本發明涉及外殼加工工藝領域,特別是涉及一種實現金屬基材表面3d紋理的方法及終端。
背景技術:
隨著用戶對產品的產品外觀質感要求的不斷提升,便攜式終端,如手機、平板電腦等越來越多使用金屬外殼,對于以往在塑料外殼表面做出的各種裝飾效果,如拉絲等各種紋理的工藝無法應用到金屬外殼上。本發明提供一種金屬外殼的紋理加工工藝。
技術實現要素:
基于此,本發明提供一種實現金屬基材表面3d紋理的方法和終端。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:一種實現金屬基材表面3d紋理的方法,所述方法包括以下步驟:
對金屬基材一表面進行菲林曝光,其中菲林上排布有相互間隔的多個待蝕刻圖案;
對所述金屬基材所述表面進行蝕刻,蝕刻液作用在所述圖案所對應的所述金屬基材表面上,且處于已被蝕刻的金屬基材凹面的蝕刻液進一步作用在所述相鄰待蝕刻圖案之間的區域,以縮小或去除所述圖案相鄰間隔所對應的部分金屬基材,進而形成3d紋理圖。
本發明還提供一種終端,其表面具有3d紋理的外殼,所述外殼具有如上方法形成的3d紋理圖。
以上方案,在菲林曝光之后,菲林層上排布有相互間隔的多個待蝕刻圖案,每個待蝕刻圖案之間的間隔比較小。在對菲林層下方的金屬基材進行蝕刻的時候,初步蝕刻之后在金屬基材表面形成凹面后,繼續蝕刻,使得位于凹面中的蝕刻液到待蝕刻圖案之間的菲林層以下,因此凹面的邊緣已經不受菲林層的保護,所以蝕刻液將進一步作用在所述相鄰待蝕刻圖案之間的區域所對應的金屬基材,以縮小或去除相鄰凹面之間的間隔,進而形成3d紋理圖。
附圖說明
圖1是本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的一實施方式的流程示意圖;
圖2是本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的一實施方式中金屬基材加工之前的一角度的截面示意圖;
圖3是本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的一實施方式中菲林曝光后的金屬基材的俯視示意圖;
圖4是本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的一實施方式中對金屬基材的一表面進行蝕刻后的金屬基材的截面示意圖;
圖5是本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的另一實施方式的流程示意圖;
圖6是圖5所示的流程之后金屬基材的截面示意圖;
圖7是本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的又一實施方式的流程示意圖;
圖8是本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的再一實施方式的流程示意圖;
圖9是本發明終端一實施方式的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施方式對本發明進行詳細說明。
請參閱圖1、圖2和圖3,圖1為本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的一實施例方式的流程示意圖。該方法包括:
s101:對金屬基材10一表面11進行菲林曝光,其中菲林層上排布有相互間隔的多個待蝕刻圖案100。
具體的,參見圖2,圖2為實現金屬基材表面3d紋理的方法的一實施方式中金屬基材加工之前的一角度的截面示意圖,金屬基材10包括一表面11和另一表面12。
s102:對金屬基材100的一表面11進行蝕刻,以形成3d紋理圖300。
對金屬基材10的一表面11進行蝕刻,蝕刻液作用在待蝕刻圖案100所對應的金屬基材10的一表面11形成多個凹面400,處于凹面400的蝕刻液進一步作用在相鄰待蝕刻圖案100之間的區域所對應的金屬基材10,即進一步蝕刻凹面400的邊緣,以縮小或去除相鄰凹面400之間的間隔,進而形成3d紋理圖。
蝕刻液作用在待蝕刻圖案100所對應的金屬基材10的一表面11初步形成多個凹面400后,繼續蝕刻,使得位于凹面400中的蝕刻液到待蝕刻圖案100之間的菲林層以下,因此凹面400的邊緣已經不受菲林層的保護,所以蝕刻液將進一步蝕刻凹面400的邊緣,以縮小或去除相鄰凹面400之間的間隔。
圖3是步驟s101執行之后的金屬基材10的俯視示意圖;圖4是步驟s102執行之后的金屬基材10的俯視示意圖。
參見圖3,可選地,一實施方式中對金屬基材10的一表面11進行菲林曝光,菲林層上形成多個待蝕刻圖案100及位于相鄰的待蝕刻圖案100之間的保護圖案200。本實施例中,待蝕刻圖案100包括相互鄰近間隔分布的第一待蝕刻圖案110、第二待蝕刻圖案120及第三待蝕刻圖案130。參見圖4,步驟s102執行時,第一待蝕刻圖案110、第二待蝕刻圖案120及第三待蝕刻圖案130對應的金屬基材10的一表面11被蝕刻液蝕刻進而于金屬基材表面形成凹面400;該凹面400對應于第一待蝕刻圖案110、第二待蝕刻圖案120及第三待蝕刻圖案130分別形成第一凹面410、第二凹面420和第三凹面420。上述凹面100初步形成后,位于凹面100中的蝕刻液會繼續蝕刻,直至到達菲林層以下,因此凹面的邊緣已經不受菲林層的保護,所以蝕刻液將進一步蝕刻第一、第二和第三凹面410、420、430的邊緣,以縮小或去除第一凹面410與第二凹面420之間,及第二凹面420與第三凹面430之間的間隔,最終在金屬基材10的一表面11得到圖3所示的3d紋理圖300。本實施例中,相鄰凹面400之間的間隔完全消除,即蝕刻液蝕刻相鄰待蝕刻圖案100之間的區域所對應的金屬基材,直至相鄰待蝕刻圖案100之間的區域所對應的金屬基材表面低于金屬基材的未蝕刻表面。在其他實施例中,相鄰凹面400之間的間隔也可以保留成非常小。
可選地,本實施例中,多個待蝕刻圖案100均為圓形狀,第一待蝕刻圖案110位于金屬基材10的一表面11的中央位置,第二待蝕刻圖案120位于第一待蝕刻圖案110四周,第三待蝕刻圖案130進一步擴散到第二待蝕刻圖案120四周,且第一、第二及第三待蝕刻圖案110、120、130的面積逐漸減小。這種第一、第二及第三待蝕刻圖案110、120、130的面積逐漸減小的設計,能夠使得面積大的待蝕刻圖案110對應的凹面400蝕刻深度比其他待蝕刻圖案120、130所對應的凹面400要深,同樣地,待蝕刻圖案120所對應的凹面400蝕刻深度比待蝕刻圖案130所對應的凹面400要深,再加上凹面400之間的邊緣逐漸被蝕刻,最終形成的效果是形成如圖4所示的多個凹面400連成一體的結構,此一體的結構中央較低而邊緣較高,形成獨特的制作方能定義的3d紋理。在其他實施例中第一、第二及第三待蝕刻圖案110、120、130的面積也可以是逐漸增大。可以理解的,在其他實施例中,多個待蝕刻圖案100的形狀、面積大小均可根據最終要得到的3d紋理來設計,并不限制于上述簡單變化的圖案形狀。
可選地,在其他實施例中,也可以是中間待蝕刻圖案的密度比較大,然后向四周擴散的待蝕刻圖案的密度逐漸減少。
可選地,在其他實施例中,3d紋理圖300包括多組,形成在金屬基材10的一表面11,每組3d紋理圖300的形狀大小可相同或者不同。
參見圖5和圖6,圖5為本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的另一實施例方式的流程示意圖;圖6為該實施方式形成的金屬基材一角度的截面示意圖。該方法包括:
s201:對金屬基材10的一表面11進行菲林曝光,其中菲林層上排布有相互間隔的多個待蝕刻圖案100。
s202:對金屬基材10的一表面11進行蝕刻,以形成3d紋理圖300。
s203:對3d紋理圖300表面進行鐳雕。
經過步驟s201和s202之后形成的3d紋理圖300表面存在邊角或毛刺,或存在沒有完全消除的存在兩個凹面400之間的間隔,進而導致3d圖案300的表面不順滑,通過鐳雕即可得到如圖6所示的具有光滑表面的3d紋理圖300。可選地,采用激光鐳雕,鐳雕采用激光波長為266-1064nm,工作電流7-18a,功率密度為100—109w/cm2。具體的,激光鐳雕的加工原理是通過激光束作用于材料表面,使材料吸收激光能量而汽化蒸發,不需要通過與材料的接觸來進行。
可選地,在其他實施例中,還包括對金屬基材10的一表面11進行后處理。該后處理包括:拋光、噴砂、陽極氧化及清洗。這樣能夠保證金屬基材10的一表面11的平整度和清潔度。
參見圖7,為本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的又一實施例方式的流程圖。該方法包括:
s301:對金屬基材10的一表面11進行菲林曝光,其中菲林層上排布有相互間隔的多個待蝕刻圖案100。
s302:對金屬基材10的與一表面11的相背的另一表面12進行曝光保護。
具體的,可以對金屬基材10的一表面11和相背的另一表面12均實行曝光,但是一表面11上具有光罩,另一表面12上沒有光罩,且僅僅對一表面11實行蝕刻,對另一表面12不進行蝕刻。通過對另一表面12進行曝光,可以保護另一表面12下的內部結構。
s303:對金屬基材所述表面進行蝕刻,以形成3d紋理圖。
參見圖8,為本發明實現金屬基材表面3d紋理的方法的又一實施例方式的流程圖。該方法包括:
s401:對金屬基材10的前后表面首次浸涂感光油墨。
一般終端的金屬殼體結構復雜,因此需要在菲林曝光蝕刻之前對整體金屬基材10進行浸涂感光油墨,進而保護好金屬殼體里面的結構在后續工藝蝕刻時不被腐蝕破壞。
s402:對金屬基材一表面進行菲林曝光,其中菲林層上排布有相互間隔的多個待蝕刻圖案。
s403:對金屬基材所述表面進行蝕刻,以形成3d紋理圖。
以上實施方式可滿足各式3d金屬圖案的設計要求,通過在菲林層上排布相互鄰近間隔的多個待蝕刻圖案100,在對菲林層下方的金屬基材進行蝕刻的時候,初步蝕刻之后在金屬基材10的一表面11形成凹面400后,繼續蝕刻,直至位于凹面400中的蝕刻液到菲林層以下,因此凹面400的邊緣已經不受菲林層的保護,所以蝕刻液將進一步作用在凹面400的邊緣,以縮小或去除相鄰凹面400之間的間隔,進而形成3d紋理圖300。再結合鐳雕工藝,使3d紋理圖300表面順滑,成型質量高,可復制性強,利于工業規模化生產。
參見圖9,本發明還提供一種終端,該終端包括機身20及設置在機身20上與屏幕相背一側上的外殼10,該外殼10具有如如上實施方式形成的3d紋理圖。
以上所述僅為本發明的實施方式,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。