Amoled的像素測試電路及像素測試電路的測量方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種用于AMOLED產品的線上監控(inline monitor)的像素測試電路及基于該像素測試電路的測量方法。
【背景技術】
[0002]有機發光二極管(OLED)由于具有低成本、低功耗、高亮度、自發光、全彩色、寬視角和易于制作在柔性襯底上等的優點，引起人們廣泛的興趣。在有機發光二極管顯示器中，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting D1de:有源矩陣有機發光二極體面板)產品采用薄膜場效應晶體管(TFT，以下簡稱為晶體管)形成像素電路，來實現OLED的畫面顯不O
[0003]在現行的AMOLED產品設計中，AA區(Active Area:有效顯示區域)的像素電路采用nTmC(n彡4，m彡1，m、η均為正整數)的結構，例如，一般采用4T1C/4T2C/5T1C/6T1C/6T2C/7T1C等的電路設計，其中，T表示晶體管，C表示電容，在進行高解析度產品設計時，對制造工藝的要求比較嚴格。為了更加及時、準確地監控產品，通常在AMOLED產品中設置與各元件相對應的具有測試點的測試電路(testkey)，通過對各個測試電路(testkey)進行測量，來評價AA區的像素電路。
[0004]以往，采用單一像素電路來作為測試電路(testkey),利用TEG(test elementgoup:測試元件組)量測機臺，通過模擬在點亮時(在使有機發光二極管發光時)像素檢測電路的工作狀態，來獲取電流-電壓曲線、晶體管的柵極電壓、漏源電流等的元件參數。
[0005]例如，圖1示出了一個6T1C結構的像素測試電路的例子。該像素測試電路包括:有機發光二極管0LED、第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6、電容C，在該像素測試電路中，這些晶體管均為PMOS晶體管，像素測定電路也可以由NMOS晶體管或者其它的晶體管構成。圖2示出了模擬AA區的像素電路的發光控制信號和掃描信號的時序波形圖。從發光控制信號輸入端EN和掃描信號輸入端SN-1、SN輸入基于圖2示出的時序波形圖的發光控制信號和掃描信號，通過從數據信號輸入端DM寫入數據，改變驅動有機發光二極管OLED發光的亮度控制晶體管(圖中為第二晶體管T2)的柵源電壓，來使該亮度控制晶體管導通，從而進行畫面顯示。
[0006]然而，在采用單一像素電路進行測量而獲得參數的情況下，有時會因為受到像素電路個體之間存在的誤差的影響而不能夠精確地測量出參數，特別是，當單一像素電路出現異常時，利用將單一像素電路作為測試電路來測量出的參數沒有準確度可言，不能夠用來標準化。
【發明內容】
[0007]本發明是鑒于上述問題而提出的，本發明的目的在于，提供一種通過能夠高精度地測量像素電路的參數的像素測試電路及基于該像素測試電路的測量方法。
[0008]根據本發明的一個技術方案，提供一種像素測試電路，其用于通過量測機臺測量AMOLED的像素元件的參數，其包括:多個像素電路組，所述多個像素電路組的任一個包括多個像素電路，所述多個像素電路為相同的電路且彼此連接；以及至少一個開關電路，所述開關電路由多個薄膜場效應晶體管構成，設置于所述多個像素電路組之間，使所述多個像素電路組彼此構成并聯連接；其中所述開關電路用于連接或者斷開所述多個像素電路組的并聯連接。
[0009]根據本發明的另一個技術方案，提供一種通過量測機臺對所述像素測試電路進行測量的測量方法，其包括:第一測量步驟，分別測量每一個所述像素電路組的元件參數的總和；計算步驟，分別計算出通過將在所述第一測量步驟中測量得到的每一個所述像素電路組的所述元件參數的總和除以每一像素電路組中所包括的像素電路的數量而得到的平均值，來作為每一個所述像素電路組的所述元件參數；判斷步驟，對計算出的每一所述像素電路組的所述元件參數進行比較，判斷每一所述像素電路組的所述元件參數之間的差值是否都在容許范圍內；排除步驟，排除特定像素電路，其中所述特定像素電路為在所述判斷步驟中判斷為與其它的所述像素電路組的元件參數之間的差值不在容許范圍內的至少一個所述像素電路組；第二測量步驟，在所述判斷步驟中判斷為每一個所述像素電路組的所述元件參數都在容許范圍內的情況下，或者在所述排除步驟中排除了所述特定像素電路的情況下，測量所有所述像素電路或者剩余的所有所述像素電路的所述元件參數的總和；以及獲取步驟，分別計算出通過在所述第二測量步驟中測量得到的所有所述像素電路的所述元件參數的總和除以所有所述像素電路的數量而得到的平均值，來作為所述像素測試電路的單個像素電路的元件參數。
[0010]根據本發明，在對像素測試電路進行測量以獲得像素電路的元件參數時，能夠消除像素電路個體之間的偏差帶來的影響，獲得精度較高的像素電路元件參數。
【附圖說明】
[0011]圖1是表示一種現有技術中的有機發光二極管顯示器的采用單一像素元件的測試電路圖。
[0012]圖2是表示模擬AA區的像素電路的發光控制信號和掃描信號的時序波形圖。
[0013]圖3是表示本發明的實施方式的像素測試電路的一部分的電路圖。
[0014]圖4是表示本發明的實施方式的像素測試電路的另一部分的電路圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖，對本發明的實施方式進行說明。其中，為了便于說明，對相同或相似的設備或信號標注相同的附圖標記。
[0016]圖3是表示本發明的實施方式的像素測試電路所包含的像素電路組的部分電路I的電路圖。在本實施方式中，像素電路組包括100個相同的單一像素元件的像素電路，該100個像素電路彼此并聯連接。圖3示出的部分電路I是示出了兩個單一像素元件的像素電路11、12并聯而成的測試電路。
[0017]具體來說，將第一像素電路11的電源端VDD與第二像素電路12的電源端VDD連接，將第一像素電路11的信號輸出端Output與第二像素電路12的信號輸出端Output連接，將第一像素電路11的預設電壓端VIN與第二像素電路12的預設電壓端VIN連接，將第一像素電路11的數據信號輸入端DM與第二像素電路12的數據信號輸入端DM連接，將第一像素電路11的前排掃描信號輸入端SN-1與第二像素電路12的前排掃描信號輸入端SN-1連接，將第一像素電路11的當前掃描信號輸入端SN與第二像素電路12的當前掃描信號輸入端SN連接，將第一像素電路11的發光控制信號輸入端EN與第二像素電路12的發光控制信號輸入端EN連接，將第一像素電路11的第三晶體管的漏極與第二像素電路12的第三晶體管的漏極連接，將第一像素電路11的第六晶體管的源極與第二像素電路12的第六晶體管的源極連接，將第一像素電路11的第五晶體管的漏極與第二像素電路12的第五晶體管的漏極連接。
[0018]通過將這兩個相同的像素電路11、12并聯在一起，能夠對兩者施加相同的電源電壓，寫入相同的有關光的亮度、灰度之類的灰階數據，以及輸入相同的發光控制信號和掃描信號。由此，能夠測量出兩個像素電