自獨立地為氫、鹵素、烷基、烷氧基、烷氧羰基、氰基、硝基或-O-Q-P，或者R11至R15的一對兩個相鄰取代基連接在一起形成被-O-Q-P取代的苯環，條件是取代基R11至R15中的至少一個為-O-Q-P，或者將R11至R15的一對兩個相鄰取代基連接在一起形成被-O-Q-P取代的苯環，其中，Q為烷撐基或烷叉基，以及P為可聚合官能團，如烯基、環氧基、氰基、羧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。在通式1和2中，“兩個相鄰取代基連接在一起形成被-O-Q-P取代的苯環”的表述可意指所述兩個相鄰取代基連接在一起在整體上形成被-O-Q-P取代的萘骨架。在通式2中，B的左側所標示的“-”可意指B直接鍵合到通式1的苯環上。在通式1和2中，所述術語“單鍵”意指在A或B所表示的部分中不存在額外的原子。例如，當通式1中的A為單鍵時，設置于A兩側的苯環可直接鍵合以形成聯苯結構。在通式1和2中，可用于此處的鹵素可以，例如，包括氯、溴或碘。除非在本申請中另有明確定義，所述術語“烷基”可以，例如，指的是具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的直鏈或支鏈烷基，或具有3至20個碳原子、3至16個碳原子、或4至12個碳原子的環烷基。所述烷基可以任選地被一個或多個取代基所取代。除非在本申請中另有明確定義，所述術語“烷氧基”可以，例如，指的是具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的烷氧基。所述烷氧基可以是直鏈、支鏈或環形。同樣地，所述烷氧基可以任選地被一個或多個取代基所取代。除非本申請中另有明確定義，所述術語“烷撐基”或“烷叉基”可以，例如，指的是具有1至12個碳原子、4至10個碳原子或6至9個碳原子的烷撐基或烷叉基。所述烷撐基或烷叉基可以是，例如，直鏈、支鏈或環形。同樣地，所述烷撐基或烷叉基可以任選地由一個或多個取代基所取代。除非在本申請中另有明確定義，所述術語“烯基”可以，例如，指的是具有2至20個碳原子、2至16個碳原子、2至12個碳原子、2至8個碳原子或2至4個碳原子的烯基。所述烯基可以是，例如，直鏈、支鏈或環形。同樣地，所述烯基可以任選地被一個或多個取代基所取代。在通式1和2中，P可以，例如，為丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基；或者丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基；或者丙烯酰氧基。在本說明書中，可被特定官能團取代的取代基，可包括烷基、烷氧基、烯基、環氧基、氧代(oxo)基團、氧雜環丁烷基、巰基、氰基、羧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基或芳基，但本申請并不僅限于此。可在通式1和2中以多個數目存在的-O-Q-P，或者通式2的殘基可以，例如，存在于R3、R8或R13的位置。例如，可被連接在一起以形成被-O-Q-P取代的苯環的取代基也可以是R3和R4，或R12和R13。在所述通式1的化合物或通式2的殘基中，除了-O-Q-P或通式2的殘基之外的取代基，或者除了被連接在一起形成苯環的取代基之外的取代基可以是，例如，氫、鹵素、具有1至4個碳原子的直鏈或支鏈烷基、包含具有1至4個碳原子的直鏈或支鏈烷氧基的烷氧羰基、具有4至12個碳原子的環烷基、具有1至4個碳原子的烷氧基、氰基或硝基。根據另一個示例性實施方式，所述取代基或殘基可以是氯、具有1至4個碳原子的直鏈或支鏈烷基、具有4至12個碳原子的環烷基、具有1至4個碳原子的烷氧基、包含具有1至4個碳原子的直鏈或支鏈烷氧基的烷氧羰基、或氰基。也可由通式1所代表的可聚合液晶化合物可以，例如，包含1個、2個以上、1-10個、1-8個、1-6個、1-5個、1-4個、1-3個或1-2個可聚合官能團(通式1或2中的P)。在所述偏光層的情況下，所述光學層可以是包含二色性染料的液晶聚合物層，或者溶致液晶(LLC，LyotropicLiquidCrystal)層。例如，所述光學層可通過在將可聚合液晶化合物和包含二色性染料的層在取向膜上取向(將在以下描述)的狀態下聚合可聚合液晶化合物而形成，或者上述光學層可通過在所需方向上向溶致液晶施加剪切力以形成層而形成。當所述光學層為包含二色性染料的液晶聚合物層時，可考慮到所述偏光層的所需性能而適當地選取用于形成所述偏光層的可聚合液晶化合物的類型。例如，在本申請中就可采用上述類型的可聚合液晶化合物。充當所述光學層的液晶聚合物層可包含二色性染料。在本申請中，所述術語“染料”可指的是在可見光區域(例如，波長400nm至800nm)的至少一部分或全部范圍內，可強烈地吸收光和/或使光變形的材料，所述術語“二色性染料”可指的是在可見光區域的至少一部分或全部范圍內，可各向異性地吸收光的材料。在可見光區域(例如，400nm至800nm)的范圍內具有最大吸收的所有類型的染料基本上都可被用作所述二色性染料。例如，如本領域所公知的，這種染料包括偶氮染料或蒽醌染料。例如，本申請中可以使用偶氮染料F355(注冊商標)、F357(注冊商標)或F593(注冊商標)(日本感光色素研究所有限公司(NipponKankohShikisokenkyushoLtd))，或者已知大體上展現出與上述偶氮染料相同效果的染料種類，但本申請并不僅限于此。例如，可以采用已知在展現出上述特性的同時，還沿著液晶化合物的取向而取向的所有類型的染料作為所述二色性染料。所述光學器件可進一步包含基底層。例如，所述光學器件進一步包含基底層，且所述光學層可設置成形成于所述基底層的至少一個表面上。當需要時，所述光學層可形成于所述基底層的兩個表面上。圖3為顯示了所述光學器件的一個示例性實施方式的示意圖。這里，所述光學器件具有基底層10與光學層20相繼形成的結構。所述基底層可由已知材料形成而沒有特別的限定。例如，可采用無機膜，如玻璃板、晶體或非晶硅膜、或者石英或ITO(氧化銦錫)膜，或者塑料膜作為所述基底層。可采用光學各向同性基底層或光學各向異性基底層作為所述基底層。可用作所述塑料基底層的基底層包括選自TAC(三乙酰纖維素)；COP(環烯烴聚合物)，如降冰片烯衍生物；PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)；PC(聚碳酸酯)；PE(聚乙烯)；PP(聚丙烯)；PVA(聚乙烯醇)；DAC(二乙酰纖維素)；Pac(聚丙烯酸酯)；PES(聚醚砜)；PEEK(聚醚醚酮)；PPS(聚苯砜)；PEI(聚醚酰亞胺)；PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)；PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)；PI(聚酰亞胺)；PSF(聚砜)；PAR(聚芳基酯)；或者無定形氟樹脂中的至少一種，但本申請并不僅限于此。當需要時，涂布層，如由金、銀或硅化合物(如二氧化硅或一氧化硅)形成的涂布層，或者減反射層可存在于所述基底層上。所述光學器件可進一步包含取向膜。所述取向膜可形成為與上述光學層接觸。例如，當所述光學器件進一步包含基底層，且光學層形成于所述基底層的一個表面上時，所述取向膜可存在于所述基底層與所述光學層之間。可采用任意類型的取向膜作為所述取向膜,只要該取向膜能夠適當調節與所述取向膜相鄰的光學層的取向，例如，上述液晶化合物或二色性染料的取向。例如，可采用光取向膜作為所述取向膜。所述取向膜可包含取向化合物，例如，光取向化合物。在本申請中，所述術語“光取向化合物”可指的是通過光的照射而以預定方向取向，并能夠以取向狀態在預定方向上取向相鄰液晶化合物的化合物。所述取向化合物可以是單分子化合物、單體化合物、低聚物化合物或聚合物化合物。所述光取向化合物可以是包含光敏部分的化合物。本領域已知可用于所述液晶化合物的取向的多種類型的光取向化合物。例如，通過順反光致異構化取向的化合物；通過光裂解(如鏈斷裂或光致氧化)取向的化合物；通過光交聯或光聚合(如[2+2]環加成、[4+4]環加成或光二聚)取向的化合物；通過光-弗里斯重整(photo-Friesrearrangement)取向的化合物；或者通過開環/閉環反應取向的化合物可以，例如，用作所述光取向化合物。例如，所述通過順反光致異構化取向的化合物的實例可包括偶氮化合物(如磺化重氮染料或偶氮聚合物)，或者芪化合物；所述通過光裂解取向的化合物的實例可包括環丁烷四羧酸二酐(環丁烷-1,2,3,4-四羧酸二酐)、芳香族聚硅烷或聚酯、聚苯乙烯或聚酰亞胺。此外，所述通過光交聯或光聚合取向的化合物的實例可包括肉桂酸酯化合物、香豆素化合物、肉桂酰胺化合物、四氫化鄰苯二甲酰亞胺化合物、馬來酰亞胺化合物、苯甲酮化合物、二苯乙炔化合物、含有查兒酮基(chalconyl)部分作為光敏部分的化合物(下文中稱作“查兒酮化合物”)或者含有蒽基(anthracenyl)部分的化合物(下文中稱作“蒽基化合物”)；所述通過光-弗里斯重整取向的化合物的實例可包括芳香族化合物，如苯甲酸酯化合物、苯酰胺化合物、(甲基)丙烯酸甲基丙烯酰胺芳基酯化合物等；以及所述通過開環/閉環反應取向的化合物的實例可包括通過[4+2]π-電子體系的開環/閉環反應取向的化合物，如螺吡喃化合物等等，但本申請并不限于此。所述光取向化合物可以是單分子化合物、單體化合物、低聚物化合物或聚合物化合物，或者可以是所述光取向化合物與聚合物的混合物。如此，所述低聚物化合物或聚合物化合物在其主鏈或側鏈中可具有衍生自上述光取向化合物的部分或上述光敏部分。具有衍生自所述光取向化合物的部分或所述光敏部分或混合有所述光取向化合物的聚合物的實例可包括聚降冰片烯、聚烯烴、聚芳基酯、聚丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚(酰胺酸)、聚馬來酰亞胺、聚丙烯酰胺、聚甲基丙烯酰胺、聚乙烯醚、聚乙烯酯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚丙烯腈或聚甲基丙烯腈，但本申請并不限于此。可包含于所述取向化合物中的聚合物的代表性實例可包括聚降冰片烯肉桂酸酯、聚降冰片烯烷氧基肉桂酸酯、聚降冰片烯丙酰氧基肉桂酸酯、聚降冰片烯-氟化肉桂酸酯、聚降冰片烯-氯化肉桂酸酯或聚降冰片烯二肉桂酸酯，但本發明并不限于此。可適當選取上述化合物的類型并用作所述取向化合物。不過，優選采用具有可逆性的取向化合物以便適當地引發上述光軸或光吸收軸的連續變化。在本申請中，“具有可逆性的取向化合物”的表述可以，例如，意指取向化合物具有由取向(如線性偏振光的照射)確定的定向方向可受到額外的取向(例如，在不同方向上偏振的線性偏振光的照射)的影響并偏移的特性。即所述光學器件可采用使用在不同方向上偏振的不同類型的線性偏振光照射同一區域若干次的工藝(將在以下進行描述)而形成的取向膜來形成。通過此工藝，所述具有可逆性的化合物可用于形成適當的光學器件。本申請涉及提供一種光學面板。例如，所述光學面板可包括至少兩個如上所述的光學器件。在所述光學面板中，所述兩個光學器件可設置為彼此面對面，且可設置成使得所述設置為彼此面對面的光學器件的相對位置能夠進行偏移。在此設置中，可通過偏移所述光學器件的相對位置來調節光的透射率或偏振態。例如，當所述光學器件的光學層為偏光層，且設置所述光學器件以使得所述光學層的光吸收軸彼此垂直時，所述光學面板的透射率可被調節至最低限度。當設置所述光學器件以使得所述光學層的光吸收軸彼此平行時，所述光學面板的透射率可被調節至最高限度。此外，當設置所述光學器件以使得光吸收軸形成的夾角大于0度且小于90度時，可實現在所述最低和最高透射率之間的預定水平的透射率。此外，當所述光學器件的光學層為相位延遲層時，可如上所述通過調節光軸的關系來調節透射光的偏振態和透射率。圖4顯示了設置光學器件30以使得所述光學器件的光軸或光吸收軸彼此垂直的一個實例，圖5顯示了設置光學器件30以使得所述光學器件的光軸或光吸收軸彼此平行的一個實例，以及圖6顯示了設置光學器件30以使得所述光學器件的光軸或光吸收軸形成的夾角大于0度且小于90度的一個實例。在所述光學面板的構造中，設置光學器件彼此面對面以使得所述光學器件之間的間距和所述光學器件的相對位置能夠被偏移的方法不作特別的限定。本申請涉及提供一種偏光掩膜。根據本申請的偏光掩膜可以，例如，在所述光學器件的制造期間使用，更具體地說，在所述取向膜的曝光期間使用以制造所述光學器件。所述偏光掩膜可包含含有多個以第一方向彼此相鄰設置的偏光區域的偏光線。所述偏光線可以垂直于所述第一方向的方向(下文中稱作第二方向)彼此相鄰設置。如此，所述術語“垂直”指的是基本垂直/正交的狀態。例如，約70度至120度、約80度至100度或約85度至95度的夾角范圍也可落入所述基本上垂直/正交的狀態的范圍。圖7為顯示了從上方所看到的所述偏光掩膜的示意圖。在圖7中，垂直方向代表了第一方向，水平方向代表了第二方向。如圖7所示，在第一方向上彼此相鄰設置的第一偏光區域1011、1012、1013、1014和1015被組合形成第一偏光線101，且以與所述第一偏光線101的相同方式形成的第二至第五偏光線102、103、104和105在第二方向上相鄰設置。在所述偏光掩膜所包含的多個偏光線中，至少一個偏光線可包含具有不同的透射軸方向的偏光區域。例如，在圖7所示的偏光掩膜的各個偏光區域1011-1015、2011-2015、3011-3015、4011-4015和5011-5015中形成的透射軸的角度，參照本申請中所述偏光掩膜的各個偏光區域的透射軸的角度，所述角度可意指相對于0度(其被設定為所述偏光掩膜的偏光區域中的一個的角度)，在順時針或逆時針方向中的一個方向上所測得的角度。在第一至第五偏光線101-105中，所述第二至第四偏光線102-104包含至少兩個具有不同的透射軸方向的偏光區域。在所述偏光掩膜中，至少一個偏光線可有具有在預定方向上形成的透射軸的第一偏光區域，以及具有在不同于所述第一偏光區域的透射軸方向的方向形成的透射軸的第二偏光區域。所述第一和第二偏光區域可彼此相鄰設置。例如，參照圖7，第二偏光線102具有其中第二偏光區域2012和第三偏光區域2013形成于不同方向且彼此相鄰設置的透射軸。在此情況下，由所述第一偏光區域的透射軸方向與所述第二偏光區域的透射軸方向形成的夾角可以，例如，在約15度至30度、約16度至29度、約17度至28度、約18度至27度、約19度至26度、約20度至25度或者約21度至24度的范圍內。在所述偏光掩膜中，所述偏光線中的至少兩條可具有不同的平均透射軸。在本申請中，所述術語“平均透射軸”可指的是所述偏光線中包含的所有偏光區域的透射軸的角度的平均值。例如，所述第一偏光線的平均透射軸為0度，所述第二偏光線的平均透射軸為4.5度，所述第三偏光線的平均透射軸為9度，所述第四偏光線的平均透射軸為13.5度，以及所述第五偏光線的平均透射軸為22.5度。所述偏光掩膜可包含具有在預定方向上形成的平均透射軸的第一偏光線，以及具有在不同于所述第一偏光線的平均透射軸方向的方向上形成的平均透射軸的第二偏光線。所述第一和第二偏光線可彼此相鄰設置。例如，第一至第五偏光線101-105以0度、4.5度、9度、13.5度和22.5度的不同平均透射軸且在水平方向上彼此相鄰設置。由所述第一偏光線的平均透射軸的方向與所述第二偏光線的平均透射軸的方向形成的夾角可以，例如，在約1度至20度的范圍內。根據另一個示例性實施方式，所述夾角可以大于或等于約2度、約3度或約3.5度。此外，根據另一個示例性實施方式，所述夾角可以為約19度以下、約18度以下、約17度以下、約16度以下或約15度以下。所述偏光掩膜可包含所述偏光線的平均透射軸在第二方向上增大或減小的增大或減小區域。例如，參照圖8所示的示例性偏光掩膜，所述掩膜包含由偏光線A至D形成的增大區域，其中所述平均透射軸從圖8的左側至右側增大至72度、76.5度、81度和90度；以及由偏光線D至H形成的減小區域，其中所述平均透射軸從圖8的左側至右側減小至90度、85.5度、81度、76.5度和67.5度。在這樣的增大或減小區域中的增大率或減小率可根據以下方程式7所確定。[方程式7]R＝Q/N在方程式7中，R代表了增大率或減小率，Q代表了在第二方向上設置的所述增大或減小區域中平均透射軸開始增大或減小的偏光線的平均透射軸與平均透射軸的增大或減小停止的偏光線的平均透射軸之間所形成的角度，以及N代表了所述增大或減小區域中包含的偏光線的數目。當根據方程式7定義了所述增大率或減小率時，所述增大或減小區域的平均透射軸的增大或減小可基于順時針或逆時針方向之一來確定。例如，如圖8所示，由偏光線A至D構成的增大區域的增大率R和由偏光線D至H構成的減小區域的減小率R為4.5。在所述偏光掩膜中，所述增大率R或減小率R可以，例如，在約1至10的范圍內。根據另一個示例性實施方式，所述增大率R或減小率R可為約2以上、3以上、4以上或4.5以上。根據另一個示例性實施方式，所述增大率R或減小率R也可為約9以下、8以下、7以下、6以下或約5.5以下。在方程式7中，Q可以在約70度至120度、約80度至100度或約85度至95度的范圍內。在方程式7中，N也可以在約5至30的范圍內。根據另一個示例性實施方式，N可以在約7至28、9至26、11至24或13至22的范圍內。當采用如此配置的偏光掩膜時，可以形成可用于形成如上所述的光學層的取向膜。在所述偏光掩膜中，所述偏光線的寬度(在第二方向上測得的數值)和長度(在第一方向上測得的數值)不作特別的限定，且可根據預期應用來確定。例如，所述偏光線的寬度可以在約1mm至20mm的范圍內。此外，所述偏光線的長度可以，例如，在約30mm至70mm的范圍內。此外，所述偏光掩膜的各個偏光線中包含的偏光區域的數目不作特別的限定。例如，考慮到所需的取向效率等，可適當選取約2至10個偏光區域。如上所述，制造偏光掩膜的方法不作特別的限定。例如，可組合多個的PVA(聚乙烯醇)偏光板或WGP(線柵偏光器)來制造所述偏光掩膜。根據一個示例性實施方式，所述掩膜可保持在彎曲狀態。例如，當在采用所述掩膜的曝光工藝中將受照對象的表面保持在彎曲狀態時，則有必要保持所述偏光掩膜也處于彎曲狀態。例如，表面保持在彎曲狀態的受照對象的實例可包含在輥對輥工藝期間用光照射的受照對象。在本申請中，所述術語“輥對輥工藝”包含含有在采用輥，如導輥、傳輸輥或卷繞輥不斷傳輸所述受照對象的同時，用光照射受照對象的所有類型的工藝。在所述輥對輥工藝中，用光照射受照對象的方法可以，例如，以所述受照對象被卷繞入輥中的狀態進行。當采用這個方法用光照射所述受照對象時，可在所述受照對象被固定的狀態下用光有效照射所述受照對象。圖9為闡明了采用輥對輥工藝通過偏光掩膜40用光照射受照對象50的工藝的圖。如圖9所示，受照對象50被卷繞入輥60中以使得受照對象50的表面保持在彎曲狀態，因此可在此彎曲狀態被光照射。表面保持在彎曲狀態的掩膜的形狀，例如，所述掩膜的曲率半徑，不作特別的限定，且可進行選取以用適當的光照射所述受照對象。例如，所述掩膜的曲率半徑可被調節為相當于表面保持在彎曲狀態的受照對象的曲率半徑。例如，當所述掩膜保持在彎曲狀態時，所述掩膜的可輸送支撐結構可具有約10mm至500mm的曲率半徑。此外，本申請涉及提供一種用光照射所述受照對象的設備或一種制造光學器件的設備。在這里，所述設備包含所述偏光掩膜。通過所述制造設備制造的光學器件可以是上述的光學器件。例如，所述制造設備可包含設置用于支持所述偏光掩膜和所述受照對象的支持單元。在所述設備中，可設置所述偏光掩膜和所述支持單元以使得所述受照對象相對于所述偏光掩膜的相對位置能夠在第一方向(即偏光線的長度方向)上移動。在所述設備中，所述支持單元的類型不作特別的限定，且可包含設計用于在所述受照對象被光照射時穩固地維持所述受照對象的所有類型的裝置。所述支持單元可以是設置以在所述受照對象的表面保持在彎曲狀態的狀態下支持所述受照對象的裝置。此裝置的實例可包含用于上述輥對輥工藝中的輥，但本申請并不限于此。當設置成支持受照對象的裝置可在所述受照對象的表面保持在彎曲狀態的狀態下支持所述受照對象時，所述掩膜也可在江所述掩膜保持在彎曲狀態的狀態下包含于所述裝置中。在此情況下，所述掩膜可包含于所述裝置中以使得所述掩膜的彎曲形狀能夠對應于所述設置成支持受照對象的裝置的彎曲表面。所述裝置可進一步包含設置成用光照射所述偏光掩膜的光源。只要光源能夠用于在所述偏光掩膜的方向上用光照射受照對象，則可使用所述光源而不受特別的限定。例如，當進行所述光取向膜的取向或通過所述偏光掩膜進行光致抗蝕劑的曝光時，可采用高壓汞紫外燈、金屬鹵化物燈或鎵紫外燈作為充當能夠輻射紫外線的光源的所述光源。此外，所述裝置可進一步包含至少一個聚光板以調節由所述光源發出的光量。例如，所述聚光板可包含于所述裝置內部以使得由所述光源發出的光能夠入射并聚集至所述聚光板上，且能夠用所述聚集光照射所述偏光掩膜。只要聚光板能夠被形成為聚集由所述光源發出的光，則可采用本領域廣泛使用的聚光板來作為所述聚光板。所述聚光板的實例可包含雙面凸透鏡層等。當所述裝置具有如上所述的結構時，所述裝置可以，例如，包含依序設置的光源、聚光板、偏光掩膜和支持單元。因此，由所述光源發出的光可首先入射并聚集至所述聚光板上，接著可再入射至所述偏光掩膜上，并可穿過所述偏光掩膜以使得受照對象的表面能夠被光照射。本申請涉及提供一種光照射的方法或一種制造光學器件的方法。根據一個示例性實施方式，所述方法可采用上述裝置來進行。例如，所述方法可包括：在偏光掩膜下設置取向膜(例如，光取向膜)，和通過偏光掩膜用光照射所述取向膜。例如，所述方法的操作可以通過如下方式進行：在第一方向(即偏光線的長度方向)上偏移所述取向膜相對于所述偏光掩膜的相對位置。通過這些操作可提供能夠實現上述光學裝置的取向膜。例如，將參照圖8來描述所述取向膜。例如，當在第一方向(圖中的垂直方向)上偏移適當的取向膜的同時使具有圖8所示的圖案的偏光掩膜的下部曝露于光下時，穿過偏光線A的取向膜的區域依序曝露于以67.5度、67.5度、90度、67.5度和67.5度的角度偏振的線性偏振光下。穿過偏光線B至H的取向膜的區域以同樣的方式依序曝露于以對應于各自偏光區域的透射軸方向的角度偏振的線性偏振光下。如上所述，當所述偏光線具有不同的平均透射軸時，可以以預定的規則布置所述偏光線。因此，所述穿過各個偏光線下部的取向膜的區域具有根據各個偏光線的偏光區域的布置和平均透射軸偏移的定向方向。結果，可通過上述配置實現在所述偏光區域上形成的光學層的光軸或光吸收軸。在此工藝中，只要能夠實現適當的取向，則在第一方向上的所述取向膜與所述偏光掩膜之間的偏移速率不作限定。例如，所述偏移速率可確定為約5m/min以下。根據另一個示例性實施方式，所述偏移速率可為約4m/min以下或約3m/min以下。此外，所述偏移速率可以，例如，為約0.5m/min以上或約1m/min以上。如上所述，可在將所述取向膜(即受照對象)的表面保持在彎曲狀態的狀態下進行所述曝光工藝。所述光學器件可通過在如上所述所形成的取向膜上形成光學層來制造。形成光學層的方法不作特別的限定。例如，可通過在取向膜上形成含有上述可聚合液晶化合物和/或二色性染料的層，取向所述層并采用如用光照射或施加熱量的方法向所述層提供能量來形成所述光學層。如此，形成含有所述液晶化合物和/或二色性染料的層，取向所述層(即根據布置于所述層下的取向膜的取向圖案來定向所述層)的方法，或者聚合已定向的液晶化合物的方法，不作特別的限定。例如，根據所述液晶化合物和/或二色性染料的類型，采用將層維持在所述層能夠被定向的適當的溫度下的方法可進行所述取向。此外，根據所述液晶化合物的類型，采用如用光照射或施加熱量的方法(其中可誘導適當的交聯或聚合)可進行所述聚合。[有益效果]根據本申請，提供了一種能夠用于制造包含光軸或光吸收軸連續偏移的光學層的光學器件的偏光掩膜。例如，根據本申請制造的光學器件能夠用于在電子器件，如顯示器件中調節光的性能，或者，能夠用作需要光軸或光吸收軸的連續變化的各種應用，包括建筑物或汽車的窗戶或遮光物的用途。附圖說明圖1至3為顯示根據本申請的一個示例性實施方式的光學器件的示意圖。圖4至6為顯示根據本申請的一個示例性實施方式的所述光學器件的布置的示意圖。圖7和8為顯示根據本申請的一個示例性實施方式的偏光掩膜的示意圖。圖9為顯示根據本申請的一個示例性實施方式的所述光學器件的配置的圖。圖10和11為描述用于實施例的偏光掩膜的圖。圖12和13為圖示實施例所制備的光學層的光軸的變化的圖。<附圖標記>10：基底層20：光學層30：光學器件101、102、103、104、105、A、B、C、D、E、F、G、H：偏光線1011至1015、2011至2015、3011至3015、4011至4015、5011至5015：偏光區域40：偏光掩膜50：受照對象60：支持單元具體實施方式下文中，參照實施例，上述內容將予以詳述。然而，本申請并不限于以下所公開的實施方式。實施例1偏光掩膜的制造以10mm的橫向和縱向長度裁切常規的線柵偏光器(WGP)以制備用于形成偏光區域的WGP片。接著，附著五個WGP片(偏光區域)以形成一個偏光線，由此制得了偏光掩膜。在此情況下，如圖10和11所示設置所述偏光掩膜的偏光區域的透射軸的布置。圖10和11所列數字代表了所述各個區域的透射軸的角度。即參照圖10，將所述五個WGP片設置于最上面的區域上以便得到0度的透射軸，并將16個偏光線設置于所述最上面的區域的下面。通過將圖10所示的掩膜的頂部區域附著至圖11所示的掩膜的底部區域而最終制得了所述偏光掩膜取向膜的形成通過將混合物溶解于甲苯溶劑中以使得取向化合物具有2wt％的固體濃度而制得了取向膜前體。在這里，所述混合物通過將如第1064585號韓國專利中所公開的含有肉桂酸酯基團的取向化合物聚降冰片烯與適量的光敏引發劑(Igacure907)混合而獲得。接著，在PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜的一個表面涂布所述前體，并在適宜的溫度下干燥。然后在移動所述干燥的層穿過所制得的偏光掩膜的下方區域的同時，從所述偏光掩膜的頂部用紫外線(1,200mJ/cm2)照射所述干燥的層，由此形成了取向膜。參照圖10和11，由所述附圖的左側至右側實現了上述取向膜的移動，且保持所述移動速率為約2.5m/min。光學器件的制造將通過混合可聚合液晶化合物(LC242，購自BASF公司)與適量的光敏引發劑(Igacure907)得到的涂布溶液在取向膜上涂布至適當的厚度，并在根據形成于所述涂布層下面的取向膜的取向圖案取向最終的涂布層的狀態下，用紫外線(30mW/cm2)照射，以形成光學層，因此制得了光學器件。圖12為顯示以此方式形成的光學層的光軸的分布的圖，圖13為顯示采用所述光學層的水平方向作為X軸(TD軸)且所述光軸(慢軸)的角度作為Y軸(延遲定向)的曲線圖。在圖13中，所述Y軸的單位為度(度)，所述X軸的單位為毫米(mm)。如圖12和13所示，可以看到，形成了其中沒有觀察到所述各個區域之間的界面且光軸規則偏移的光學層。實施例2在用紫外線照射以形成配向膜時，除了所述取向膜的移動速率變為約1m/min之外，以與實施例1相同的方式制得了光學層，由此制得了光學器件。圖13為顯示采用所述光學層的水平方向作為X軸且所述光軸(慢軸)的角度作為Y軸并結合實施例1的結果的曲線圖。在圖13所示的曲線圖中，可觀察到圖13的結果幾乎與實施例1的結果重疊。由這些事實也可看出，形成了沒有觀察到所述各個區域之間的界面且光軸規則偏移的光學層。實施例3除了此處采用通過混合基于偶氮的二色性染料(根據可聚合液晶化合物的取向而取向且在可見光區域(400nm至800nm)具有最大吸收)與包含所述液晶化合物的涂布溶液而得到的涂布溶液之外，以與實施例1相同的方式制得了光學器件。在此光學器件中，形成了通過所述二色性染料而使其光吸收軸以與實施例1中光軸的分布類似的方式連續偏移的光學層。實施例4除了此處采用通過混合基于偶氮的二色性染料(根據可聚合液晶化合物的取向而取向且在可見光區域(400nm至800nm)具有最大吸收)與包含所述液晶化合物的涂布溶液而得到的涂布溶液之外，以與實施例2相同的方法制得了光學器件。在此光學器件中，形成了通過所述二色性染料而使其光吸收軸以與實施例2中光軸的分布類似的方式連續偏移的光學層。