像素電路及其驅動方法及一種有源矩陣有機發光顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及有機發光顯示技術領域，尤其涉及一種可有效改善TFT器件漏電流 偏大帶來的顯示不良的有機發光像素電路及其驅動方法W及一種有源矩陣有機發光顯 示裝置。
【背景技術】
[0002] 在平板顯示技術中，AM0LED(ActiveMatrixOr阱nicLi曲t血ittingDiode有 源矩陣有機發光顯示器件）W其輕薄、主動發光、響應速度快、廣視角、色彩豐富及高亮度、低 功耗、耐高低溫等優點，已被應用于高性能和大尺寸顯示中，并逐步成為顯示領域的新一代顯 示技術。
[0003] 目前AM0LED顯示技術多采用LTPS化OWTemperaturePol}f-silicon-低溫多晶 娃）工藝來實現，是因為與一般的Amo巧housSI(非晶娃）工藝相比，LTPS實現的薄膜晶體 管具有更高的電子遷移率和更高的穩定性。然而，LTPS工藝實現的薄膜晶體管的器件漏電 流Iwf會影響器件的穩定性與性能。因此現有技術中通過補償晶體管開啟電壓來減小Iwf 帶來的影響提高顯示電路的穩定性。
[0004] 結合圖1所示的像素電路和圖2所示的驅動方法對像素電路的發光過程進行說 明，其中VDD表示第一電源，VSS表示第二電源，Vinit表示第H電源。
[000引tl時間段為初始化階段：行掃描線Sn-1為低電平，行掃描線Sn、發光控制信號En、數據電壓信號Dm為高電平，此時只有晶體管T6導通，0L邸器件關閉，晶體管T2的柵極 電壓Vg被初始化，此時晶體管T2的柵極電壓Vg=Vinit。
[0006]t2時間段為數據寫入階段：行掃描線Sn-1、發光控制信號化為高電平，行掃描 線Sn、數據電壓信號Dm為低電平，此時晶體管T1和T3導通，晶體管T2W二極管的形式 工作，晶體管T2的源極電壓即為數據電壓信號Dm的電壓VDm，因此晶體管T2的柵極電壓 Vg=VDm-IVthI，Vth為晶體管T2的闊值電壓。
[0007] 口時間段為發光階段：發光控制信號化為低電平，行掃描線Sn-1和行掃描線 Sn均為高電平。發光控制信號化使得晶體管T2的源極電壓Vs為V孤，晶體管T2的柵 極電壓Vg保持在VDm-IVthI;晶體管T2的柵源極間的電壓Vsg根據下述公式得到： Vsg=Vs-Vg=V孤-(VDm-IVthI)，則Vsg-IVthI=V孤-VDm。該樣即使晶體管T2 的闊 值電壓Vth有變化，晶體管T2的上的電壓也能保持穩定，進而經過晶體管T2的驅動電流保 持穩定，實現了一定程度的補償效果。但是實際像素電路工作時并不能如上述公式中體現 的那樣理想，因為晶體管T2的柵極與晶體管T6的源極電連接，因此當晶體管T6的漏電/ 闊值電壓發生變化時，會影響到晶體管T2的柵極電壓，即仍然會因為晶體管T6存在的漏電 流導致晶體管T2電壓的不穩定，從而影響到經過晶體管T2的驅動電流進而影響0L邸器件 驅動電流的穩定性，破壞畫面品質。
【發明內容】
[000引本發明所要解決的技術問題是現有技術中的像素電路由于晶體管的漏電流和闊 值電壓不穩定導致的0L邸器件驅動電流不穩定影響畫面品質，從而提供一種能夠抵消晶 體管闊值電壓波動的像素電路及其驅動方法，并提供一種應用該像素電路和驅動方法的有 源矩陣有機發光顯示裝置。
[0009]為解決上述技術問題，本發明是通過W下技術方案實現的：
[0010] 本發明提供一種像素電路，包括；0L邸器件、晶體管T1-T6,電容器C1、電容器C2 W及儲能元件；
[0011] 所述晶體管T1，其柵極與行掃描線Sn、所述電容器C2的第一端和所述晶體管T3 的柵極電連接；其第一端與所述晶體管T4的第二端和所述晶體管T2的第一端電連接；其 第二端與數據電壓信號電連接；
[0012] 所述晶體管T2,其柵極與所述晶體管T3的第一端、所述晶體管T6的第一端、所述 電容器C2的第二端、所述電容器C1的第二端和所述儲能元件的第一端電連接；其第二端與 所述晶體管T3的第二端和所述晶體管T5的第一端電連接；
[0013] 所述晶體管T4,其柵極與發光控制信號化和所述晶體管T5的柵極電連接；其第 一端與第一電源和所述電容器C1的第一端電連接；
[0014] 所述晶體管T5,其第二端與所述0L邸器件的陽極電連接；
[0015]所述晶體管T6,其柵極與行掃描線Sn-1和所述儲能元件的第二端電連接；其第二 端與第H電源電連接；
[0016] 所述電容器C1，其第一端與第一電源電連接；
[0017] 所述儲能元件，其第二端與行掃描線Sn-1、所述晶體管T6的柵極電連接；
[0018] 所述0L邸器件的陰極與第二電源電連接。
[0019] 上述的像素電路，所述儲能元件為電容器C3。
[0020] 上述的像素電路，所述電容器C3大于或等于0. 03PF。
[0021] 上述的像素電路，所述電容器C3大于或等于0. 5PF。
[0022] 上述的像素電路，所述晶體管T1-T6均為P溝道金屬氧化物半導體晶體管。
[0023] 上述的像素電路，所述第一電源為高電平電源，所述第二電源為低電平電源。
[0024] 本發明還提供一種驅動上述像素電路的驅動方法，掃描周期包括如下時間段：
[0025] 初始化；控制行掃描線Sn、發光控制信號化、數據電壓信號為高電平，行掃描線 Sn-1為二階W上低電平信號；
[0026] 數據寫入；控制行掃描線Sn-1、發光控制信號化為高電平；行掃描線Sn、數據電 壓信號為低電平；
[0027]發光；控制發光控制信號化為低電平，行掃描線Sn-1、行掃描線Sn、數據電壓信號 均為高電平。
[002引上述的驅動方法，所述初始化時階段中，行掃描線Sn-1為四階低電平信號。
[0029] 本發明還提供一種有源矩陣有機發光顯示裝置，包括上述的像素電路。
[0030] 上述的有機發光顯示裝置，采用所述的驅動方法驅動所述像素電路。
[0031] 本發明的上述技術方案相比現有技術具有W下優點：
[0032] (1)本發明所述的像素電路，通過在晶體管T2的柵極和晶體管T6的柵極之間串聯 有儲能元件電容器C3,相當于將晶體管T6的闊值電壓的信息存儲到電容器C3上，該樣晶體 管T6的闊值電壓發生波動時，可W通過電容器C3的充電或者放電來進行補償。上述方案 有效避免了現有技術中晶體管T2的柵極電壓被晶體管T6的漏電影響導致發光不均勻的問 題。
[0033] (2)本發明所述的像素電路，所述電容C3大于或等于0. 03PF，進一步地，所述電容 C3大于或等于0. 5PF。在選擇電容器C3的大小時，也要考慮到工藝條件和版圖空間的限 巧1|，因為電容器本身也需要占用一定的空間，在像素電路制備過程中，根據電容器設置位置 所剩余的空間結合對像素電路的發光均勻度要求來綜合考量電容器C3的大小，例如如果 針對現有4. 6Inch設計，電容器C3可W設計為0.IpF。而電容器C3按上述取值選擇，經過 試驗，可W將晶體管T2的柵極電壓的保持率有效提高。
[0034] (3)本發明所述的驅動方法，在初始化階段行掃描線Sn-1為二階低電平信號或多 階低電平信號，能夠使得電壓的變化過程較為平緩。由于行掃描線Sn-1與晶體管T6的柵 極電連接，通過該種階梯式的低電位可W有效減弱開關電壓瞬間關閉時晶體管T6內部寄 生電容Cgd產生的化edThrou曲電壓姐兆變電壓）的影響，可W進一步保證0L邸器件發光 的均勻性。
【附圖說明】
[0035]為了使本發明的內容更容易被清楚的理解，下面結合附圖，對本發明作進一步詳 細的說明，其中，
[0036]圖1是本發明【背景技術】所述像素電路的像素電路圖；
[0037] 圖2是本發明所述【背景技術】所述像素電路的驅動時序圖；
[0038] 圖3是本發明一個實施例所述有源矩陣有機發光顯示裝置的像素電路圖；
[0039] 圖4本發明一個實施例所述像素電路圖；
[0040] 圖5是本發明一個實施例所述驅動時序圖；
[0041] 圖6本發明一個實施例所述驅動時序圖。
[0042] 圖中附圖標記表示為：110-像素電路，120-掃描驅動器，130-數據驅動器，140-發 射控制驅動器。
【具體實施方式】<