補償amoled電壓降的方法及系統的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種補償AMOLED電壓降的方法及系統。
【背景技術】
[0002] 有機發光二極管（Organic Light Emitting Display，0LED)顯示裝置具有自發 光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍 寬，可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示 裝置。
[0003] 0LED按照驅動方式可以分為無源驅動和有源驅動兩大類，即直接尋址和薄膜晶體 管（Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，有源驅動也稱為有源矩陣（Active Matrix，AM)型，AMOLED中的每個發光單元都由TFT尋址獨立控制。發光單元和TFT尋址電 路組成的像素結構需要通過導線對其加載直流電源電壓（〇Vdd)進行驅動。
[0004] 隨著時代及技術的進步，大尺寸、高分辨率的AMOLED顯示裝置逐漸發展起來，相 應的，大尺寸AMOLED顯示裝置也需要較大尺寸的面板及較多數量的像素，面板導線長度 將越來越長，導線電阻也越大。不可避免的，電源電壓（〇Vdd)會在導線上產生電壓降（IR Drop)，導線的電阻值使得每一個像素電路獲得的電源電壓不同，從而使得在相同的數據信 號電壓輸入下，不同的像素有不同的電流、亮度輸出，導致整個面板的顯示亮度不均勻，并 且畫面不同，像素的IR drop也會跟著不同。
[0005] 圖1所示為一種大尺寸AMOLED顯示裝置的結構示意圖，該AMOLED顯示裝置為 OVdd單驅型，包括顯示面板l、0Vdd走線2、X向基板（Xboard)3、覆晶薄膜端（Chip On Film， C0F)端4。通常，在靠近C0F端4即靠近OVdd電源供電位置區域的電源電壓相比離供電位 置較遠區域的電源電壓要高。圖2所示為圖1所示AMOLED顯示裝置中一個像素的驅動電 路圖，由兩個N型薄膜晶體管T10、T20與一個電容C10組成，即最常見的2T1C結構，其中第 一薄膜晶體管T10為開關薄膜晶體管，受掃描信號Gate控制，用于傳遞數據信號Data，第二 薄膜晶體管T20為驅動薄膜晶體管，受數據信號Data控制，用于驅動有機發光二極管0LED 發光，電容C10為存儲電容。該2T1C結構的像素驅動電路，僅能起到將電壓變換為電流從 而驅動有機發光二極管發光的作用，不具有任何補償功能。
[0006] 圖3所示為現有的一種55英寸AMOLED顯示面板的亮度分布圖，此時，畫面灰階是 255。如圖3所示，該顯示面板的最大亮度為111. 6，最低亮度為88. 1，結合圖4,設最大亮度 值111. 6為100%亮度，以最大亮度值為基準將其余位置的亮度值轉換為最大亮度值的百 分比形式，則最低的亮度值僅為78. 9%，可見該AMOLED顯示面板的亮度均勻性較差。進一 步地，請參閱圖5,圖5為圖3所示AMOLED顯示面板中一個像素的驅動電路圖，由三個N型 薄膜晶體管T10、T20、T30與一個電容C10組成，即3T1C結構，其中，第一薄膜晶體管T10仍 為開關薄膜晶體管，第二薄膜晶體管T20仍為驅動薄膜晶體管，增設的第三薄膜晶體管T30 接入一外部信號線monitor line，電容C10為存儲電容。該3T1C結構的像素驅動電路能夠 補償有機發光二極管0LED及驅動薄膜晶體管T20的閾值電壓，但無法補償IR Drop，所以 AMOLED顯示面板的亮度均勻性依舊較差。
[0007] 上述圖5所示的3T1C結構的像素驅動電路，采用的是AMOLED外部補償方法中的 電性補償，只能補償驅動TFT和0LED的閾值電壓，無法補償IR Drop;此外，AMOLED外部補 償方法還包括光學補償，光學補償雖能補償IR Drop，卻無法做到實時補償。相對的，AMOLED 的補償方法還包括內部補償，AMOLED內部補償只有針對驅動TFT的閾值電壓（Vth)或溝道 迀移率（i〇做補償，很少能補償IR drop。內部補償電路要補償IR Drop，由于多設置了多 個TFT和電容，開口率會犧牲很多，所需控制信號也較多。
【發明內容】
[0008] 本發明的目的在于提供一種補償AMOLED電壓降的方法，能夠改善AMOLED顯示面 板的亮度均勻性，解決由IR Drop引起的亮度不均問題。
[0009] 本發明的目的還在于提供一種補償AMOLED電壓降的系統，能夠改善AMOLED顯示 面板的亮度均勻性，解決由IR Drop引起的亮度不均問題。
[0010] 為實現上述目的，本發明首先提供一種補償AMOLED電壓降的方法，包括如下步 驟：
[0011] 步驟1、提供一 AMOLED顯示面板，包括：計算單元、存儲單元、補償單元、及多個像 素驅動電路；所述像素驅動電路至少包括兩個N型薄膜晶體管、一個電容、及一個有機發光 二級管，其中連接有機發光二極管的N型薄膜晶體管為驅動薄膜晶體管；
[0012] 首先使用存儲單元將串聯于同一電源走線上的各個像素驅動電路的電源電壓均 設置為標準電源電壓，即設置：
[0013] 0Vdd1=0Vdd2=...... = OVdd^^ OVdd n= OVdd (1)
[0014] 其中，0￥(1(11、0￥(1(12、0￥(1(111_1、0￥(1(1 11分別表示第1個、第2個、第11-1個、第11個像素 驅動電路的電源電壓，OVdd表示標準電源電壓；
[0015] 步驟2、計算單元從存儲單元中讀取各個像素驅動電路的電源電壓，并計算出對應 于各個像素驅動電路的電源電壓的驅動電流，計算公式為：
[0016] VGSi= Vdataj-^Si+AVSi) (2)
[0017] VDSi= OVddi-^Si+AVSi) (3)
[0018] IdSi= KX (VGS「|Vth|)2X (1+入? VDS) (4)
[0019] IdSi表示第i個像素驅動電路的的驅動電流，K表示各個像素驅動電路中驅動薄 膜晶體管的結構參數，VGSi表示第i個像素驅動電路中驅動薄膜晶體管的柵源極電壓，Vth 表示各個像素驅動電路中驅動薄膜晶體管的閾值電壓，A表示一系數，VDSi表示第i個像 素驅動電路中驅動薄膜晶體管的源漏極電壓；
[0020] Vdatai表示預輸入第i個像素驅動電路的數據信號電壓的初始值，VS i表示第i個 像素驅動電路中驅動薄膜晶體管的源極電壓，AVSi表示VS i的變化值；
[0021] i = l，2，......n;
[0022] 步驟3、計算單元依據步驟2計算出的各個像素驅動電路的驅動電流1(181至Ids n， 反求各個像素驅動電路的電源電壓〇^(1(11至OVdd n，計算公式為：
[0023]
【主權項】
1. 一種補償AMOLED電壓降的方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供一 AMOLED顯示面板，包括：計算單元、存儲單元、補償單元、及多個像素驅 動電路；所述像素驅動電路至少包括兩個N型薄膜晶體管、一個電容（C)、及一個有機發光 二級管（OLED)，其中連接有機發光二極管（OLED)的N型薄膜晶體管為驅動薄膜晶體管； 首先使用存儲單元將串聯于同一電源走線（L)上的各個像素驅動電路的電源電壓均 設置為標準電源電壓，即設置： OVdd1= OVdd2=...... = OVddn^1= OVddn= OVdd (1) 其中，(^(1(11、(^(1(12、(^(1(111_ 1、(^(1(111分別表示第1個、第2個、第11-1個、第11個像素驅動 電路的電源電壓，OVdd表示標準電源電壓； 步驟2、計算單元從存儲單元中讀取各個像素驅動電路的電源電壓，并計算出對應于各 個像素驅動電路的電源電壓的驅動電流，計算公式為： VGSi = Vdata 廠(VSi+ A VSi) (2) VDSi= OVdd -(VSi+A VSi) (3) Idsi= KX (VGS「|Vth|)2X (1+入? VDSi) (4) Idsi表示第i個像素驅動電路的的驅動電流，K表示各個像素驅動電路中驅動薄膜晶 體管的結構參數，VGSi表示第i個像素驅動電路中驅動薄膜晶體管的柵源極電壓，Vth表示 各個像素驅動電路中驅動薄膜晶體管的閾值電壓，A表示一系數，VDS i表示第i個像素驅 動電路中驅動薄膜晶體管的源漏極電壓； Vdatai