發光裝置與顯示裝置的制作方法

本申請為2013年11月12日提交的中國專利申請號為201310560533.0發明名稱為發光元件與顯示裝置的專利申請的分案申請，將其全部內容結合于此以供參考。

本公開涉及一種發光裝置和顯示裝置。

背景技術：

近年來，人們對采用有機電致發光裝置(也簡稱為“有機el元件”)的有機電致發光顯示裝置(下文中，也簡稱為“有機el顯示裝置”)的關注逐漸增加。有機el顯示裝置屬于自發光類型，并且具有消耗功率低的特性。有機el顯示裝置被認為具有對于非常鮮明的高速視頻信號足夠的敏感性，并且其發展和商業化已經朝向實際應用邁進。

有機el顯示裝置包括多個發光裝置(包括發光單元elp和被配置為驅動發光單元elp的驅動單元)。具體地，多個發光裝置被布置成在第一方向上n列并且在不同于第一方向上的第二方向上m行的二維矩陣形狀。圖1中示出了有機el顯示裝置的電路圖，并且圖2中示出了包括例如被配置為兩個晶體管和一個電容器單元的驅動單元的發光裝置的等效電路圖。在此，驅動單元被配置為驅動晶體管tr1、圖像信號寫入晶體管tr2以及電容器單元c0，并且連接至電流供應線csl、掃描信號(線)scl以及信號線dtl。組成位于有機el顯示裝置奇數行上的驅動單元的晶體管tr1和tr2以及組成位于偶數行上的驅動單元的晶體管tr1和tr2均對稱地設置成在第一方向上延伸的軸線(被布置成關于在第一方向上延伸的軸線對稱)。即，驅動單元上下交替地設置在奇數行和偶數行。采用這種布局能夠降低整體實現的驅動單元的面積。

技術實現要素：

如上所述，如圖35所示，使用根據現有技術的驅動單元，在驅動單元上下交替地布置在奇數行和偶數行的情況下，可能存在下面描述的問題。具體地，在第二方向上鄰近的像素之間的寄生電容在奇數行與偶數行之間不同。例如，假如“m”是奇數，并且由于組成位于第(m-1)'行的驅動單元的驅動晶體管tr1_m-1的柵電極與組成位于第m行的驅動單元的電容器單元c0_m之間的耦合引起的寄生電容是pcm。此外，假定由于組成位于第m行的驅動單元的驅動晶體管tr1_m的柵電極與組成位于第(m+1)'行的驅動單元的電容器單元c0_m+1之間的耦合引起的寄生電容是pcm+1。在該布置中，寄生電容pcm的值與寄生電容pcm+1的值不同。具體地，保持寄生電容pcm+1>寄生電容pcm。

如果在有機el顯示裝置上顯示圖像，在驅動晶體管tr1的自舉現象被應用于根據將被顯示的亮度將電流發送至發光單元elp。如果在有機el顯示裝置上從上至下執行圖像顯示(即，如果在m值增加的方向上執行圖像顯示)，驅動晶體管tr1的柵電極的電位增量依據寄生電容而變動。具體地，例如，當在包括第(m-1)行的驅動單元位置的像素上、在包括在第m行的驅動單元位置的像素上以及在包括在第(m+1)行的驅動單元位置的像素上顯示具有相同亮度的圖像時，由于寄生電容pcm與pcm+1不同，即使亮度相同，組成位于第(m-1)行的驅動單元的驅動晶體管tr1_m-1的柵電極的電位增量與組成位于第m行的驅動單元的驅動晶體管tr1_m的柵電極的電位增量不同。結果，對于顯示裝置，奇數行與偶數行的亮度不同，并且在視覺上可以識別條形斑點或可以觀察到看起來僅具有一半分辨率的圖像。

即使當設置驅動單元從而使奇數行與偶數行之間不垂直反向時，由于經過來自鄰近像素的耦合，像素可能發射不理想的亮度或均勻度可能惡化，在某些情況下，由于經過來自鄰近信號線dtl的耦合，均勻度可能惡化。

日本待審查專利申請公開第2006-030635號公開了其中設置了用作關于掃描線和信號線的電場遮蔽的金屬圖案的顯示裝置，但是通過該金屬圖案難以充分地解決上述問題。

期望提供具有不易被鄰近像素影響的配置與結構的發光裝置，以及包括該類發光裝置的顯示裝置。

根據實施方式的發光裝置包括：發光單元；以及驅動單元，被配置為驅動發光單元，驅動單元被配置為至少具有(a)包括兩個源極/漏極區、溝道形成區以及柵電極的驅動晶體管，(b)包括兩個源極/漏極區、溝道形成區以及柵電極的圖像信號寫入晶體管，以及(c)電容器單元；對于驅動晶體管，(a-1)一個源極/漏極區連接至在第一方向上延伸的電流供應線，(a-2)另一源極/漏極區連接至發光單元，并且還連接至電容器單元的一端，并且(a-3)柵電極連接至圖像信號寫入晶體管的一個源極/漏極區，并且還連接至電容器單元的另一端；對于圖像信號寫入晶體管，(b-1)一個源極/漏極區連接至在不同于第一方向的第二方向上延伸的數據線，并且(b-2)柵電極連接至在第一方向上延伸的掃描線；驅動晶體管、圖像信號寫入晶體管以及電容器單元均覆蓋有第一層間絕緣層；電流供應線和掃描線形成在第一層間絕緣層上；第一層間絕緣層、電流供應線以及掃描線均覆蓋有第二層間絕緣層；數據線形成在第二層間絕緣層上；并且在第一方向延伸的遮蔽層設置在介于一個發光裝置與鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的第二層間絕緣層上。應注意，如后面將要描述的，如果第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層的層壓配置，則遮蔽層可以設置在第二層間絕緣層的下層或可以設置在第二層間絕緣層的上層或可以在第二方向上設置在第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層。

對于根據上述配置的發光裝置，在第一方向上延伸的遮蔽層(在下文中，為方便起見，稱之為“第一遮蔽層”)設置在介于一個發光裝置與在第二方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的第二層間絕緣層上。

根據本公開的實施方式的發光裝置包括：發光單元；以及驅動單元，被配置為驅動發光單元，遮蔽層設置在一個發光裝置與鄰近所述一個發光裝置的發光裝置之間；遮蔽層由間隔布置的多個柱形導體部構成；當從導體部的軸線方向觀看遮蔽層時，多個柱形導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。

對于根據上述配置的發光裝置，第一遮蔽層設置在一個發光裝置與鄰近所述一個發光裝置的發光裝置之間，第一遮蔽層由間隔布置的多個柱形導體部(在下文中，為方便起見，稱之為“第一導體部”)構成，并且當從第一導體部的軸線方向觀看第一遮蔽層時，多個柱形第一導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。

根據本公開的實施方式的發光裝置包括：發光單元；以及驅動單元，被配置為驅動發光單元，驅動單元至少包括驅動晶體管、圖像信號寫入晶體管以及電容器單元；電容器單元被設置在相比于驅動晶體管與圖像信號寫入晶體管被設置在水平高度(level，水平面)更高的水平高度；并且遮蔽層的水平高度被設置為等于或低于設置電容器的水平高度并且高于設置驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管的水平高度，遮蔽層設置在一個發光裝置與鄰近所述一個發光裝置的發光裝置之間。

此外，根據本公開的第三實施方式的發光裝置，電容器單元的水平高度被設置為高于設置驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管的水平高度，并且第一遮蔽層的水平高度被設置為等于或低于設置電容器單元的水平高度并且高于設置驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管的水平高度，第一遮蔽層被設置在一個發光裝置與鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間。

顯示裝置由多個根據上述配置的發光裝置構成，多個發光裝置以二維矩陣形狀被布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向上。此外，根據本公開的電子裝置包括根據本公開的顯示裝置。

根據上述配置，發光裝置被設置成不易受到來自鄰近像素的電場影響的配置/結構。即，可以抑制組成一個發光裝置的驅動單元的驅動晶體管的柵電極的電位增量由于鄰近所述一個發光裝置的發光裝置而變動的現象。結果，可以顯示沒有可視覺識別的條紋斑點的具有高均勻度的圖像，并且不會發生觀察的圖像出現僅具有其一半分辨率的現象，并且像素不會發出具有不理想的亮度的光。

附圖說明

圖1是組成包含在根據第一實施方式的顯示裝置或電子裝置內的顯示裝置的電路的示意圖；

圖2是根據第一實施方式的2tr/1c驅動單元的等效電路；

圖3是根據第一實施方式的發光裝置的示意性部分截面圖；

圖4是示意性示出根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖5是沿著圖4中的箭頭v-v截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖6是沿著圖4中的箭頭vi-vi截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖7是沿著圖4中的箭頭vii-vii截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖8a和圖8b分別是沿著圖4中的箭頭viiia-viiia和箭頭viiib-viiib截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖9a和圖9b分別是沿著圖4中的箭頭ixa-ixa和箭頭ixb-ixb截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖10a和圖10b分別是沿著圖4中的箭頭xa-xa和箭頭xb-xb截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖11a和圖11b分別是沿著圖4中的箭頭xia-xia和箭頭xib-xib截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖12是示意性示出在基板表面的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖13是示意性示出在第一層間絕緣層的表面的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖14是示意性示出在第二層間絕緣層的下層的表面的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖15是示意性示出在第二層間絕緣層的上層的表面的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖16是以與沿著圖4中的箭頭xvi-xvi截取方式相同的方式截取的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖17是以與沿著圖4中的箭頭xvii-xvii截取方式相同的方式截取的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖18是以與沿著圖4中的箭頭xviii-xviii截取方式相同的方式截取的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖19a和圖19b分別是以與沿著圖4中的箭頭xixa-xixa和箭頭xixb-xixb截取方式相同的方式截取的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖20是示意性示出在第一層間絕緣層的表面的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖21是示意性示出在第二層間絕緣層的下層的表面的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖22是示意性示出在第二層間絕緣層的上層的表面的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖23是示意性示出根據第三實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態的示圖；

圖24a和圖24b分別是以與沿著圖23中的箭頭xxiva-xxiva和箭頭xxivb-xxivb截取方式相同的方式截取的根據第三實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖25a和圖25b分別是以與沿著圖23中的箭頭xxva-xxva和箭頭xxvb-xxvb截取方式相同的方式截取的根據第三實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖26a和圖26b分別是以與沿著圖23中的箭頭xxvia-xxvia和箭頭xxvib-xxvib截取方式相同的方式截取的根據第三實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖；

圖27是示意性示出根據第一實施方式至第三實施方式的2tr/1c驅動單元的驅動時序圖的示圖；

圖28a、圖28b、圖28c、圖28d、圖28e和圖28f是示意性示出組成根據第一實施方式至第三實施方式的2tr/1c驅動單元的各個晶體管的導通/截止狀態的示圖；

圖29是3tr/1c驅動單元的等效電路圖；

圖30是示意性示出3tr/1c驅動單元的驅動時序圖的示圖；

圖31是4tr/1c驅動單元的等效電路圖；

圖32是示意性示出4tr/1c驅動單元的驅動時序圖的示圖；

圖33是5tr/1c驅動單元的等效電路圖；

圖34是示意性示出5tr/1c驅動單元的驅動時序圖的示圖；以及

圖35是根據現有技術的驅動單元的等效電路圖。

具體實施方式

在下文中，將基于參照附圖的實施方式描述本公開，但是本公開并不限制于實施方式，并且實施方式中的各種數值和材料均是示例。應注意，將按照下列順序進行描述。

1.關于根據本公開的第一形式至第三形式的發光裝置、顯示裝置以及電子裝置的描述

2.第一實施方式(根據本公開的第一形式至第三形式的發光裝置、顯示裝置以及電子裝置)

3.第二實施方式(第一實施方式的變形)

4.第三實施方式(第一實施方式或第二實施方式的變形)

5.第四實施方式(根據第一實施方式至第三實施方式的發光裝置的操作描述)

其他

關于根據本公開的第一形式至第三形式的發光裝置、顯示裝置以及電子裝置的描述。

下面將描述的根據本公開的第一形式至第三形式的發光裝置的各種形式可以應用于包含在根據本公開的顯示裝置和電子裝置內的發光裝置。根據本公開的第一形式至第三形式的發光裝置、根據本公開的第一形式至第三形式的包含在本公開的顯示裝置內的發光裝置以及根據本公開的第一形式至第三形式的包含在本公開的電子裝置內的發光裝置可以統稱為“根據本公開的第一形式的發光裝置等”、“根據本公開的第二形式的發光裝置等”以及“根據本公開的第三形式的發光裝置等”。

對于根據本公開的第一形式或者第三形式的發光裝置等，優選的形式為：第一遮蔽層由間隔布置的多個柱形第一導體部構成，并且當從第一導體部的軸線方向觀看第一遮蔽層時(即，當從上方觀看第一遮蔽層時)，多個第一柱形導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。根據本公開的第一形式的發光裝置等包括該優選形式，第一遮蔽層具有連接至形成在第二層間絕緣層上的遮蔽配線部的形式，根據本公開的第三形式的發光裝置等或根據本公開的第二形式的發光裝置等包括該優選形式，第一遮蔽層具有第一遮蔽層連接至遮蔽配線部的形式。應注意，遮蔽配線部形成在第二層間絕緣層上或形成在第二層間絕緣層內。

此外，根據本公開的第一形式的發光裝置等包括上述各種優選形式，在布置在第二方向上的發光裝置中，當假定m是奇數時，第m發光裝置和第(m+1)發光裝置被設置為關于第m發光裝置與第(m+1)發光裝置之間的在第一方向上延伸的邊界線而線對稱，并且第一遮蔽層可具有第一遮蔽層至少被設置在第m個發光裝置與第(m+1)個發光裝置之間的形式。此外，對于根據本公開的第三實施方式的包括上述各種優選形式的發光裝置等、根據本公開的第二形式的發光裝置等以及驅動單元均連接至在第一方向上延伸的電流供應線、在第一方向上延伸的掃描線以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的數據線，并且在布置于第二方向上的發光裝置中，當假定m是奇數時，第m發光裝置和第(m+1)發光裝置被設置為關于在第m個發光裝置與第(m+1)個發光裝置之間的第一方向上延伸的邊界線而線對稱，并且第一遮蔽層可具有第一遮蔽層至少被設置在第m發光裝置與第(m+1)發光裝置之間的形式。應注意，為方便起見，在根據本公開的第一形式至第三形式的發光裝置等中的這種形式將被稱為“對稱布置的發光裝置”。應注意，優選的形式為第一遮蔽層形成在邊界線上。

對于這種“對稱布置的發光裝置”，在布置在第二方向上的發光裝置中，可采用在第一方向上延伸的第二遮蔽層被設置在第(m–1)發光裝置與第m發光裝置之間的形式。應注意，為方便起見，“對稱布置的發光裝置”的這種形式將被稱為“包括第二遮蔽層的發光裝置”。在“包括第二遮蔽層的發光裝置”中，優選的形式為第二遮蔽層進一步由間隔布置的多個第二柱形導體部構成，并且當從第二導體部的軸線方向觀看第二遮蔽層時(即，當從上方觀看第二遮蔽層時)，多個第二柱形導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。在此，期望第二遮蔽層連接至形成在第二層間絕緣層內的遮蔽配線部，或期望第二遮蔽層連接至遮蔽配線部。應注意，遮蔽配線部可以形成在如上所述的第二層間絕緣層上，或形成在第二層間絕緣層內。此外，如接下來即將描述的，如果第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的上層與第二層間絕緣層的下層的層壓結構，第二遮蔽層可以被設置在第二層間絕緣層的下層內，或可以被設置在第二層間絕緣層的上層內，或可以被設置在第二層間絕緣層的下層內和第二層間絕緣層的上層內。

此外，對于“包括第二遮蔽層的發光裝置”，諸如根據本公開的第一形式的包括上述優選形式的發光裝置，可以提供其中第二層間絕緣層包括第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層的層壓配置的形式，第一遮蔽層被設置在第二層間絕緣層的下層，并且具有與第一遮蔽層相同配置的在第一方向上延伸的第三遮蔽層被設置在位于第一遮蔽層上方的第二層間絕緣層的上，并且第三遮蔽層連接至遮蔽配線部。此外，對于“包括第二遮蔽層的發光裝置”，諸如根據本公開的第一形式的包括這種形式的發光裝置，可以提供其中第二層間絕緣層包括第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層的層壓配置的形式，第二遮蔽層被設置在第二層間絕緣層的下層，并且具有與第二遮蔽層相同配置的在第一方向上延伸的第四遮蔽層被設置在位于第二遮蔽層上方的第二層間絕緣層的上層，并且第四遮蔽層連接至遮蔽配線部。

此外，對于“對稱布置的發光裝置”，諸如根據本公開的第一形式的發光裝置，可以提供其中第二層間絕緣層包括第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層的層壓配置的形式，第一遮蔽層被設置在第二層間絕緣層的下層，并且具有與第一遮蔽層相同配置的在第一方向上延伸的第三遮蔽層被設置在位于第一遮蔽層上方的第二層間絕緣層的上層，并且第三遮蔽層連接至遮蔽配線部。

此外，對于根據本公開的第一形式的包括上述各種優選形式的發光裝置，可以提供其中在第二方向上延伸的第二方向遮蔽層被設置在一個發光裝置與在第一方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的第二層間絕緣層的形式。應注意，如果第二層間絕緣層具有如上所述的第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層的層壓配置，則第二方向遮蔽層可以被設置在第二層間絕緣層的下層內，或可以被設置在第二層間絕緣層的上層內，或可以被設置在第二層間絕緣層的下層內和第二層間絕緣層的上層內。此外，對于“對稱布置的發光裝置”，諸如根據本公開的第二至第三形式的包括上述各種優選形式的發光裝置，可以提供其中在第二方向上延伸的第二方向遮蔽層被設置在一個元件與在第一方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的形式。

對于根據本公開的第二和第三形式的包括上述各種優選形式的發光裝置，驅動單元更具體地被配置為至少包括：(a)驅動晶體管，包括兩個源極/漏極區、溝道形成區以及柵電極，(b)圖像信號寫入晶體管，包括兩個源極/漏極區、溝道形成區以及柵電極，以及(c)電容器單元；對于驅動晶體管，(a-1)一個源極/漏極區連接至電流供應線，(a-2)另一個源極/漏極區連接至發光單元，并且還連接至電容器單元的一端，并且(a-3)柵電極連接至圖像信號寫入晶體管的另一源極/漏極區，并且還連接至電容器單元的另一端；對于圖像信號寫入晶體管，(b-1)一個源極/漏極區連接至數據線，并且(b-2)柵電極連接至掃描線。

第一層間絕緣層和第二層間絕緣層(第二層間絕緣層的下層和第二層間絕緣層的上層)的部件材料的實例包括諸如二氧化硅(sio2)、硼磷硅玻璃(bpsg)、磷硅玻璃(psg)、硼硅玻璃(bsg)、砷硅玻璃(assg)、鉛硅玻璃(pbsg)、氮氧化硅(sion)、sog(旋涂玻璃)、低熔點玻璃以及玻璃糊劑的二氧化硅材料，氮化硅材料，氧化鋁以及諸如諾活拉克樹脂、丙烯酸樹脂、聚苯并唑樹脂、多羥苯乙烯樹脂等的感光聚酰亞胺樹脂或者絕緣樹脂。根據現有技術(諸如各種cvd方法、各種pvd方法(包括濺射)、各種涂敷法、各種印刷方法等)的工藝可用于形成層間絕緣層。第一層間絕緣層和第二層間絕緣層可被配置為相同的材料或可被配置為不同的材料。此外，第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層可被配置為相同的材料或可被配置為不同的材料。

在下文中，組成第三遮蔽層、第四遮蔽層以及第二方向遮蔽層的導體部可以分別被稱為“第三導體部”、“第四導體部”以及“第二方向遮蔽層的導體部”，并且第一導體部、第二導體部、第三導體部以及第四導體部可以統一簡稱為“第一導體部等”。此處，優選形式為第三遮蔽層和第四遮蔽層由間隔離布置的多個第三柱形導體部和第四柱形導體部構成，并且當從第三導體部和第四導體部的軸線方向觀看第三遮蔽層和第四遮蔽層時(即，當從上方觀看第三遮蔽層和第四遮蔽層時)，第三導體部和第四導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。當在包括第一導體部等的軸線的實際水平高度(實際垂直面)上突出第一導體部時，第一導體部被布置成重疊狀態或被布置成非重疊狀態。如果是后者，對于突出的圖像，在第一導體部等與第一導體部等之間可能存在或不存在間隙。第二方向遮蔽層被配置為間隔布置的多個柱形導體部(第二方向遮蔽層的導體部)，但是當從第二方向遮蔽層的導體部的軸線方向觀看第二方向遮蔽層時(即，當從上方觀看第二方向遮蔽層)時，第二方向遮蔽層的多個柱形導體部可以被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案，或可以被布置成一列。在第一導體部與第一導體部之間，或在第二方向遮蔽層的導體部與第二方向遮蔽層的導體部之間填充有環繞這些遮蔽層的層間絕緣層的延伸部。

根據現有技術的用作組成第一導體部等以及第二方向遮蔽層的導體部的材料的導電材料的實例包括銅(cu)、銀(ag)、鋁(al)、鉑(pt)、鈦(ti)、釕(ru)、鉬(mo)、鎢(w)、鎳(ni)。它們的合金也可以是示例。導電性糊料也可用作導電材料。對于第一導體部和第二方向遮蔽層的導體部，基于根據現有技術的方法，可以在層間絕緣層內形成開口部，并且該開口部可以填入導電材料。在某些情況下，可替代地，第一遮蔽層、第二遮蔽層、第三遮蔽層、第四遮蔽層以及第二方向遮蔽層可以通過在層間絕緣層內形成凹部或凹槽部并且在該凹部或者凹槽部填入導電材料而形成。

第一遮蔽層、第二遮蔽層、第三遮蔽層、第四遮蔽層以及第二方向遮蔽層經由遮蔽配線部連接至預定的固定電位，諸如，電源vss或電源vcc和vdd。

對于根據本公開的第一形式至第三形式的包括上述各種優選形式的發光裝置、包括根據本公開的第一形式至第三形式的這種發光裝置的顯示裝置或包括這種顯示裝置的電子裝置(在下文中，這些統稱為“本公開的發光裝置等”)，發光單元和驅動單元被設置在第一基板上。另一方面，第二基板被設置在發光單元上或發光單元上方。例如，發光單元可以具體地被配置為有機電致發光發光單元(有機el發光單元)。更具體地，例如，發光單元由第一電極(例如，陽極電極)、包括發光層的有機層以及第二電極(例如，陰極電極)構成。組成驅動單元的晶體管形成在第一基板上。此外，電容器單元由一個電極、另一個電極以及由這些電極夾置的電介質層(絕緣層)，并且例如分布在第二層間絕緣層內。發光單元經由層間絕緣層(具體地，第一層間絕緣層、第二層間絕緣層等)形成在組成驅動單元的晶體管的上方。驅動晶體管的另一源極/漏極區經由接觸孔連接至設置到發光單元的第一電極。

可以制成其中經由第二基板向外部發射來自每個發光裝置的光的形式。應注意，這種顯示裝置可被稱為“頂面發射型顯示裝置”。可替代地，可以制成其中經由第一基板向外部發射來自每個發光裝置的光的形式。應注意，這種顯示裝置可被稱為“底面發射型顯示裝置”。

有機層包括發光層(例如，由有機發射材料制成的發光層)，但是可具體地由例如孔傳輸層與發光層以及電子傳輸層之間的層壓配置、孔傳輸層與也用作電子傳輸層的發光層之間的層壓配置、以及孔注射層、孔傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注射層等的層壓配置。此外，如果這些層壓配置等被視為“串聯單元”，有機層具有層壓第一串聯單元、連接層、以及第二串聯單元的兩階串聯配置，并且還可以具有層壓三個或多個串聯單元的三階或多階串聯配置，并且在這些情況下，可以獲得有機層，其中，位于每個串聯單元的發射顏色被區分為紅色、綠色、以及藍色，從而作為整體發射出白色。有機層形成方法的實例包括物理汽相沉積法(pvd方法)，諸如真空蒸發方法等；印刷方法，諸如絲網印法或者噴墨式印刷方法；激光轉移法，其中，激光照射在形成在用于傳輸的基板上的激光吸收層與有機層的層壓配置上，從而在激光吸收層上分離出有機層以傳輸有機層；以及各種涂敷法。如果基于真空蒸發方法形成有機層，通過使用所謂的金屬掩膜并且對穿過設置在該金屬掩膜的開口的材料進行沉積可以獲得有機層，或有機層可以形成在沒有圖案的整個表面上。

作為組成在頂面發射型顯示裝置中的第一電極或組成在底面發射型顯示裝置中的第二電極(為方便起見，這些電極將被稱為“光發射電極”)的材料(反光材料)，如果使光發射電極用作陽極電極，該材料的實例包括具有高工作性能值的金屬，諸如鉑(pt)、金(au)、銀(ag)、鉻(cr)、鎢(w)、鎳(ni)、銅(cu)、鐵(fe)、鈷(co)、鉭(ta)、鈦(ti)、鋁(al)、釕(ru)、鉬(mo)、鋅(zn)、錫(sn)以及鋯(zr)以及合金(例如，將銀作為主要成分并且包括質量百分比為0.3：1的鈀(pd)以及質量百分比為0.3：1的銅(cu)的銀-鈀-銅合金，以及諸如鋁-釹合金或者鋁-鈰合金的鋁合金)。此外，如果采用具有小工作性能值并且還具有諸如鋁(al)或包括鋁的合金等高光反射系數的導電材料，通過提供合適的孔注射層提高其孔注射特性，這種導電材料也可用作陽極電極。光發射電極的厚度的實例包括0.1μm到1μm。可替代地，可以形成其中孔注射特性良好的透明導電材料(諸如，氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)等)層壓在具有高光反射系數的反射膜(諸如電介質多層或鋁(al)等)上的配置。另一方面，如果使光發射電極用作陰極電極，期望光發射電極被配置為具有小工作性能值并且還具有高光反射系數的導電材料，但是通過將合適的電子注射層提供給用作陽極電極的具有高光反射系數的導電材料以改進電子注射優先權，光發射電極可以被用作陰極電極。另一方面，作為組成在頂面發射型顯示裝置中的第二電極或組成在底面發射型顯示裝置中的第一電極(為方便起見，這些電極被稱為“半光透過電極”)的材料(半光透過材料或光透過材料)，如果使半光透過電極用作陰極電極，期望半光透過材料被配置為具有高工作性能值的導電材料以透過發射光并且還有效地將電子注射到有機層，并且這種材料的實例包括具有小工作性能的金屬或合金，諸如，鋁(al)、銀(ag)、鎂(mg)、鈣(ca)、鈉(na)、鍶(sr)、銅(cu)、堿金屬或堿土金屬以及銀(ag)(例如，鎂(mg)和銀(ag)合金(mg-ag合金))、鎂和鈣(mg-ca合金)、鋁和鋰合金(al-li合金)等，并且在這些之中，mg-ag合金比較理想，并且mg:ag＝5:1到30:1可以示例為鎂與銀之間的體積比。可替代地，mg:ca＝2:1到10:1示列為鎂與鈣之間的體積比。作為半光透過電極的厚度，為4nm到50nm，優選地為4nm到20nm，更優選地，可以示例為6nm到12nm。可替代地，半光透過電極還可以被配置為透明導電氧化物，更具體地，氧化鋅材料，例如包括，氧化鋅(zno)、摻雜氧化鋁的氧化鋅(azo)、摻雜鎵的氧化鋅(gzo)、內氧化鎵鋅(igzo)、銦鋅復合氧化物(izo)以及摻雜氟的氧化鋅(fzo)；氧化銦材料，包括氧化銦(in2o3)、摻雜錫的氧化銦(ito)以及摻雜氟的氧化錫(fto)；或氧化錫材料，包括氧化錫(sno2)、摻雜銻的氧化錫(ato)，以及摻雜氟的氧化錫(fto)。可替代地，半光透過電極還可具有由上面的導電材料制成的第一層(從有機層一側)與由上面的透明導電氧化物制成的第二層(例如，3×10^-8m到1×10^-6m的厚度)的層壓配置。如果是層壓結構，第一層的厚度降低為1nm至4nm。此外，半光透過電極也可以被配置為單獨的透明電極。可替代地，由低阻抗材料(諸如，鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等)制成的匯流電極(輔助電極)可被設置在半光透過電極以實現作為整個半光透過電極的低阻抗。另一方面，如果使半光透過電極用作陽極電極，期望半光透過電極被配置為傳輸發射光并且還具有極大工作性能值的導電材料。

用于形成第一電極或第二電極的方法的實例包括：蒸發法，包括：電子束蒸發法、熱燈絲蒸發法、以及真空蒸發法、濺射法、化學汽相成長法(cvd方法)或mocvd方法，離子電鍍法和蝕刻法的結合；各種印刷方法，諸如絲網印法、墨噴式印刷法、以及金屬掩模印刷法、電鍍法(電鍍法和無電鍍沉積法)；消散法；激光切除法；溶膠-凝膠法等。根據各種印刷法或電鍍法，可以直接形成具有期望形狀(圖案)的第一電極和第二電極。應注意，如果在形成有機層之后形成第一電極和第二電極，特別期望從用于抑制有機層發生損壞的觀點來基于其中薄膜形成顆粒具有小能量的薄膜形成方法(諸如真空蒸發法)或諸如mocvd方法的薄膜形成方法形成第一電極和第二電極。有機層發生損壞可能導致由于發生漏電流引起的稱為“黑斑點”的非發射元素(或者非發射子像素)。此外，期望從抑制由于空氣中的濕氣導致的有機層惡化的觀點，以在不暴露在空氣中的情況下，執行從有機層的形成到這些電極的形成。在某些情況下，可以省去關于第一電極和第二電極中的一個或另一個的圖案化。

為了抑制濕氣接觸有機層，可以在有機層的上面設置絕緣或導電保護膜。如果顯示裝置是頂面發射型的，期望保護膜被配置為傳輸在有機層產生80％以上的光的材料，并且更具體地，例如，具有關于下列材料的無機不定形性質的絕緣材料可以作為示例。具有無機不定形性質的這種絕緣材料不產生任何顆粒，從而組成具有低水分滲透性的合適的保護膜。具體地，期望采用緊密的(其是透明的從而使光在發光層發出并且不傳輸任何濕氣)材料作為組成保護膜的材料。更具體地，這種材料的實例包括非晶硅(a-si)、不定形碳化硅(a-sic)、不定形氮化硅(a-si1-xnx)、不定形氧化硅(a-si1-yoy)、不定形碳(a-c)、不定形氮氧化硅(a-sion)以及氧化鋁。應注意，如果保護膜被配置為導電材料，則保護膜可以被配置為上面的諸如ito或izo等的透明導電材料。

硅半導體基板或絕緣膜形成在表面上的硅半導體基板可以用作第一基板，并且在這種情況下，組成驅動單元的晶體管可以被配置為場效應晶體管。可替代地，第一基板的實例包括石英玻璃基板、高畸變點玻璃基板、鈉玻璃(na2o·cao·sio2)基板、磷酸鹽玻璃基板、硼硅玻璃(na2o·b2o3·sio2)基板、鎂橄欖石(2mgo·sio2)基板、鉛玻璃(na2o·pbo·sio2)基板、絕緣膜形成在表面上的各種玻璃基板、石英基板、絕緣膜形成在表面上的石英基板、聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯，pmma)、聚乙烯醇(pva)、聚乙烯石炭酸(pvp)、聚醚砜(pes)、聚酰亞胺、聚碳酸酯(pc)、聚對苯二甲酸乙二酯(pet)、聚對苯二甲酸丁二酯(pbt)、聚乙烯萘鈦酸酯(pen)、聚醋酸纖維素、二醋酸纖維素、聚苯硫、聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)、聚偏二氟乙烯、溴化苯氧聚酰胺、聚苯乙烯、多芳基化合物、諸如聚酯砜的聚砜、示例為聚烯烴的的有機聚合物(具有被配置為聚合物材料并且具有彈性的諸如塑料膜、塑料薄片或塑料基板等的聚合物材料形式)。如果第一基板被配置為這些材料，則組成驅動單元的晶體管可被配置為薄膜晶體管。薄膜晶體管可以是底部柵極/頂部接觸型，或可以是底部柵極/底部接觸型，或可以是頂部柵極/頂部接觸型，或可以是頂部柵極/底部接觸型。第二基板還可以被配置為描述為組成第一基板的材料的上述材料。組成第一基板和第二基板的材料可以相同或可以不同。第一基板和第二基板具有單層配置或具有層壓配置。

對于根據本公開的顯示裝置或包含在電子裝置中的根據本公開的顯示裝置，各種電路(諸如電流供應單元、圖像信號輸出電路、掃描電路等)以及各種配線(諸如電流供應線、數據線、掃描線等)的配置和結構可以是根據現有技術的配置和結構。

對于根據本公開的發光裝置，驅動單元可以被配置為由兩個晶體管(驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管)與一個電容器單元(稱之為“2tr/1c驅動單元”)組成的驅動單元、由三個晶體管(驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管以及一個晶體管)與一個電容器單元(稱之為“3tr/1c驅動單元”)組成的驅動單元、由四個晶體管(驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管以及兩個晶體管)與一個電容器單元(稱之為“4tr/1c驅動單元”)組成的驅動單元或由五個晶體管(驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管以及三個晶體管)與一個電容器單元(稱之為“5tr/1c驅動單元”)組成的驅動單元。

根據本公開的顯示裝置或包含在電子裝置中的根據本公開的顯示裝置可具有所謂的單色顯示器的配置或可具有彩色顯示器的配置。如果是后者，可以具有其中一個像素被配置為多個子像素的形式，并且具體地，一個像素被配置為配置成發射紅色的紅色發光子像素、配置成發射綠色的綠色發光子像素以及被配置成發射藍色的藍色發光子像素的三個子像素。在這種情況下，如果組成顯示裝置的發光裝置的數量是n×m，則像素的數量是(n×m)/3。此外，一個像素被配置為其中一種或多種子像素(例如，被配置為發射白光以提升亮度的子像素被添加到一組，被配置為發射補充色以擴大色彩再生范圍的子像素被添加到一組，被配置為發射黃色以擴大色彩再生范圍的子像素被添加到一組，或者被配置為發射黃色和藍綠色以擴大色彩再生范圍的子像素被添加到一組)被添加到這三種子像素中的一組。可替代地，頂面發射型顯示裝置可被配置成使第二基板具有濾色器，發光裝置被配置為發射白光，并且色彩發光子像素被配置為配置成發射白光的發光裝置與濾色器的結合。第二基板可被配置為包括遮光膜(黑底)。同樣，底面發射型顯示裝置被配置成使得第一基板配置成包括濾色器和遮光膜(黑底)。

如上所述，顯示裝置可被配置為有機el顯示裝置。有機el顯示裝置可以用作組成個人計算機、攝影機或數字式靜物攝影機的監控裝置，或用作嵌入在電視接收器、蜂窩電話、個人數字助理(pda)或游戲機的監控裝置。可替代地，有機el顯示裝置可被應用到電子取景器(evf)或頭戴式顯示器(hmd)。此外，有機el顯示裝置可被應用于包括用于液晶顯示裝置的背后照明裝置以及表面光源裝置的照明設備中。

在根據本公開的顯示裝置或包含在電子裝置中的根據本公開的顯示裝置中，對于其中一個像素(或子像素)被配置為一個發光裝置的形式，盡管不局限于此，像素陣列(或子像素)的實例可包括條紋陣列、對角陣列、三角陣列以及矩形陣列。此外，對于其中一個像素(或者子像素)被配置為多個被分組的發光裝置的形式，盡管不局限于此，像素陣列(或子像素)的實例可包括條紋陣列。

第一實施方式

第一實施方式涉及根據本公開的第一形式、第二形式以及第三形式的發光裝置、包括該發光裝置的顯示裝置以及包括該顯示裝置的電子裝置。

圖1示出了根據第一實施方式的組成顯示裝置的電路的示意圖，圖2示出了根據第一實施方式的包括顯示裝置中的驅動單元的發光裝置的等效電路圖(其中驅動單元是被配置成兩個晶體管tr1和tr2以及一個電容器單元c0的驅動單元(2tr/1c驅動單元)的實例)，并且圖3示出了發光裝置的示意性部分截面圖。此外，圖4示意性示出了根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態。此外，圖5示出了沿著圖4中的箭頭v-v截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，圖6示出了沿著圖4中的箭頭vi-vi截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，并且圖7示出了沿著圖4中的箭頭vii-vii截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖。此外，圖8a和圖8b分別示出了沿著圖4中的箭頭viiia-viiia和箭頭viiib-viiib截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，圖9a和圖9b分別示出了沿著圖中的箭頭ixa-ixa和箭頭ixb-ixb截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，圖10a和圖10b分別示出了沿著圖4中的箭頭xa-xa和箭頭xb-xb截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，并且圖11a和圖11b分別示出了沿著圖4中的箭頭xia-xia和箭頭xib-xib截取的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖。此外，圖12示意性地示出了在基板表面的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態，圖13示意性地示出了在第一層間絕緣層的表面的根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態，圖14示意性地示出了根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件在第二層間絕緣層的下層的表面的布局狀態，并且圖15示意性地示出了根據第一實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件在第二層間絕緣層的上層的表面的布局狀態。

根據第一實施方式的顯示裝置包括電流供應單元100、掃描電路101、圖像信號輸出電路102、連接至電流供應單元100并且在第一方向延伸的m條電流供應線csl、連接至掃描電路101并且在第一方向延伸的m條掃描線scl，連接至圖像信號輸出電路102并且在第二方向延伸的n條數據線dtl、以在第一方向上n個并且在不同于第一方向的第二方向上m個的二維矩陣形狀的n×m個發光裝置，每個發光裝置包括發光單元(具體地，有機el發光單元)elp和被配置為驅動發光單元elp的驅動單元。組成每個發光裝置1的驅動單元連接至電流供應線csl、掃描線scl以及數據線dtl。應注意，圖1示出了4×3個發光裝置1，但這僅是一個實例。掃描電路101可被布置在掃描線scl的一端或可被布置在兩端。

如上所述，根據第一實施方式以及后面描述的第二實施方式至第四實施方式的顯示裝置由布置成n×m的二維矩陣的像素構成，并且一個像素由三個子像素(配置成發射紅色的紅色發光子像素、配置成發射綠色的綠色發光子像素以及配置成發射藍色的藍色發光子像素)構成。此外，子像素由發光裝置構成。

現在，將參照根據本公開的第一形式的發光裝置進行描述。根據第一實施方式和后面描述的第二實施方式至第四實施方式的發光裝置1包括發光單元elp和驅動發光單元elp的驅動單元，并且驅動單元被配置為至少包括(a)晶體管tr1，包括源極/漏極區sd11和sd12、溝道形成區ch1以及柵電極g1，(b)圖像信號寫入晶體管tr2，包括源極/漏極區sd21和sd22、溝道形成區ch2以及柵電極g2，以及(c)電容器單元c0。參考標號gi1和gi2表示柵極絕緣層。

換言之，根據第一實施方式的顯示裝置包括多個發光裝置，其中，每個發光裝置均包括發光單元elp和被配置為驅動發光單元elp的驅動單元，并且驅動單元被配置為至少包括：電容器單元c0、保持在電容器c0處的驅動信號(亮度信號)vsig的圖像信號寫入晶體管tr2以及基于在電容器c0處保持的驅動信號(亮度信號)vsig驅動發光單元elp的驅動晶體管tr1。

現在，在驅動晶體管tr1，(a-1)一個源極/漏極區sd11連接至在第一方向上延伸的電流供應線csl，(a-2)另一源極/漏極區sd12連接至發光單元elp并且還連接至組成第二節點nd2的電容器單元c0的一端c0-b，并且(a-3)柵電極g1連接至圖像信號寫入晶體管tr2的一個源極/漏極區sd22并且還連接至組成第一節點nd1的電容器c0的另一端c0-a。

另一方面，在圖像信號寫入晶體管tr2，(b-1)一個源極/漏極區sd21連接至在不同于第一方向的第二方向上延伸的數據線dtl，并且(b-2)柵電極g2連接至在第一方向上延伸的掃描線scl。

驅動晶體管tr1和圖像信號寫入晶體管tr2以及還有后面描述的發光控制晶體管tel_c、第一節點初始化晶體管tnd1以及第二節點初始化晶體管tnd2被配置為n-溝道型mosfet，每個晶體管均包括源極/漏極區、溝道形成區以及柵電極，并且每個晶體管形成在由硅半導體基板制成的第一基板20中。此外，這些晶體管通過設置在第一基板20的元件分離區20a相互分離。應注意，驅動晶體管tr1可形成為p-溝道型mosfet，此外，圖像信號寫入晶體管tr2、發光控制晶體管tel_c、第一節點初始化晶體管tnd1以及第二節點初始化晶體管tnd2可形成為p-溝道型mosfet。

驅動晶體管tr1、圖像信號寫入晶體管tr2以及電容器單元c0覆蓋有第一層間絕緣層21，電流供應線csl和掃描線scl形成在第一層間絕緣層21上，第一層間絕緣層21、電流供應線csl以及掃描線scl覆蓋有第二層間絕緣層，并且數據線dtl形成在第二層間絕緣層上。

此處，第二層間絕緣層包括第二層間絕緣層的下層22和第二層間絕緣層的上層23的層壓配置。第一層間絕緣層21、第二層間絕緣層的下層22以及第二層間絕緣層的上層23由二氧化硅制成。

在第一方向上延伸的遮蔽層(第一遮蔽層41)設置在(在第一實施方式中，具體地，第二層間絕緣層的下層22)介于一個發光裝置與在第二方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的第二層間絕緣層上。

可替代地，將參照根據本公開的第二形式的發光裝置進行描述。根據第一實施方式和后面描述的第二實施方式至第四實施方式的發光裝置1包括發光單元elp和被配置為驅動發光單元elp的驅動單元，第一遮蔽層41被設置在一個發光裝置與鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間，第一遮蔽層41被配置為間隔布置的多個柱形導體部(第一導體部43)，并且當從第一導體部43的軸線方向觀看第一遮蔽層41時，多個柱形第一導體部43被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。

可替代地，將參照根據本公開的第三形式的發光裝置進行描述。根據第一實施方式和后面描述的第二實施方式至第四實施方式的發光裝置1包括發光單元elp和被配置為驅動發光單元elp的驅動單元，驅動單元至少包括：驅動晶體管tr1、圖像信號寫入晶體管tr2以及電容器單元c0，如圖6所示，電容器單元c0被設置在相比驅動晶體管tr1和圖像信號寫入晶體管tr2被設置在的水平高度(第一實施方式中的0水平高度)更高的水平高度，第一遮蔽層41被設置在一個發光裝置與鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間，第一遮蔽層41被設置在的水平高度(第一實施方式中的第二水平高度)高于驅動晶體管tr1和圖像信號寫入晶體管tr2被設置在的水平高度(0水平高度)并且等于或低于電容器單元c0被設置在的水平高度(第三水平高度)。

此外，根據第一實施方式的顯示裝置被配置為布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向的二維矩陣形狀的根據第一實施方式的多個發光裝置1。根據第一實施方式的電子裝置包括根據第一實施方式的顯示裝置。

對于布置在第二方向上的發光裝置，當假定m是奇數時，第m個發光裝置與第(m+1)個發光裝置關于在第m個發光裝置與第(m+1)發光裝置之間的在第一方向上延伸的邊界線線對稱地布置。此外，第一遮蔽層41被設置在第m個發光裝置與第(m+1)個發光裝置之間。即，發光裝置是“對稱布置的發光裝置”。具體地，組成第m個發光裝置的圖像信號寫入晶體管tr2的一個源極/漏極區sd21與組成第(m+1)個發光裝置的圖像信號寫入晶體管tr2的一個源極/漏極區sd21共享。相應地，在第一方向上延伸的邊界線經過圖像信號寫入晶體管tr2的這個共享的一個源極/漏極區sd21。圖4中的箭頭viiia-viiia等效于該邊界線，并且圖8a是當在包括邊界線的實際垂直水平高度處切割發光裝置1時的示意性部分截面圖。

第一遮蔽層41形成在該邊界線上。第一遮蔽層41被配置為間隔布置的多個柱形第一導體部43。當從第一導體部43的軸線方向觀看第一遮蔽層41時(即，當從上方觀看第一遮蔽層41時)，多個柱形第一導體部43被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。第一遮蔽層41連接至遮蔽配線部sdl。具體地，對于第一實施方式，第一遮蔽層41連接至形成在第二層間絕緣層內的遮蔽配線部sdl。更具體地，第一遮蔽層41連接至形成在第二層間絕緣層的上層23上的遮蔽配線部sdl。

此外，對于根據第一實施方式的“對稱設置的發光裝置”，盡管并非必要地，但是在第一方向上延伸的第二遮蔽層45被設置在布置在第二方向上的發光裝置的第(m–1)發光裝置與第m發光裝置之間。即，發光裝置是“包括第二遮蔽層的發光裝置”。此處，第二遮蔽層45以與第一遮蔽層41的相同方式由間隔布置的多個柱形第二導體部47構成。應注意，當從第二導體部47的軸線方向觀看第二遮蔽層45時(即，當從上方觀看第二遮蔽層45時)，多個第二柱形導體部47以與第一遮蔽層41的相同方式被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。第二遮蔽層45被設置在第二層間絕緣層的下層22。對于第一實施方式，第二遮蔽層45連接至形成在第二層間絕緣層的上層23上的遮蔽配線部sdl。

當在包括第一導體部43和第二導體部47的軸線的實際水平高度(實際垂直水平高度)上凸出第一遮蔽層41和第二遮蔽層45時，多個柱形第一導體部43和第二導體部47被布置成非重疊狀態。具體地，對于突出圖像，第一導體部43和43之間不存在間隙，并且第二導體部47和47之間不存在間隙。當在垂直于第一導體部43和第二導體部47的軸線方向的實際水平高度(實際水平高度水平高度)上切開柱形第一導體部43和第二導體47時，第一導體部43和第二導體部47的截面形狀是圓形。此外，第一遮蔽層41和第二遮蔽層45經由接觸孔44和48連接至遮蔽配線部sdl。具體地，第一遮蔽層41和第二遮蔽層45連接至形成在第二層間絕緣層上(具體地，形成在第一實施方式中的第二層間絕緣層的上層23上)的遮蔽配線部sdl。應注意，導電材料層41a設置在第一遮蔽層41的底部，并且導電材料層41b設置在第一遮蔽層41的頂部。此外，導電材料層45a設置在第二遮蔽層45的底部，并且導電材料層45b設置在第二遮蔽層45的頂部。此處，第一導體部43、第二導體部47以及導電材料層41a、41b、45a和45b由鋁或鋁合金制成。在第一導體部43與43之間以及第二導體部47與47之間填充有環繞第一遮蔽層41和第二遮蔽層45的第二層間絕緣層的下層22的延伸部42和46。基于根據現有技術的方法，通過基于照相平板印刷技術或蝕刻技術在第二層間絕緣層的下層22內形成開口部并且將該開口部填充導電材料可以形成第一導體部43和第二遮蔽層45。第一遮蔽層41和第二遮蔽層45經由遮蔽配線部sdl連接至預定的固定電位(例如，電源vss)。應注意，將在后面的第二實施方式中描述的第三遮蔽層和第四遮蔽層也具有與第一遮蔽層和第二遮蔽層的相同的配置和結構。

如上所述，驅動晶體管tr1由設置在由硅半導體基板制成的第一基板20上的柵電極g1、柵極絕緣層gi1、源極/漏極區sd11和sd12以及在源極/漏極區sd11與sd12之間的第一基板的部分所對應的溝道形成區ch1構成。此外，圖像信號配線晶體管tr2由設置在第一基板20上的柵電極g2、柵極絕緣層gi2、源極/漏極區sd21和sd22以及在源極/漏極區sd21和sd22之間的第一基板20的部分所對應的溝道形成區ch2構成。另一方面，電容器單元c0由另一電極c0-b(等效于第一節點nd1)，配置成第二層間絕緣層的上層23的電介質層以及一個電極c0-a(等效于第二節點nd2)構成。電容器單元c0形成在第二層間絕緣層內，具體地形成在第二層間絕緣層的上層內。

驅動晶體管tr1的一個源極/漏極區sd11經由接觸孔86連接至電流供應線csl。此外，另一源極/漏極區sd12經由接觸孔85、接觸片84、接觸孔83、配線82、接觸孔88、接觸片89以及接觸孔90連接至發光單元elp，并且還經由接觸孔85、接觸片84、接觸孔83、配線82以及接觸孔81連接至電容器單元c0的一端c0-a。此外，柵電極g1經由接觸孔87、配線72、接觸孔71連接至圖像信號配線晶體管tr2的另一源極/漏極區sd22，并且還經由接觸孔87、配線72、接觸孔73、接觸片74、接觸孔75、配線76、接觸孔77連接至電容器單元c0的另一端c0-b。

另一方面，圖像信號寫入晶體管tr2的一個源極/漏極區sd21經由接觸孔65、接觸片64、接觸孔63、接觸片62以及接觸孔61連接至數據線dtl。此外，柵電極g2經由接觸孔66連接至掃描線scl。

第二層間絕緣層的上層23覆蓋有第四層間絕緣層24。被配置為第一電極(陽極電極)11、有機層12(例如，被配置為孔傳輸層、發光層以及電子傳輸層)以及第二電極(陰極電極)13的發光單元elp被設置在第四層間絕緣層24上。應注意，在附圖中，有機層12顯示為一層。絕緣層25設置在第四層間絕緣層24上的沒有設置發光單元elp的部分，保護膜26形成在絕緣層25和第二電極13上，并且此外，透明的第二基板27設置在保護膜26上。在發光層發出的光穿過第二基板27并且從在外表發射。應注意，在圖3中，為方便起見，位于第二層間絕緣層的上層23以及相比第二層間絕緣層的上層23的下層內的所有發光裝置1的部件均示出為使用參考標號10的一層。

可以充分地基于根據現有技術的方法進行上述發光裝置1的制造，并且此外，可以采用根據現有技術的材料用作用于制造發光裝置1的各種材料。此外，將在第四實施方式中詳細地描述根據第一實施方式的驅動單元的操作。

對于根據第一實施方式的發光裝置，在第一方向上延伸的第一遮蔽層設置在介于一個發光裝置與在第二方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的第二層間絕緣層上。此外，第一遮蔽層設置在一個發光裝置與鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間，并且第一遮蔽層被配置為間隔布置的多個柱形第一導體部，并且當從第一導體部的軸線方向觀看第一遮蔽層時，多個柱形第一導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。此外，電容器單元被設置在相比驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管被設置在的水平高度更高的水平高度，并且第一遮蔽層被設置在的水平高度高于驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管被設置在的水平高度并且等于或低于電容器單元被設置在的水平高度，第一遮蔽層被設置在一個發光裝置與鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間。因此，發光裝置的驅動單元與鄰近的發光裝置的驅動單元之間不會輕易發生耦合，并且不會輕易產生來自鄰近像素的電場的影響的配置和結構可以應用于發光裝置。具體地，可以抑制由于與鄰近一個發光裝置的發光裝置的耦合引起的組成一個發光裝置的驅動單元的驅動晶體管的柵電極的電位增量變動的現象。結果，可以顯示沒有可視覺識別的條紋斑點的具有高均勻度的圖像，并且不會發生觀察到的圖像出現僅具有其一半分辨率的現象，并且像素不會發出具有不理想的亮度的光。

第二實施方式

第二實施方式是第一實施方式的變形。

圖16示出了以與沿著圖4中的箭頭xvi-xvi截取的相同方式的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，圖17示出了以與沿著圖4中的箭頭xvii-xvii截取的相同方式的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，并且圖18示出了以與沿著圖4中的箭頭xviii-xviii截取的相同方式的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖。此外，圖19a和圖19b分別示出以與了沿著圖4中的箭頭xixa-xixa和箭頭xixb-xixb截取的相同方式的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖。圖20示意性地示出了在第一層間絕緣層的表面的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態，圖21示意性地示出了在第二層間絕緣層的下層的表面的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態，并且圖22示意性地示出了在第二層間絕緣層的上層的表面的根據第二實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態。

對于根據第二實施方式的發光裝置，第一遮蔽層41以與第一實施方式相同的方式被設置在第二層間絕緣層的下層22內，并且在第一方向上延伸的具有與第一遮蔽層41相同配置的第三遮蔽層51被設置在位于第一遮蔽層41上方的第二層間絕緣層的上層23部，并且第三遮蔽層51連接至遮蔽配線部sdl。此外，盡管并非必要地，第二遮蔽層45以與第一實施方式相同的方式被設置在第二層間絕緣層的下層22內，在第一方向上延伸的具有與第二遮蔽層45的相同配置的第四遮蔽層55被設置在位于第二遮蔽層45上方的第二層間絕緣層的上層23部，并且第四遮蔽層55連接至遮蔽配線部sdl。第三遮蔽層51形成在位于導電材料層41b上方的第二層間絕緣層的上層23內，并且經由配線51b連接至遮蔽配線部sdl。此外，第四遮蔽層55形成在位于導電材料層45b上方的第二層間絕緣層的上層23內，并且經由配線55b連接至遮蔽配線部sdl。第三導體部53之間與第四導體部57之間填充有環繞第三遮蔽層51和第四遮蔽層55的第二層間絕緣層的上層23的延伸部52和56。

除了上述的配置與結構外，根據第二實施方式的發光裝置具有與第一實施方式相同的配置和結構，并且相應地，將省去詳細的描述。

第三實施方式

第三實施方式是第一實施方式或第二實施方式的變形。

圖23示意性示出了根據第三實施方式的顯示裝置或發光裝置的部件的布局狀態，圖24a和圖24b分別示出了以與沿著圖23中的箭頭xxiva-xxiva和箭頭xxivb-xxivb截取的相同方式的根據第三實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，圖25a和圖25b分別示出了以與沿著圖23中的箭頭xxva-xxva和箭頭xxvb-xxvb截取的相同方式的根據第三實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖，并且圖26a和圖26b分別示出了以與沿著圖23中的箭頭xxvia-xxvia和箭頭xxvib-xxvib截取的相同方式的根據第三實施方式的顯示裝置或發光裝置的示意性部分截面圖。

對于第三實施方式，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽層91被設置在一個發光裝置與在第一方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間。即，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽層91被設置在介于一個發光裝置與在第一方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的第二層間絕緣層(對于第三實施方式，具體地，第二層間絕緣層的下層22)內。

對于第三實施方式，第二方向遮蔽層91被配置為間隔布置的第二方向遮蔽層的多個柱形導體部93。此處，當從第二方向遮蔽層的導體部93的軸線方向觀看第二方向遮蔽層91時(即，當從上方觀看第二方向遮蔽層91時)，第二方向遮蔽層的多個柱形導體部被布置成一列。第二方向遮蔽層的導體部93之間填充有環繞第二方向遮蔽層91的第二層間絕緣層的下層22的延伸部92。當在垂直于第二方向遮蔽層的導體部93的軸線方向的實際水平高度(實際水平高度水平高度)切開柱形的第二方向遮蔽層91時，第二方向遮蔽層的導體部93的截面形狀為圓形。此外，第二方向遮蔽層91經由接觸孔94連接至遮蔽配線部sdl。應注意，導電材料層91a設置在第二方向遮蔽層91的底部，并且導電材料層91b設置在第二方向遮蔽層91的頂部。此處，第二方向遮蔽層的導體部93以及導電材料層91a和91b由與第一導體43相同的材料制成。基于現有技術，通過基于照相平板印刷技術或蝕刻技術在第二層間絕緣層的下層22內形成開口部，并且將該開口部填充導電材料，可以形成第二方向遮蔽層的導體部93。

除了上述的配置與結構外，根據第三實施方式的發光裝置具有與第一實施方式和第二實施方式的相同配置和結構，并且相應地，將省去詳細的描述。

第四實施方式

對于第四實施方式，將描述在第一至第三實施方式中描述的2tr/1c驅動單元的操作。圖27中示意性示出了根據第四實施方式的2tr/1c驅動單元的驅動時序圖，并且圖28a、圖28b、圖28c、圖28d、圖28e和圖28f示意地示出了每個晶體管的導通/截止狀態。在下文中，將展開2tr/1c驅動單元的操作描述。

用于控制發光單元elp的發射的電壓vcc-h以及用于控制驅動晶體管tr1的源區的電位的電壓vcc-l從電流供應單元100供應至驅動晶體管tr1。此處，作為電壓vcc-h和vcc-l的值，盡管vcc-h＝20v，vcc-l＝-10v可以為示例，但是值并不局限于這些。

周期-tp(2)-1(見圖27和圖28a)

例如，周期-tp(2)-1是上一顯示幀的操作，并且是在完成最后各種類型處理之后第(n，m)個發光單元elp處于發射狀態的周期。具體地，基于后面描述的表達式(b)的漏極電流i'ds流入組成第(n，m)個子像素的發光單元elp，組成第(n，m)個子像素的發光單元elp的亮度是對應該漏極電流i'ds的值。此處，驅動晶體管tr1處于開啟狀態。第(n，m)個發光單元elp的發射狀態繼續，直至立即布置在第(m+m')行的發光單元elp的水平高度掃描周期的開始之前。

圖27中示出的周期-tp(2)0至周期-tp(2)2是從完成最后各種類型處理之后的發射狀態到立即執行下一圖像信號寫入處理之前的操作周期。具體地，例如，周期-tp(2)0至周期-tp(2)2是從前一顯示幀的第(m+m')行的水平高度掃描周期開始至當前顯示幀的第(m-1)行的水平高度掃描周期終止的特定時間長度的周期。應注意，周期-tp(2)0至周期-tp(2)2可被配置為包含在當前顯示幀的第m行水平高度掃描周期內。對于周期-tp(2)0至周期-tp(2)2，第(n，m)發光單元elp處于非發射狀態。應注意，如圖27所示，除周期tp(2)3之外，周期-tp(2)0至周期-tp(2)2也包含在第m行水平高度掃描周期內，為便于描述，將假定周期-tp(2)1的開始與周期-tp(2)3的終止分別與第m行水平高度掃描周期的開始和終止一致來進行描述。

在下文中，將描述周期-tp(2)0至周期-tp(2)4中的每個周期。應注意，根據顯示裝置的設計可以適當地對周期-tp(2)1至周期-tp(2)3中的每個周期的長度進行設置。

周期-tp(2)0(見圖28b)

例如，這個周期–tp(2)0是在前一顯示幀到當前顯示幀的操作。具體地，周期–tp(2)0是從前一顯示幀的第(m+m')行的水平高度掃描周期到當前顯示幀的第(m-1)行的水平高度掃描周期的周期。對于周期–tp(2)0，第(n，m)個發光單元elp處于非發射狀態。此處，從電流供應單元100供應的電壓在從周期-tp(2)-1到周期-tp(2)0進行時從vcc-h變化至vcc-l。結果，第二節點nd2的電位(驅動晶體管tr1的源區或發光單元elp的陽極電極)降到vcc-l，并且發光單元elp進入非發射狀態。此外，與第二節點nd2的電位下降一致，浮置狀態下的第一節點nd1的電位(驅動晶體管tr1的柵電極)也下降。

周期-tp(2)1(見圖28c)

接下來，在當前顯示幀的第m行的水平高度掃描周期開始。在周期-tp(2)1開始時，通過基于掃描電路101的操作將掃描線scl設定至高電平將圖像信號寫入晶體管tr2設置為開啟狀態。結果，第一節點nd1的電位變為vofs(例如，0v)。第二節點nd2的電位保持vcc-l(例如，-10v)。

根據上述處理，驅動晶體管tr1的柵電極與源區之間的電位差變為vth或更高，并且驅動晶體管tr1變為開啟狀態。

周期-tp(2)2(見圖28d)

接下來，執行閾值電壓取消處理。具體地，在保持圖像信號寫入晶體管tr2的開啟狀態的同時，從電流供應單元100供應的電壓從vcc-l切換至vcc-h，。結果，盡管第一節點nd1的電位不變(保持vofs＝0v)，但是處于浮置狀態的第二節點nd2的電位增加，并且第一節點nd1與第二節點nd2之間的電位差接近驅動晶體管tr1的閥值電壓vth。當驅動晶體管tr1的柵電極與源區之間的電位差達到vth時，驅動晶體管tr1進入關閉狀態。具體地，處于浮置狀態的第二節點nd2的電位接近(vofs-vth＝-3v)，并且最終變為(vofs-vth)。此處，如果確保下列表達式(a)，換言之，如果選擇并確定電位使其滿足表達式(a)，則發光單元elp不會發光。應注意，定量地，對于閥值電壓取消處理，第一節點nd1與第二節點nd2之間的電位差(換言之，驅動晶體管tr1的柵電極與源區之間的電位差)接近驅動晶體管tr1的閥值vth的程度取決于閥電壓取消處理的時間。因此，例如，如果確保閥值電壓取消處理的時間足夠長，第一節點nd1與第二節點nd2之間的電位差達到驅動晶體管tr1的閥電壓vth，并且驅動晶體管tr1進入關閉狀態。另一方面，例如，如果將閥值電壓取消處理的時間設置為短的，第一節點nd1與第二節點nd2之間的電位差大于驅動晶體管tr1的閥值電壓vth，并且驅動晶體管tr1可能不會進入關閉狀態。即，由于閥值電壓取消處理的結果，驅動晶體管tr1不必進入關閉狀態。應注意，參考標號vth-el是發光單元elp的閥值電壓，參考標號vcath是被施加到發光單元elp的第二電極的電壓，并且參考標號cel表示發光單元elp的寄生電容。

(vofs-vth)<(vth-el+vcath)(a)

對于周期-tp(2)2，第二節點nd2的電位最終變為(vofs-vth)。具體地，只依據用于初始化驅動晶體管tr1的閥值電壓vth和驅動晶體管tr1的柵電極的電壓vofs確定第二節點nd2的電位，電壓vofs與發光單元elp的閥值電壓vth-el無關。

周期-tp(2)3(見圖28e)

接下來，執行關于驅動晶體管tr1的圖像信號寫入處理以及基于驅動晶體管tr1的遷移率m的大小的驅動晶體管tr1的源區(第二節點nd2)的電位校正(遷移率校正處理)。具體地，一旦圖像信號寫入晶體管tr2設置為關閉狀態，則數據線dtl的電位改變為用于控制發光單元elp的亮度的驅動信號(亮度信號)vsig，并且通過將掃描線scl設定為高電平圖像信號寫入晶體管tr2被設置為開啟狀態，從而將驅動晶體管tr1設置為開啟狀態。

電位vcc-h從電流供應單元100施加到驅動晶體管tr1的漏極區，并且因此，驅動晶體管tr1的源區的電位增加。在預定的時間(t0)過去之后，掃描線scl被設置為低電平，從而將圖像信號寫入晶體管tr2設置為關閉狀態，并且將第一節點nd1(驅動晶體管tr1的柵電極)設置為浮置狀態。應注意，在設計顯示裝置時，可以將該周期-tp(2)3的全部時間t0預先確定為設計值，從而使第二節點nd2的電位變為(vofs-vth+δv)。

對于周期-tp(2)3，如果驅動晶體管tr1的遷移率m的值很大，則驅動晶體管tr1的源區中的電位的增量δv(電位校正值)增加，并且如果驅動晶體管tr1的遷移率m的值很小，則驅動晶體管tr1的源區中的電位的增量δv(電位校正值)降低。

周期-tp(2)4(見圖28f)

根據上述操作，完成閥值電壓取消處理、圖像信號寫入處理以及遷移率校正處理。基于掃描電路101的操作，由于掃描線scl變為低電平，所以圖像信號寫入晶體管tr2進入關閉狀態，第一節點nd1，即，驅動晶體管tr1的柵電極g1變為浮置狀態。此處，驅動晶體管tr1保持開啟狀態并且處于連接至電流供應單元100(電壓vcc-h，例如，20v)的狀態。因此，作為上述的結果，第二節點nd2的電位增加并且超過(vth-el+vcath)，并且因此，發光單元elp開始發射。驅動晶體管tr1的柵電極g1處于浮置狀態，并且此外，并且因此電容器單元c0存在與發生在驅動晶體管tr1的柵電極g1上的所謂的自舉電路相同的現象，并且第一節點nd1的電位也增加。結果，驅動晶體管tr1的柵電極與源區之間的電位差vgs保持在下列表達式(b)的值。通過表達式(c)可以獲得流入發光單元elp的電流，并且因此，流入發光單元elp的電流ids(英文中是ids)既不取決于發光單元elp的閥值電壓vth-el，也不取決于驅動晶體管tr1的閥值電壓vth。即，發光單元elp的發射量(亮度)既不受到發光單元elp的閥值電壓vth-el的影響，也不受到驅動晶體管tr1的閥值電壓vth的影響。此外，可以抑制由于驅動晶體管tr1的遷移率m的不規則性而導致的漏極電流ids的不規則性的出現。

vgs≈vsig-(vofs-vth)-δv(b)

ids＝k·μ·(vsig-vofs-δv)²(c)

在此

m:有效遷移率

l:溝道長度

w:溝道寬度

vgs:柵電極與源區之間的電位差

vth:閥值電壓

cox:(柵極絕緣層的相對介電常數)×(真空介電常數)/(柵極絕緣層的厚度)≡k≡(1/2)·(w/l)·cox

發光單元elp的發射狀態繼續直至第(m+m'-1)行水平高度掃描周期。該時間點相當于周期-tp(2)-1的結束。

因此，完成發光單元elp的第(n，m)個子像素的發射操作。

盡管已經基于優選的實施方式描述了根據本公開的發光裝置、顯示裝置以及電子裝置，但是根據本公開的發光裝置、顯示裝置以及電子裝置并不局限于這些實施方式。在實施方式中描述的發光裝置、顯示裝置以及驅動單元的配置和結構為實例，并且可以適當地變形，并且驅動方法也是實例，并且可以適當地變形。對于實施方式，各種晶體管被配置為mosfet，但是也可替代地配置為tft。對于實施方式，各種晶體管被描述為n-溝道型，但是在某些情況下，部分或所有驅動單元也可被配置為p-溝道型晶體管。

此外，對于實施方式，已經描述了其中電流供應線csl和掃描線scl形成在第一層間絕緣層上以及數據線dtl形成在第二層間絕緣層上的形式，但是在某些情況下，也可采用其中電流供應線csl和掃描線scl形成在第二層間絕緣層上以及數據線dtl形成在第一層間絕緣層上的形式。可以通過在層間絕緣層內形成凹部或凹槽部并且將該凹部或凹槽部填充導電材料來形成第一遮蔽層、第二遮蔽層、第三遮蔽層、第四遮蔽層以及第二方向遮蔽層。

根據本公開的顯示裝置可應用于組成電視接收器或數字照相機的監控裝置，組成攝影機的監控裝置，組成個人計算機的監控裝置，pda(個人數字助理)、蜂窩電話、智能電話、便攜式音樂播放器、游戲機、電子書、以及電子詞典、電子取景器(evf)以及頭戴式顯示器(hmd)中的各種顯示單元。即，根據本公開的電子裝置包括電視接收器、數字照相機、攝影機、個人計算機、pda、蜂窩電話、智能電話、便攜式音樂播放器、游戲機、電子書、電子詞典、電子取景器以及頭戴式顯示器，并且根據本公開的顯示裝置包含在這些電子裝置中。對于實施方式，已經進行了假定顯示單元主要被配置為有機電致發光發光單元的描述，但是發光單元也可被配置為自發光的發光單元，諸如液晶發光單元、無機電致發光發光單元、led發光單元、半導體激光發光單元等。

驅動單元不局限于2tr/1c驅動單元。如圖29中的等效電路圖所示出的，并且如圖30中的時序圖示意性示出的，驅動單元被配置為配置了三個晶體管(驅動晶體管、圖像信號寫入晶體管以及一個晶體管)與一個電容器單元的3tr/1c驅動單元，或如圖31中的等效電路圖所示出的，并且如圖32中的時序圖示意性示出的，驅動單元被配置為配置了四個晶體管(驅動晶體管、圖像信號寫入晶體管以及兩個晶體管)與一個電容器單元的4tr/1c驅動單元，或如圖33中的等效電路圖所示出的，并且如圖34中的時序圖示意性示出的，驅動單元被配置為配置了五個晶體管(驅動晶體管、圖像信號寫入晶體管以及三個晶體管)與一個電容器單元的5tr/1c驅動單元。

注意，本公開也可具有下列配置。

[1].一種發光裝置(第一形式)包括：發光單元以及被配置為驅動發光單元的驅動單元，

其中，驅動單元被配置為至少包括：

(a)驅動晶體管，包括：

兩個源極/漏極區；

溝道形成區；以及

柵電極；

(b)圖像信號寫入晶體管，包括：

兩個源極/漏極區；

溝道形成區；以及

柵電極；以及

(c)電容器單元；

其中對于驅動晶體管；

(a-1)一個源極/漏極區連接至在第一方向上延伸的電流供應線；

(a-2)另一源極/漏極區連接至發光單元，并且還連接至電容器單元的一端；并且

(a-3)柵電極連接至圖像信號寫入晶體管的另一源極/漏極區，并且還連接至電容器單元的另一端；

并且其中，對于圖像信號寫入晶體管；

(b-1)一個源極/漏極區連接至在不同于第一方向上的第二方向上延伸的數據線；并且

(b-2)柵電極連接至在第一方向上延伸的掃描線；

并且其中，驅動晶體管、圖像信號寫入晶體管以及電容器單元覆蓋有第一層間絕緣層；

并且其中，電流供應線和掃描線形成在第一層間絕緣層上；

并且其中，第一層間絕緣層、電流供應線和掃描線覆蓋有第二層間絕緣層；

并且其中，數據線形成在第二層間絕緣層上；

并且其中，在第一方向上延伸的遮蔽層設置在介于一個發光裝置與在第二方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的第二層間絕緣層上。

[2].根據[1]所述的發光二元件，其中，遮蔽層被配置為間隔布置的多個柱形導體部；

并且其中，當從導體部的軸線方向觀看遮蔽層時，多個柱形導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。

[3].根據[1]或[2]所述的發光裝置，其中，遮蔽層連接至形成在第二層間絕緣層內的遮蔽配線部。

[4].根據[1]至[3]中任一項所述的發光裝置，其中，對于布置在第二方向上的發光裝置，當假定m是奇數時，第m個發光裝置和第(m+1)個發光裝置關于在第m個發光裝置與第(m+1)個發光裝置之間的在第一方向上延伸的邊界線而線對稱。

并且其中，遮蔽層設置成至少在第m個發光裝置與第(m+1)個發光裝置之間。

[5].根據[4]所述的發光裝置，其中，遮蔽層被設置在邊界線上方。

[6].根據[4]或[5]所述的發光裝置，其中，對與布置在第二方向上的發光裝置，在第一方向上延伸的第二遮蔽層被設置在第(m-1)個發光裝置與第m個發光裝置之間。

[7].根據[6]所述的發光二元件，其中，遮蔽層被配置為間隔布置的多個第二柱形導體部；

并且其中，當從第二導體部的軸線方向上觀看遮蔽層時，多個第二柱形導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。

[8].根據[6]或[7]所述的發光裝置，其中，第二遮蔽層連接至形成在第二層間絕緣層內的遮蔽配線部。

[9].根據[6]至[8]中任一項所述的發光裝置，其中，第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層的層壓配置。

并且其中，遮蔽層設置在第二層間絕緣層的下層；

并且其中，與遮蔽層具有相同配置并且在第一方向上延伸的第三遮蔽層設置在定位在遮蔽層上方的所述第二層間絕緣層的上層，并且第三遮蔽層連接至所述遮蔽配線部。

[10].根據[6]至[8]中任一項所述的發光裝置，其中，第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層的層壓配置。

并且其中，第二遮蔽層設置在第二層間絕緣層的下層；

并且其中，具有與第二遮蔽層相同配置并且在第一方向上延伸的第四遮蔽層被設置在位于第二遮蔽層上方的第二層間絕緣層的上層，并且第四遮蔽層連接至遮蔽配線部。

[11].根據[1]至[5]中任一項所述的發光裝置，其中，第二層間絕緣層具有第二層間絕緣層的下層與第二層間絕緣層的上層的層壓配置。

并且其中，遮蔽層設置在第二層間絕緣層的下層；

并且其中，具有與遮蔽層相同的配置并且在第一方向上延伸的第三遮蔽層被設置在位于遮蔽層上方的第二層間絕緣層的上層，并且第三遮蔽層連接至遮蔽配線部。

[12].根據[1]至[11]中任一項所述的發光裝置，其中，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽層被設置在介于一個發光裝置與在第一方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間的第二層間絕緣層上。

[13].一種發光裝置(第二形式)包括：發光單元以及被配置為驅動發光單元的驅動單元，

其中，遮蔽層被設置在一個發光裝置與鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間；

并且其中，遮蔽層被配置為間隔布置的多個柱形導體部；

并且其中，當從導體部的軸線方向上觀看遮蔽層時，多個柱形導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。

[14].一種發光裝置(第三形式)包括：發光單元以及被配置為驅動發射元件的驅動單元，

其中，所述驅動單元包括至少：

驅動晶體管；

圖像信號寫入晶體管；以及

電容器單元；

并且其中，電容器單元被設置在比驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管被設置在的水平高度更高的水平高度；

并且其中，遮蔽層被設置在的水平高度等于或低于電容器被設置在的水平高度并且高于驅動晶體管和圖像信號寫入晶體管被設置在的水平高度。

[15].根據[14]所述的發光二元件，其中，遮蔽層被配置為間隔布置的多個柱形導體部；

并且其中，當從導體部的軸線方向上觀看遮蔽層時，多個柱形導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。

[16].根據[13]或[15]所述的發光裝置，其中，遮蔽層連接至遮蔽配線部。

[17].根據[13]至[16]中任一項所述的發光裝置，其中，驅動單元連接至在第一方向上延伸的電流供應線、在第一方向上延伸的掃描線以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的數據線；

并且其中，對于布置在第二方向上的發光裝置，當假定m是奇數時，第m個發光裝置和第(m+1)個發光裝置在關于在第m個發光裝置與第(m+1)個發光裝置之間的在第一方向上延伸的邊界線而線對稱。

并且其中，遮蔽層被設置成至少在第m個發光裝置與第(m+1)個發光裝置之間。

[18].根據[17]所述的發光裝置，其中，遮蔽層被設置在邊界線上方。

[19].根據[17]或[18]所述的發光裝置，其中，對于布置在第二方向上的發光裝置，在第一方向上延伸的第二遮蔽層被設置在第(m-1)個發光裝置與第m個發光裝置之間。

[20].根據[19]所述的發光二元件，其中，遮蔽層被配置為間隔布置的多個第二柱形導體部；

并且其中，當從第二導體部的軸線方向上觀看遮蔽層時，多個第二柱形導體部被布置成兩列并且還被布置成鋸齒形圖案。

[21].根據[19]或[20]所述的發光裝置，其中，遮蔽層連接至遮蔽配線部。

[22].根據[17]至[21]中任一項所述的發光裝置，其中，在第二方向上延伸的第二方向遮蔽層被設置在一個發光裝置與在第一方向上鄰近該一個發光裝置的發光裝置之間。

[23].一種顯示裝置，被配置為多個根據[1]至[22]中任一項所述的發光裝置，多個發光裝置以二維矩陣形狀布置在第一方向和不同于第一方向的第二方向上。

本領域中的技術人員應理解，根據設計需求以及其他因素可以出現各種變形、組合、子組合和變更，只要它們在所附權利要求或其等價物范圍內。