電光學裝置、電子設備以及電光學裝置的驅動方法與流程

文檔序號：11097239閱讀：866來源：國知局

本發明涉及電光學裝置、電子設備以及電光學裝置的驅動方法。

背景技術：

近年，提出各種使用了有機發光二極管(以下，稱為OLED(Organic Light Emitting Diode))元件等發光元件的電光學裝置。在該電光學裝置的一般的構成中，同掃描線與數據線的交叉對應地且與應該顯示的圖像的像素對應地設置包括發光元件、晶體管等的像素電路。

在這樣的構成中，若對驅動晶體管的柵極施加與像素的灰度等級對應的電位的數據信號，則驅動晶體管向發光元件供給與柵極-源極間的電壓對應的電流。由此，該發光元件以與灰度等級對應的亮度發光。

在將晶體管使用于發光強度的調節的驅動方式中，若設置于各像素的驅動晶體管的閾值電壓產生偏差，則在發光元件流通的電流產生偏差，所以顯示圖像的畫質降低。因此，為了防止畫質的降低，需要對驅動晶體管的閾值電壓的偏差進行補償。因此，為了將驅動晶體管的柵極電壓調整為閾值電壓，提出了在驅動晶體管的柵極與漏極或者源極之間設置補償用晶體管，并且在驅動晶體管的柵極連接耦合電容的裝置(例如參照專利文獻1)。在該裝置中，在數據線與驅動晶體管的柵極布線之間連接采樣晶體管，在采樣晶體管的柵極與驅動晶體管的柵極之間連接耦合電容，使數據信號的電位降低耦合電壓的量。

專利文獻1：日本特開2010－048899號公報

然而，在如專利文獻1那樣使用了耦合電容的裝置中，若數據線、采樣晶體管、耦合電容、以及驅動晶體管的柵極所連接的布線等形成于同一層，則存在伴隨著振幅較大的數據信號的電位變動的噪聲對驅動晶體管的柵極布線等造成影響而使顯示品質降低的擔心。

技術實現要素：

本發明是鑒于上述的情況而完成的，其目的在于即使在對數據線供給振幅較大的數據信號的情況下，也防止由伴隨著數據信號的變動的噪聲引起的顯示品質的降低。

為了實現上述目的，本發明的一方式所涉及的電光學裝置的特征在于，具有：第一導電層；第二導電層；第三導電層；第一電容，其具有與上述第二導電層連接的第四導電層、和上述第三導電層與上述第四導電層之間的介電膜；以及像素電路，其與上述第三導電層和上述第一導電層對應地設置，上述第二導電層與形成有上述第三導電層的層相比形成在上層。

根據該方式，像素電路與作為第三導電層的一個例子的第二數據傳輸線和作為第一導電層的一個例子的掃描線對應地設置。作為第二導電層的一個例子的第一數據傳輸線針對多個像素電路共用地設置，但若將經由第二數據傳輸線與同一第一數據傳輸線連接的像素電路的集合作為像素列，并將比該像素列所包含的像素電路的個數少的個數的像素電路作為一個塊，則第二數據傳輸線針對各塊設置。在這樣的像素電路中，被供給振幅較大的數據信號的第一數據傳輸線與形成有被供給由第一電容壓縮的信號的第二數據傳輸線的層相比形成在上層。因此，能夠抑制第一數據傳輸線的電位變動對第二數據傳輸線的影響，使顯示品質提高。

本發明的其它的方式所涉及的電光學裝置的特征在于，上述第三導電層與形成有上述晶體管的源極電極的層相比形成在上層。根據該方式，作為第三導電層的一個例子的第二數據傳輸線作為針對晶體管的源極電極的屏蔽發揮作用，能夠降低來自其它的布線的噪聲的影響。

本發明的其它的方式所涉及的電光學裝置的特征在于，上述第一電容的上述第四導電層形成在與上述第二導電層不同的層，上述第一電容的上述第五導電層形成在與上述第四導電層不同的層。根據該方式，作為第一電容的第四導電層的一個例子的第一電極形成在與作為第二導電層的一個例子的第一數據傳輸線不同的層，并且，作為第一電容的第五導電層的一個例子的第二電極形成在與第一電極不同的層，所以即使在對第一數據傳輸線供給振幅較大的數據信號的情況下，也能夠抑制電位變動對第一電容的影響。

本發明的其它的方式所涉及的電光學裝置的特征在于，與上述多個晶體管中的驅動上述發光元件的晶體管的電流端連接的電源線與上述第三導電層相比形成在下層。根據該方式，電源線作為屏蔽發揮作用，抑制電位變動對其它的元件的影響。

上述電光學裝置的特征在于，驅動上述發光元件的晶體管被上述電源線覆蓋。根據該方式，電源線作為屏蔽發揮作用，抑制電位變動對驅動發光元件的晶體管的影響。

上述電光學裝置的特征在于，上述第一電容按照每個上述第三導電層設置。根據該方式，即使在對第一數據傳輸線供給振幅較大的數據信號的情況下，也能夠抑制電位變動對作為第三導電層的一個例子的各第二數據傳輸線的影響。

為了實現上述目的，本發明的一方式所涉及的電子設備的特征在于，具備上述各方式的任意一個所涉及的電光學裝置。根據該方式，提供具備上述各方式的任意一個所涉及的電光學裝置的電子設備。

附圖說明

圖1是表示本發明的第一實施方式所涉及的電光學裝置的構成的立體圖。

圖2是表示該電光學裝置的構成的框圖。

圖3是用于說明該電光學裝置的多路分配器和數據傳輸電路的構成的電路圖。

圖4是表示該電光學裝置的像素電路的構成的電路圖。

圖5是說明該電光學裝置特有的構成的圖。

圖6是說明作為比較例而示出的以往的構成的圖。

圖7是表示該電光學裝置的動作的時序圖。

圖8是該電光學裝置的動作說明圖。

圖9是表示該電光學裝置的動作的時序圖。

圖10是該電光學裝置的動作說明圖。

圖11是該電光學裝置的動作說明圖。

圖12是該電光學裝置的動作說明圖。

圖13是表示該電光學裝置的動作的時序圖。

圖14是該電光學裝置的動作說明圖。

圖15是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖16是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖17是發光裝置的剖視圖。

圖18是本發明的第二實施方式所涉及的電光學裝置的形成在基板上的各要素的說明圖。

圖19是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖20是發光裝置的剖視圖。

圖21是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖22是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖23是表示本發明的第三實施方式所涉及的電光學裝置的像素電路的構成的電路圖。

圖24是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖25是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖26是發光裝置的剖視圖。

圖27是表示本發明的第四實施方式所涉及的電光學裝置的像素電路的構成的電路圖。

圖28是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖29是形成在基板上的各要素的說明圖。

圖30是發光裝置的剖視圖。

圖31是表示變形例所涉及的像素電路的構成的電路圖。

圖32是表示變形例所涉及的像素電路的構成的電路圖。

圖33是表示變形例所涉及的像素電路的第一數據傳輸線、傳輸電容、第二數據傳輸線以及像素電路的關系的圖。

圖34是表示HMD的外觀構成的圖。

圖35是表示HMD的光學構成的圖。

具體實施方式

第一實施方式

圖1是表示本發明的第一實施方式所涉及的電光學裝置1的構成的立體圖。電光學裝置1例如是在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器。

如圖1所示，電光學裝置1具備顯示面板2、和控制顯示面板2的動作的控制電路3。顯示面板2具備多個像素電路、和驅動該像素電路的驅動電路。在本實施方式中，顯示面板2具備的多個像素電路以及驅動電路被形成于硅基板，在像素電路中使用作為發光元件的一個例子的OLED。另外，顯示面板2例如被收納于在顯示部開口的框狀的殼體82，并且與FPC(Flexible Printed Circuits：撓性印刷電路)基板84的一端連接。

在FPC基板84上通過COF(Chip On Film：覆晶薄膜)技術安裝有半導體芯片的控制電路3，并且設置有多個端子86來與省略圖示的上位電路連接。

圖2是表示實施方式所涉及的電光學裝置1的構成的框圖。如上述那樣，電光學裝置1具備顯示面板2和控制電路3。

控制電路3被從省略圖示的上位電路與同步信號同步地供給數字的圖像數據Vdata。這里，圖像數據Vdata是例如以8比特規定應該在顯示面板2(嚴格來說是后述的顯示部100)顯示的圖像的像素的灰度等級的數據。另外，同步信號是包括垂直同步信號、水平同步信號以及點時鐘信號的信號。

控制電路3基于同步信號生成各種控制信號，并將各種控制信號供給至顯示面板2。具體而言，控制電路3對顯示面板2供給控制信號Ctr、正邏輯的控制信號Gini、與該控制信號Gini為邏輯反轉的關系的負邏輯的控制信號/Gini、正邏輯的控制信號Gcpl、與該控制信號Gcpl為邏輯反轉的關系的負邏輯的控制信號/Gcpl、控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)、以及相對于這些控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)為邏輯反轉的關系的控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。

這里，控制信號Ctr是包含脈沖信號、時鐘信號、使能信號等多個信號的信號。

此外，有時將控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)總稱為控制信號Sel，將控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)總稱為控制信號/Sel。

另外，控制電路3包括電壓生成電路31。電壓生成電路31對顯示面板2供給各種電位。具體而言，控制電路3對顯示面板2供給復位電位Vorst以及初始電位Vini等。

并且，控制電路3基于圖像數據Vdata，生成模擬的圖像信號Vid。具體而言，在控制電路3中設置有將圖像信號Vid所表示的電位以及顯示面板2所具備的發光元件(后述的OLED130)的亮度建立對應地存儲的查尋表。而且，控制電路3通過參照該查尋表，生成表示與圖像數據Vdata所規定的發光元件的亮度對應的電位的圖像信號Vid，并將其供給至顯示面板2。

如圖2所示，顯示面板2具備顯示部100、和驅動該顯示部的驅動電路(數據傳輸線驅動電路5以及掃描線驅動電路6)。

在顯示部100矩陣狀地排列有與應該顯示的圖像的像素對應的像素電路110。詳細而言，在顯示部100中，M行的掃描線12在圖中沿橫向(X方向)延伸設置，另外，以每三列進行分組的(3N)列的第一數據傳輸線14－1在圖中沿縱向(Y方向)延伸，并且，以與各掃描線12相互保持電絕緣的方式設置。

此外，雖然為了避免附圖的復雜化而在圖2中未圖示，但第二數據傳輸線14－2相對于各個第一數據傳輸線14－1以能夠電連接并且沿縱向(Y方向)延伸的方式設置(例如參照圖4)。而且，與M行的掃描線12和(3N)列的第二數據傳輸線14－2對應地設置有像素電路110。因此，在本實施方式中像素電路110以縱M行×橫(3N)列排列為矩陣狀。

這里，M、N均為自然數。為了區別掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(排)，有時在圖中從上到下依次稱為1、2、3、…、(M－1)、M行。同樣地，為了區別第一數據傳輸線14－1以及像素電路110的矩陣的列(豎列)，有時在圖中從左到右依次稱為1、2、3、…、(3N－1)、(3N)列。

這里，為了使第一數據傳輸線14－1的組一般化并進行說明，若將1以上的任意的整數表示為n，則第(3n－2)列、第(3n－1)列以及第(3n)列的第一數據傳輸線14－1屬于從左數第n組。

此外，與同一行的掃描線12和屬于同一組的三列第二數據傳輸線14－2對應的三個像素電路110分別與R(紅)、G(綠)、B(藍)的像素對應地表現這三個像素應該顯示的彩色圖像的一點。即，在本實施方式中，構成為通過與RGB對應的OLED的發光以加色混合表現一點的彩色。

另外，如圖2所示，在顯示部100中，(3N)列的供電線(復位電位供給線)16沿縱向延伸，并且，以與各掃描線12相互保持電絕緣的方式設置。各供電線16被共同地供給規定的復位電位Vorst。這里，為了區別供電線16的列，有時在圖中從左到右依次稱為第1、2、3、…、(3N)列的供電線16。第一列～第(3N)列的供電線16的各個與第一列～第(3N)列的第一數據傳輸線14－1(第二數據傳輸線14－2)的各個對應地設置。

掃描線驅動電路6根據控制信號Ctr生成用于在一幀的期間內按照每一行依次掃描M條掃描線12的掃描信號Gwr。這里，分別將供給到第1、2、3、…、(M－1)、M行的掃描線12的掃描信號Gwr標記為Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(M－1)、Gwr(M)。

此外，掃描線驅動電路6除了掃描信號Gwr(1)～Gwr(M)之外，還按照每一行生成與該掃描信號Gwr同步的各種控制信號并供給至顯示部100，但在圖2中省略圖示。另外，幀的期間是指電光學裝置1顯示一個鏡頭(一個畫面)份的圖像所需要的期間，例如若同步信號所包含的垂直同步信號的頻率為120Hz，則是其一個周期份的8.3毫秒的期間。

數據傳輸線驅動電路5具備：與(3N)列的第一數據傳輸線14－1的各個一對一對應地設置的(3N)個數據傳輸電路DT、按照構成各組的每三列的第一數據傳輸線14－1設置的N個多路分配器DM、以及數據信號供給電路70。

數據信號供給電路70基于由控制電路3供給的圖像信號Vid和控制信號Ctr，生成數據信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。即，數據信號供給電路70基于對數據信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)進行了時分多路復用的圖像信號Vid，生成數據信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。然后，數據信號供給電路70將數據信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)分別供給至與第1、2、…、N組對應的多路分配器DM。

圖3是用于說明多路分配器DM和數據傳輸電路DT的構成的電路圖。此外，圖3代表性地示出屬于第n組的多路分配器DM、和與該多路分配器DM連接的三個數據傳輸電路DT。此外，以下，有時將屬于第n組的多路分配器DM標記為DM(n)。

以下，除了圖2之外還參照圖3來對多路分配器DM以及數據傳輸電路DT的構成進行說明。

如圖3所示，多路分配器DM是按照每列設置的傳輸門34的集合體，依次向構成各組的三列供給數據信號。這里，與屬于第n組的(3n－2)、(3n－1)、(3n)列對應的傳輸門34的輸入端彼此共同連接，分別向該共用端子供給數據信號Vd(n)。在第n組中被設置于左端列即(3n－2)列的傳輸門34在控制信號Sel(1)為H電平時(控制信號/Sel(1)為L電平時)接通(導通)。同樣地，在第n組中被設置于中央列即(3n－1)列的傳輸門34在控制信號Sel(2)為H電平時(控制信號/Sel(2)為L電平時)接通，在第n組中被設置于右端列即(3n)列的傳輸門34在控制信號Sel(3)為H電平時(控制信號/Sel(3)為L電平時)接通。

數據傳輸電路DT是按每一列具有保持電容(第三電容)41、傳輸門45以及傳輸門42的組，在后述的初始化期間以及補償期間在保持電容(第三電容)41積蓄從各列的傳輸門34的輸出端輸出的數據信號的電位，在后述的寫入期間將積蓄于保持電容(第三電容)41的數據信號的電位傳輸給傳輸電容133的電路。

各列的傳輸門45的源極或者漏極與第一數據傳輸線14－1電連接。另外，控制電路3對各列的傳輸門45的柵極共同地供給控制信號/Gini。傳輸門45在控制信號/Gini為L電平時將第一數據傳輸線14－1與初始電位Vini的供給線電連接，在控制信號/Gini為H電平時使它們不電連接。此外，初始電位Vini的供給線61被從控制電路3供給規定的初始電位Vini。

保持電容41具有兩個電極。保持電容41的一個電極經由節點h與傳輸門42的輸入端電連接。另外，傳輸門42的輸出端與第一數據傳輸線14－1電連接。

控制電路3對各列的傳輸門42共同地供給控制信號Gcpl以及控制信號/Gcpl。因此，各列的傳輸門42在控制信號Gcpl為H電平時(控制信號/Gcpl為L電平時)一齊接通。

各列的保持電容41的一個電極經由節點h與傳輸門34的輸出端以及傳輸門42的輸入端電連接。而且，在傳輸門34接通時，保持電容41的一個電極經由傳輸門34的輸出端被供給數據信號Vd(n)。即，保持電容41的一個電極被供給數據信號Vd(n)。

另外，各列的保持電容41的另一個電極共同地與供給作為固定電位的電位Vss的供電線63連接。這里，電位Vss也可以是與作為邏輯信號的掃描信號、控制信號的L電平相當的電位。此外，將保持電容41的電容值設為Crf。

參照圖4，對像素電路110等進行說明。為了一般地示出像素電路110排列的行，將1以上M以下的任意的整數表示為m。另外，將1以上M以下且連續的任意的整數表示為m1、m2。即，m是包括m1、m2的一般化的概念。

對于各像素電路110，在電方面來看為彼此相同的構成，所以這里，以位于第m行且位于第n組中的左端列的第(3n－2)列的、m行(3n－2)列的像素電路110為例進行說明。

如圖4所示，在第一數據傳輸線14－1電連接有傳輸電容(第一電容)133的第一電極133-1和第一晶體管126的源極或者漏極中的一方。另外，傳輸電容133的第二電極133－2和第一晶體管126的源極或者漏極中的另一方與第二數據傳輸線14－2電連接。

換句話說，在第一數據傳輸線14－1與第二數據傳輸線14-2之間，以并聯的方式連接有傳輸電容133和第一晶體管126。

另外，像素電路110與第二數據傳輸線14－2連接。即，像素電路110經由第一數據傳輸線14-1以及第二數據傳輸線14-2被供給與指定灰度對應的灰度電位。

在本實施方式中，對一根第二數據傳輸線14－2電連接一個像素電路110。

但是，本發明并不限定于這樣的構成，也可以對一根第二數據傳輸線14-2電連接Nb個像素電路110。換句話說，也可以多個像素電路110共用一根第二數據傳輸線14-2、一個傳輸電容133以及第一晶體管126。

圖5是說明本實施方式特有的構成的圖。在本實施方式中，如圖5所示，在第一數據傳輸線14－1分別經由傳輸電容133連接有兩個以上的第二數據傳輸線14-2。

這里，將經由第二數據傳輸線14－2和傳輸電容133與同一第一數據傳輸線14-1連接的像素電路110的集合稱為“像素列”(圖5中的像素列P)。另外，將規定數量的像素電路110的集合稱為“塊”(圖5中的塊B)。

如圖5所示，像素列P包含多個塊B，各塊B包含多個像素電路110。換句話說，在本實施方式中，第二數據傳輸線14－2針對與像素列P所包含的像素電路110的個數相等的個數的像素電路110而設置。

與此相對，以往的構成如圖6所示。圖6是說明作為比較例而示出的以往的構成的圖。如該圖所示，在以往的構成中，第二數據傳輸線14－2針對像素列P設置，并且在其端部設置有傳輸電容133和第一數據傳輸線14－1。換句話說，在以往的構成中，針對一個像素列P(所包含的全部的像素電路110)，設置有一根第一數據傳輸線14－1和一根第二數據傳輸線14－2。這一點與參照圖5說明的本實施方式特有的構成、即第二數據傳輸線14－2以構成像素列P的塊B為單位被分割并設置有多根的點明確不同。

另外，如下述的(式1)所示，將顯示部100中的像素電路110的所有行數M除以與一根第二數據傳輸線14－2連接的像素電路110的行數Nb后的值設為K。換句話說，第二數據傳輸線14－2被分割為M除以Nb后的值即K根，在一根第二數據傳輸線14－2連接有Nb個像素電路110。

【式1】

在本實施方式中，針對一根第一數據傳輸線14－1設置有K(K≥2)×Nb根第二數據傳輸線14－2。換句話說，一個像素列P具備K個塊B。另外，第一數據傳輸線14－1與M行份(M個)的像素電路110對應地設置，第二數據傳輸線14－2與Nb行份(Nb個)的像素電路110對應地設置。因此，第二數據傳輸線14－2與第一數據傳輸線14－1相比較短。

在本實施方式中，Nb的值為1。此外，使用k為1以上K以下的任意的整數。

以后，設與從第一行數第m行上的各像素電路110對應的第一晶體管126是從第一行數第m個第一晶體管126，并被供給控制信號Gfix(m)。

像素電路110包括P溝道MOS型的晶體管121～125、OLED130、以及像素電容132。第m行的像素電路110被供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gcmp(m)、Gel(m)以及Gorst(m)。這里，掃描信號Gwr(m)、控制信號Gcmp(m)、Gel(m)以及Gorst(m)分別與第m行對應地由掃描線驅動電路6供給。

此外，雖然在圖2中省略圖示，但如圖4所示，在顯示面板2(顯示部100)中設置有沿橫向(X方向)延伸的M行的控制線143(第一控制線)、沿橫向延伸的M行的控制線144(第二控制線)、沿橫向延伸的M行的控制線145(第三控制線)、以及沿橫向延伸的K行的控制線146(第四控制線)。

而且，掃描線驅動電路6對第m行的控制線143供給控制信號Gcmp(m)，對第m行的控制線144供給控制信號Gel(m)，對第m行的控制線145供給控制信號Gorst(m)，對第m行的控制線146供給控制信號Gfix(m)。

即，掃描線驅動電路6分別經由第m行的掃描線12、控制線143、144、145對位于第m行的像素電路供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gel(m)、Gcmp(m)、Gorst(m)。另外，經由第m行的控制線146對位于第m行的第一晶體管126供給控制信號Gfix(m)。

以下，有時將掃描線12、控制線143、控制線144、控制線145以及控制線146總稱為“控制線”。即，在本實施方式所涉及的顯示面板2中，針對各行設置包括掃描線12的四根控制線，并且按照每一行設置一根控制線146。

像素電容132以及傳輸電容133分別具有兩個電極。傳輸電容133是包括第一電極133－1和第二電極133－2的靜電電容。

第二晶體管122的柵極與第m行的掃描線12電連接，源極或者漏極中的一方與第二數據傳輸線14－2電連接。另外，第二晶體管122的源極或者漏極中的另一方與驅動晶體管121的柵極和像素電容132的一個電極分別電連接。即，第二晶體管122電連接在驅動晶體管121的柵極與傳輸電容133的第二電極133－2之間。而且，第二晶體管122作為對驅動晶體管121的柵極同與第(3n－2)列的第二數據傳輸線14－2連接的傳輸電容133的第二電極133－2之間的電連接進行控制的晶體管發揮作用。

驅動晶體管121的源極與供電線116電連接，其漏極與第三晶體管123的源極或者漏極中的一方和第四晶體管124的源極電連接。

這里，供電線116被供給在像素電路110中成為電源的高位側的電位Vel。該驅動晶體管121作為流通與驅動晶體管121的柵極以及源極間的電壓對應的電流的驅動晶體管發揮作用。

第三晶體管123的柵極與控制線143電連接，并被供給控制信號Gcmp(m)。該第三晶體管123作為對驅動晶體管121的柵極與漏極之間的電連接進行控制的開關晶體管發揮作用。因此，第三晶體管123是用于經由第二晶體管122使驅動晶體管121的柵極及漏極之間導通的晶體管。此外，雖然在第三晶體管123的源極和漏極中的一方與驅動晶體管121的柵極之間連接有第二晶體管122，但也可以解釋為第三晶體管123的源極和漏極中的一方與驅動晶體管121的柵極電連接。

第四晶體管124的柵極與控制線144電連接，并被供給控制信號Gel(m)。另外，第四晶體管124的漏極與第五晶體管125的源極和OLED130的陽極130a分別電連接。該第四晶體管124作為對驅動晶體管121的漏極與OLED130的陽極之間的電連接進行控制的開關晶體管發揮作用。并且，雖然在驅動晶體管121的漏極與OLED130的陽極之間連接有第四晶體管124，但也可以解釋為驅動晶體管121的漏極與OLED130的陽極電連接。

第五晶體管125的柵極與控制線145電連接，并被供給控制信號Gorst(m)。另外，第五晶體管125的漏極與第(3n－2)列的供電線16電連接并被保持為復位電位Vorst。該第五晶體管125作為對供電線16與OLED130的陽極130a之間的電連接進行控制的開關晶體管發揮作用。

第一晶體管126的柵極與控制線146電連接，并被供給控制信號Gfix(k)。另外，第一晶體管126的源極或者漏極中的一方與第二數據傳輸線14－2電連接，并經由第二數據傳輸線14－2與傳輸電容133的第二電極133－2以及第三晶體管123的源極或者漏極中的另一方電連接。另外，第一晶體管126的源極或者漏極中的另一方與第(3n－2)列的第一數據傳輸線14－1電連接。

該第一晶體管126主要作為對第一數據傳輸線14－1與第二數據傳輸線14－2之間的電連接進行控制的開關晶體管發揮作用。

這里，第一晶體管126以及傳輸電容133被與同一第二數據傳輸線14－2連接的Nb個像素電路110共用。在本實施方式中，如圖4所示，在一根同一第二數據傳輸線14－2連接有各行的像素電路110。

此外，在本實施方式中顯示面板2形成于硅基板，所以設晶體管121～126的基板電位為電位Vel。另外，上述的晶體管121～126的源極、漏極也可以根據晶體管121～126的溝道型、電位的關系而調換。另外，晶體管既可以是薄膜晶體管也可以是場效應晶體管。

像素電容132的一個電極與驅動晶體管121的柵極g電連接，另一個電極與供電線116電連接。因此，像素電容132作為保持驅動晶體管121的柵極-源極間的電壓的保持電容發揮作用。此外，將像素電容132的電容值標記為Cpix。

此外，作為像素電容132，既可以使用寄生于驅動晶體管121的柵極g的電容，也可以使用通過在硅基板中以相互不同的導電層夾持絕緣層而形成的電容。

傳輸電容133的第一電極133－1經由第一數據傳輸線14－1以及傳輸門42與保持電容41的一個電極電連接。另外，傳輸電容133的第二電極133－2經由第二數據傳輸線14－2以及第二晶體管122與驅動晶體管121的柵極g電連接。因此，傳輸電容133作為在后述的補償期間，使柵極g的電位電平位移對第一數據傳輸線14－1以及第一電極133－1的電位的變化量乘以傳輸電容133與保持電容41的電容比后的值的傳輸電容發揮作用。詳細后述。此外，將傳輸電容133的電容值標記為C1。

另外，在本實施方式中，在被供給復位電位Vorst的供電線16與第一數據傳輸線14－1之間設置有屏蔽電容134。屏蔽電容134是包括第一電極134－1和第二電極134－2的靜電電容。屏蔽電容134作為屏蔽第一數據傳輸線14－1的屏蔽電容發揮作用。此外，將屏蔽電容134的電容值標記為C2。

OLED130的陽極130a是按照每個像素電路110獨立地設置的像素電極。與此相對，OLED130的陰極是在像素電路110的全部共用地設置的共用電極118，并被保持為在像素電路110中成為電源的低位側的電位Vct。OLED130是在上述硅基板中，以陽極130a和具有透光性的陰極夾持有白色有機EL層的元件。而且，在OLED130的射出側(陰極側)重疊有與RGB的任意一個對應的彩色濾光器。此外，也可以調整夾著白色有機EL層而配置的兩個反射層間的光學距離來形成空腔結構，來設定從OLED130發出的光的波長。在該情況下，既可以具有也可以不具有彩色濾光器。

在這樣的OLED130中，若從陽極130a向陰極流通電流，則從陽極130a注入的空穴與從陰極注入的電子在有機EL層再結合而生成激子，產生白色光。此時構成為：產生的白色光透過與硅基板(陽極130a)相反側的陰極，經過基于彩色濾光器的著色，被觀察者側視覺確認。

參照圖7對電光學裝置1的動作進行說明。圖7是用于說明電光學裝置1中的各部的動作的時序圖。如該圖所示，掃描線驅動電路6依次將掃描信號Gwr(1)～Gwr(M)切換為L電平，在一幀的期間按每一個水平掃描期間(H)依次掃描第1～第M行的掃描線12。

一個水平掃描期間(H)的動作在各行的像素電路110共同。因此，以下，在水平掃描第m1行的水平掃描期間，特別著眼于m1行(3n－2)列的像素電路110對動作進行說明。

在本實施方式中，第m1行的水平掃描期間大致分為圖7中(a)所示的初始化期間、(b)所示的補償期間、(c)所示的寫入期間、以及(d)所示的不發光期間。另外，在下一個水平掃描期間，(d)所示的不發光期間繼續，再下一個水平掃描期間，成為(e)所示的發光期間，在一幀的期間經過后再次到達第m1行的水平掃描期間。因此，以時間順序來說，成為初始化期間→補償期間→寫入期間→不發光期間→發光期間這樣的周期的反復。

圖8是說明發光期間的像素電路110等的動作的圖。此外，在圖8中，以粗線表示在動作說明中重要的電流路徑，在截止狀態的晶體管或者傳輸門上以粗線附加“X”記號(在以下的圖9、圖10、圖11以及圖14中也相同)。

初始化期間

如圖7所示，在第m1行的初始化期間，掃描信號Gwr(m1)為H電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(m1)為L電平。控制信號Gorst(m1)為L電平。

因此，如圖8所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，第五晶體管125、第一晶體管126接通，另一方面，驅動晶體管121、第二晶體管122、第三晶體管123、第四晶體管124截止。由此，向OLED130供給的電流的路徑被切斷，所以OLED130成為截止(不發光)狀態。

如圖8所示，通過第五晶體管125接通，而OLED130的陽極130a與供電線16電連接，陽極130a的電位被設定為復位電位Vorst。

這里，在初始化期間，在數據傳輸電路DT中，控制信號/Gini為L電平，控制信號Gini為H電平，所以如圖8所示那樣傳輸門45接通，控制信號Gcpl為L電平，控制信號/Gcpl為H電平，所以如圖8所示那樣傳輸門42截止。另外，由于控制信號Gfix(k)為L電平，所以第一晶體管126接通。因此，如圖8所示，與傳輸電容133的第一電極133－1連接的第一數據傳輸線14－1被設定為初始電位Vini，并且第一數據傳輸線14－1與第二數據傳輸線14－2電連接，傳輸電容133的第二電極133－2也被設定為初始電位Vini。由此，傳輸電容133被初始化。

另外，在初始化期間的多路分配器DM(n)中，控制信號Sel(1)為H電平，控制信號/Sel(1)為L電平，所以如圖8所示那樣傳輸門34接通。由此，電容值Crf的保持電容41被寫入灰度電位。

另外，在本實施方式中，m1行(3n－2)列的像素電路110所連接的第二數據傳輸線14－2與m2行(3n－2)列的像素電路110所連接的第二數據傳輸線14－2不同。因此，在第m1行的初始化期間使用被控制信號Gfix(m1)控制的第一晶體管126，如圖9所示那樣在第m2行的初始化期間使用被控制信號Gfix(m2)控制的第一晶體管126。

補償期間

若初始化期間結束，則補償期間開始。在第m1行的補償期間，掃描信號Gwr(m1)為L電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為L電平，控制信號Gfix(m1)為H電平。控制信號Gorst(m1)為L電平。

因此，如圖10所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，第二晶體管122、第三晶體管123、第五晶體管125接通，另一方面，第四晶體管124、第一晶體管126截止。此時，驅動晶體管121的柵極g經由第二晶體管122和第三晶體管123與自身的漏極連接(二極管連接)，在驅動晶體管121中流通漏極電流而對柵極g進行充電。

即，若驅動晶體管121的漏極和柵極g與第二數據傳輸線14－2連接并將驅動晶體管121的閾值電壓設為Vth，則驅動晶體管121的柵極g的電位Vg逐漸接近(Vel－Vth)。

這里，在補償期間的數據傳輸電路DT中，控制信號/Gini為L電平，控制信號Gini為H電平，所以如圖10所示那樣傳輸門45接通，由于控制信號Gcpl為L電平，控制信號/Gcpl為H電平，所以傳輸門42截止。此時，如上述那樣與以往的構成相比第二數據傳輸線14－2較短，所以對附隨于第二數據傳輸線14－2的寄生電容的充電或者放電所需要的時間縮短，補償期間本身縮短。

另外，在補償期間的多路分配器DM(n)中，控制信號Sel(1)為H電平，控制信號/Sel(1)為L電平，所以如圖10所示那樣傳輸門34接通。由此，電容值Crf的保持電容41被寫入灰度電位。

此外，由于第四晶體管124截止，所以驅動晶體管121的漏極與OLED130不電連接。另外，與初始化期間相同，通過第五晶體管125接通，而OLED130的陽極130a與供電線16電連接，陽極130a的電位被設定為復位電位Vorst。

寫入期間

若補償期間結束，則寫入期間開始。在第m1行的寫入期間，掃描信號Gwr(m1)為L電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(m1)為H電平。控制信號Gorst(m1)為L電平。

因此，如圖11所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，晶體管122、125接通，另一方面晶體管123、124、126截止。

這里，在寫入期間的數據傳輸電路DT中，控制信號/Gini為H電平，所以如圖11所示那樣傳輸門45截止，由于控制信號Gcpl為H電平，所以如圖11所示那樣傳輸門42接通。因此，解除向第一數據傳輸線14－1以及第一電極133－1的初始電位Vini的供給，并且電容值Crf的保持電容41的一個電極與第一數據傳輸線14－1以及第一電極133－1連接，對該第一電極133－1供給灰度電位。而且，灰度電位電平位移后的信號被供給至驅動晶體管121的柵極，并被寫入至像素電容132。這樣，在本實施方式中，使用數據傳輸電路DT的傳輸門42以及保持電容41、以及傳輸電容133進行灰度電位的電平位移。

此外，在寫入期間的多路分配器DM(n)中，控制信號Sel(1)為L電平，所以如圖11所示那樣傳輸門34截止。

此外，由于第四晶體管124截止，所以驅動晶體管121的漏極與OLED130不電連接。另外，與初始化期間相同，通過第五晶體管125接通，而OLED130的陽極130a與供電線16電連接，陽極130a的電位被初始化為復位電位Vorst。

此外，在第m行的寫入期間開始之前(初始化期間、補償期間的期間)，以第n組來說，控制電路3依次將數據信號Vd(n)切換為與m行(3n-2)列、m行(3n－1)列、m行(3n)列的像素的灰度等級對應的電位。

另一方面，控制電路3與數據信號的電位的切換配合地依次使控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)排他地成為H電平。雖然省略圖示，但控制電路3也輸出與控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)為邏輯反轉的關系的控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。由此，在多路分配器DM中，在各組中傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序接通。

另外，在左端列的傳輸門34在通過控制信號Sel(1)、/Sel(1)而接通時，若將第一數據傳輸線14－1以及第一電極133－1的電位的變化量設為ΔV，則第二數據傳輸線14－2以及驅動晶體管121的柵極g的電位的變化量ΔVg以下述(式2)表示。其中，傳輸電容133的電容值C1與像素電路110的行數成比例且能夠調整電容值，設每一行的電容為C1a。另外，將每一行的附隨于第二數據傳輸線14－2的寄生電容的電容值設為C3a。另外，如上述那樣，將與一根第二數據傳輸線14－2連接的像素電路110的行數表示為Nb。

【式2】

這里，如下述的(式3)所示那樣將ΔV與ΔVg之比設為壓縮率R。

【式3】

換句話說，寫入期間的驅動晶體管121的柵極g的電位Vg成為從補償期間的電位Vg起電平位移了(被數據壓縮了)對第一數據傳輸線14－1以及第一電極133－1的電位的變化量ΔV乘以R后的值后而得到的值。若該寫入期間結束，則后述的發光期間開始。

根據上述的(式2)所示的關系，與一根第二數據傳輸線14－2連接的像素電路110的個數Nb越多(一個塊內所包含的像素電路110的個數Nb越多)，ΔVg和ΔV越成為接近的值。換句話說，Nb的值越大，(式3)所示的R越接近1。

這里，優選與第二數據傳輸線14－2連接的像素電路110的個數Nb(一個塊內所包含的像素電路110的個數Nb)鑒于補償動作的完成所需要的時間和數據壓縮的壓縮率來決定。以下，進行具體的說明。

首先，對補償動作的完成所需要的時間進行說明。優選在結束補償期間的時刻的驅動晶體管121的柵極g的電位Vg(補償點)被設定為灰度電壓的中間灰度，但由于Nb的值越小，附隨于驅動晶體管121的柵極g的寄生電容越小，所以補償期間變得極短，作為結果，存在受到掃描信號Gwr(m)的上升(下降)時的延遲的影響，而補償期間在供給掃描信號Gwr(m)側和被供給側不同的擔心。在該情況下，導致需要消除該擔心的程度的高驅動能力的掃描線驅動電路6。

另外，如(式2)所示，對于數據壓縮的壓縮率來說，Nb的值越小壓縮率越大，相反Nb的值越大壓縮率越小。

因此，優選鑒于補償動作的完成所需要的時間和數據壓縮的壓縮率，來將Nb的值決定為適當的值。例如在全部行數M為720行的情況下，可以將Nb設為90個，將總塊數K設為8個。

不發光期間

如圖7的時序圖所示，若掃描信號Gwr(m1)從L電平上升到H電平且結束寫入期間，則一個水平掃描期間(H)的剩余的期間以及下一個水平掃描期間(H)成為不發光期間。在不發光期間中，全部的晶體管截止，控制信號Gorst(m1)為L電平。

發光期間

若不發光期間結束，則發光期間開始。如圖7的時序圖所示，在第m1行的發光期間，掃描信號Gwr(m1)為H電平，控制信號Gel(m1)為L電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(m1)為H電平。控制信號Gorst(m1)為H電平。

因此，如圖12所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，第四晶體管124接通，另一方面第二晶體管122、第三晶體管123、第五晶體管125、第一晶體管126截止。由此，驅動晶體管121向OLED130供給與由像素電容132保持的電壓、即柵極-源極間的電壓Vgs對應的驅動電流Ids。換句話說，OLED130被驅動晶體管121供給與各像素的指定灰度對應的灰度電位所對應的電流，并以與該電流對應的亮度發光。

這里，在發光期間，在數據傳輸電路DT中，控制信號/Gini為H電平，控制信號Gini為L電平，所以如圖12所示那樣傳輸門45截止，由于控制信號Gcpl為L電平，控制信號/Gcpl為H電平，所以傳輸門42截止。另外，在發光期間的多路分配器DM(n)中，控制信號Sel(1)為L電平，控制信號/Sel(1)為H電平，所以傳輸門34截止。

此外，第m1行的發光期間是第m1行以外正被水平掃描的期間，所以傳輸門34、傳輸門42、傳輸門45與這些行的動作配合地接通或者截止，所以第一數據傳輸線14－1以及第二數據傳輸線14－2的電位適當地變動。特別是，在第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123截止的情況下，第二數據傳輸線14－2成為浮動的狀態，電位容易變動。

因此，在本實施方式中，針對一個塊B的發光期間，設置通過使第一晶體管126接通，來使第一數據傳輸線14－1和第二數據傳輸線14－2為導通狀態，而對第二數據傳輸線14－2供給初始電位Vini的期間。

若將第m1行、第m2行等像素電路110所屬的塊設為塊B(m)，則作為塊B(m)的下一個塊的塊B(n)的初始化期間在塊B(m)中為發光期間。在本實施方式中，例如，若將上述塊B(m)的下一個塊B(n)設為一個塊，將上述塊B(m)設為另一個塊，則在作為一個塊的塊B(n)的初始化期間且作為另一個塊的塊B(m)的發光期間，使第一晶體管126接通來使第一數據傳輸線14－1和第二數據傳輸線14－2為導通狀態，而對第二數據傳輸線14－2供給初始電位Vini。

如圖13所示，在從時刻t1到時刻t4的期間，在塊B(m)中執行初始化期間、補償期間以及寫入期間的處理。

在從時刻t5到時刻t6，在作為塊B(m)的下一個塊的塊B(n)中，執行初始化期間的處理，但該期間在塊B(m)中為發光期間。但是，在本實施方式中，在塊B(n)中執行初始化期間的處理時，在以塊B(m)為首的其它的塊B中，使控制信號Gfix為L電平。其結果是，如圖14所示，第一晶體管126接通，在以塊B(m)為首的其它的塊B中，第一數據傳輸線14－1和第二數據傳輸線14－2成為導通狀態，而對第二數據傳輸線14－2供給初始電位Vini。

以下，同樣地，在塊B(n)中執行初始化期間的處理的從時刻t8到時刻t9的期間、從時刻t11到時刻t12的期間、以及從時刻t14到時刻t15的期間，在以塊B(m)為首的其它的塊B中，使控制信號Gfix為L電平。其結果是，如圖14所示，第一晶體管126接通，在以塊B(m)為首的其它的塊B中，第一數據傳輸線14－1與第二數據傳輸線14－2成為導通狀態，而對第二數據傳輸線14－2供給初始電位Vini。

如以上那樣，根據本實施方式，在其它的塊中進行初始化期間的處理的期間，將在發光期間中成為浮動節點的第二晶體管122的傳輸電容133側的第二數據傳輸線14－2設定為固定電位的初始電位Vini，所以能夠抑制第二數據傳輸線14－2的電位接近電源電壓。其結果是，第二晶體管122不會接通，在像素電容132中保持電壓，不會產生顯示的不良情況。

結構

接下來，以下對本實施方式中的電光學裝置1的具體的結構進行詳述。此外，在以下的說明所參照的各附圖中，為了方便說明，而使各要素的尺寸、比例與實際的電光學裝置1不同。圖15以及圖16是著眼于一個像素電路110來圖示了形成電光學裝置1的各要素的各階段下的基板10的表面的樣子的俯視圖。圖17是電光學裝置1的剖視圖。與包含圖15以及圖16的I－I’線的剖面對應的剖視圖相當于圖17。此外，雖然圖15以及圖16是俯視圖，但從使各要素的視覺性把握容易化的觀點考慮，對與圖17共同的各要素方便地附加有與圖17同形狀的陰影線。

如根據圖15的表示有源層的部分以及圖17所理解的那樣，在由硅等半導體材料形成的基板10的表面形成有像素電路110的各晶體管121、122、123、124、125、126的有源區域10A(源極/漏極區域)。有源區域10A被注入離子。像素電路110的各晶體管121、122、123、124、125、126的有源層存在于源極區域與漏極區域之間，并被注入與有源區域10A不同種類的離子，但為了方便，與有源區域10A一體地記載。

如根據圖15的表示柵極層的部分以及圖17所理解的那樣，形成有有源區域10A的基板10的表面被絕緣膜L0(柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管121、122、123、124、125、126的柵極層GT(GTdr、GTwr、GTcmp、GTel、GTorst、GTfix)形成在絕緣膜L0的表面上。各晶體管121、122、123、124、125、126的柵極層GT隔著絕緣膜L0與有源層對置。

如根據圖17所理解的那樣，在形成有各晶體管121、122、123、124、125、126的柵極層GT的絕緣膜L0的表面上，形成有交替地層疊了多個絕緣層L(LA～LH)和多個導電層(布線層)的多層布線層。各絕緣層L例如由硅化合物(典型而言是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。此外，在以下的說明中，將通過導電層(單層或者多層)的有選擇的除去而以同一工序一并地形成多個要素的關系標記為“由同一層形成”。

絕緣層LA形成在形成有各晶體管121、122、123、124、125、126的柵極層GT的絕緣膜L0的表面上。如根據圖15的表示金屬層A的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LA的表面上形成有多個中繼電極QA(QA1～QA12)。

如根據圖15的表示金屬層A的部分以及圖17所理解的那樣，中繼電極QA1經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA2與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。中繼電極QA2經由貫通絕緣層LA的導通孔HB1與第一晶體管126的柵極層GTfix導通。中繼電極QA3經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA1與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。另外，中繼電極QA3經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA7與形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。并且，中繼電極QA3經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA9與形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。如以上那樣，中繼電極QA3為源極電極，是與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、以及形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

中繼電極QA4經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA4與形成第五晶體管125的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。中繼電極QA5經由貫通絕緣層LA的導通孔HB2與第五晶體管125的柵極層GTorst導通。中繼電極QA6經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA3與形成第五晶體管125的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

另外，中繼電極QA6經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA5與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。中繼電極QA7經由貫通絕緣層LA的導通孔HB3與第四晶體管124的柵極層GTel導通。中繼電極QA8經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA6與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。另外，中繼電極QA8經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA8與形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。并且，中繼電極QA8經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA12與形成驅動晶體管121的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。如以上那樣，中繼電極QA6為源極電極，是與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。另外，中繼電極QA8也是源極電極，是與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、以及形成驅動晶體管121的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

中繼電極QA9經由貫通絕緣層LA的導通孔HB4與第三晶體管123的柵極層GTcmp導通。中繼電極QA10經由貫通絕緣層LA的導通孔HB5與第二晶體管122的柵極層GTwr導通。中繼電極QA11經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA10與形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。另外，中繼電極QA11經由貫通絕緣層LA的導通孔HB6與驅動晶體管121的柵極層GTdr導通。中繼電極QA12經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA11與形成驅動晶體管121的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

絕緣層LB形成在形成有多個中繼電極QA(QA1、QA2、QA3、QA4、QA5、QA6、QA7、QA8、QA9、QA10、QA11、QA12)的絕緣層LA的表面上。如根據圖15的表示金屬層B的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LB的表面上形成有掃描線12、供電線116、多個控制線143～146、以及多個中繼電極QB(QB1、QB2、QB3、QB4)。

如根據圖15的表示金屬層B的部分以及圖17所理解的那樣，作為第一導電線的一個例子的掃描線12經由貫通絕緣層LB的導通孔HC9與第二晶體管122的柵極層GTwr導通。掃描線12遍及多個像素電路110沿第二晶體管122的溝道長度方向(X方向)延伸。

供電線116經由多層布線層內的布線(圖示省略)與被供給高位側的電源電位Vel的安裝端子導通。供電線116由例如含有銀、鋁的導電材料例如形成為100nm左右的膜厚。供電線116經由貫通絕緣層LB的導通孔HC10與形成驅動晶體管121的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。供電線116遍及多個像素電路110沿驅動晶體管121的溝道長度方向(X方向)延伸。供電線116通過絕緣層LC與后述的傳輸電容133的第二電極133－2電絕緣。

如根據圖15的表示金屬層B的部分以及圖17所理解的那樣，控制線143經由貫通絕緣層LB的導通孔HC7、中繼電極QA9以及貫通絕緣層LA的HB4與第三晶體管123的柵極層GTcmp導通。另外，控制線143沿第三晶體管123的溝道長度方向(X方向)延伸。

如根據圖15的表示金屬層B的部分以及圖17所理解的那樣，控制線144經由貫通絕緣層LB的導通孔HC6、中繼電極QA7以及貫通絕緣層LA的HB3與第四晶體管124的柵極層GTel導通。另外，控制線144沿第四晶體管124的溝道長度方向(X方向)延伸。

控制線145經由貫通絕緣層LB的導通孔HC3、中繼電極QA5以及貫通絕緣層LA的HB2與第五晶體管125的柵極層GTorst導通。另外，控制線145沿第五晶體管125的溝道長度方向(X方向)延伸。

控制線146經由貫通絕緣層LB的導通孔HC2、中繼電極QA2以及貫通絕緣層LA的HB1與第一晶體管126的柵極層GTfix導通。另外，控制線146沿第一晶體管126的溝道長度方向(X方向)延伸。

如根據圖15的金屬層B以及金屬層A的部分所理解的那樣，中繼電極QB1經由貫通絕緣層LB的導通孔HC1與中繼電極QA1導通。中繼電極QB2經由貫通絕緣層LB的導通孔HC4與中繼電極QA4導通。中繼電極QB3經由貫通絕緣層LB的導通孔HC5與中繼電極QA6導通。中繼電極QB4經由貫通絕緣層LB的導通孔HC8與中繼電極QA3導通。

絕緣層LC形成在形成有掃描線12、多個控制線143～146以及多個中繼電極QB(QB1、QB2、QB3、QB4)的絕緣層LB的表面上。如根據圖15的金屬層C的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LC的表面上形成有第二數據傳輸線14－2、傳輸電容133的第二電極133－2、以及多個中繼電極QC(QC1、QC2、QC3)。

作為第三導電層的一個例子的第二數據傳輸線14－2遍及多個像素電路110沿Y方向延伸。第二數據傳輸線14－2經由貫通絕緣層LC的導通孔HD4、中繼電極QB4、貫通絕緣層LB的導通孔HC8以及中繼電極QA3，與形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。另外，第二數據傳輸線14－2與形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、和形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

傳輸電容(第一電容)133的作為第五導電層的一個例子的第二電極133－2是在像素電路110中覆蓋掃描線12、控制線143以及控制線144的矩形的電極，與第二數據傳輸線14－2一體地形成。

如根據圖15以及圖17所理解的那樣，中繼電極QC1經由貫通絕緣層LC的導通孔HD1與中繼電極QB1導通。中繼電極QC2經由貫通絕緣層LC的導通孔HD2與中繼電極QB2導通。中繼電極QC3經由貫通絕緣層LC的導通孔HD3與中繼電極QB3導通。

絕緣層LD形成在形成有第二數據傳輸線14－2、傳輸電容133的第二電極133－2以及多個中繼電極QC(QC1、QC2、QC3)的絕緣層LC的表面上。如根據圖15的電容電極層的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LD的表面上形成有傳輸電容133的第一電極133－1。

傳輸電容(第一電容)133的作為第四導電層的一個例子的第一電極133－1是隔著絕緣層LD與第二電極133－2對置的矩形的電容電極。第一電極133－1隔著絕緣層LD與第二電極133－2對置。這樣，傳輸電容133由金屬的第一電極133－1、絕緣層LD以及金屬的第二電極133－2構成，具有MIM(Metal-Insulator-Metal：金屬-絕緣體-金屬)結構。因此，傳輸電容133容易大電容化。另外，傳輸電容133形成在像素電路110的顯示區域內，所以能夠實現電光學裝置的小型化。

絕緣層LE形成在形成有傳輸電容133的第一電極133－1的絕緣層LD的表面上。如根據圖16的金屬層D的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LE的表面上形成有第一數據傳輸線14－1、供電線16以及中繼電極QD1。

作為第二導電層的一個例子的第一數據傳輸線14－1遍及多個像素電路110沿Y方向延伸。第一數據傳輸線14－1經由貫通絕緣層LE的導通孔HF1、HF2、HF3與傳輸電容133的第一電極133－1導通。另外，第一數據傳輸線14－1經由貫通絕緣層LE以及絕緣層LD的導通孔HE1、中繼電極QC1、貫通絕緣層LC的導通孔HD1、中繼電極QB1、貫通絕緣層LB的導通孔HC1、中繼電極QA1、以及貫通絕緣層LA以及絕緣膜L0的導通孔HA2，與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

作為第六導電層的供電線16遍及多個像素電路110沿Y方向延伸。供電線16經由貫通絕緣層LE以及絕緣層LD的導通孔HE2、中繼電極QC2、貫通絕緣層LC的導通孔HD2、中繼電極QB2、貫通絕緣層LB的導通孔HC4、中繼電極QA4、以及貫通絕緣層LA以及絕緣膜L0的導通孔HA4，與形成第五晶體管125的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。中繼電極QD1經由貫通絕緣層LE的導通孔HE3與中繼電極QC3導通。

另外，供電線16與第一數據傳輸線14－1形成于同一層，以經由絕緣層LF與第一數據傳輸線14－1之間具有規定的間隙的方式配置。這樣一來形成屏蔽電容(第二電容)134，第一數據傳輸線14－1被作為屏蔽線的供電線16屏蔽。

絕緣層LF形成在形成有第一數據傳輸14－1、供電線16以及中繼電極QD1的絕緣層LE的表面上。如根據圖16的反射層的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LF的表面上形成有反射層50。反射層50按照每個像素電路110獨立地形成。反射層50由例如含有銀、鋁的光反射性的導電材料例如形成為100nm左右的膜厚。如根據圖16的反射層的部分以及圖17所理解的那樣，反射層50經由貫通絕緣層LF的導通孔HG1與中繼電極QD1導通。中繼電極QD1經由導通孔HE3、中繼電極QC3、導通孔HD3、中繼電極QB3、導通孔HC5、中繼電極QA6、導通孔HA5以及導通孔HA3，與第四晶體管124的漏極區域或者源極區域以及第五晶體管125的漏極區域或者源極區域導通。

如圖17所示那樣，在形成有反射層50的絕緣層LF的表面上形成有光路調整層LG。光路調整層LG是規定各像素電路110的共振結構的共振波長(即顯示顏色)的透光性的膜體。設定為：在顯示顏色相同的像素中，共振結構的共振波長大致相同，在顯示顏色不同的像素中，共振結構的共振波長不同。

如圖16的像素電極層的部分以及圖17所示，在光路調整層LG的表面上形成有每個像素電路110的陽極130a。陽極130a例如由ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等透光性的導電材料形成。陽極130a經由貫通光路調整層LG的導通孔HH1與反射層50導通。因此，陽極130a經由反射層50與第四晶體管124的漏極區域或者源極區域以及第五晶體管125的漏極區域或者源極區域導通。

如圖16的像素清晰膜的部分以及圖17所例示的那樣，在形成有陽極130a的光路調整層LG的表面上，遍及基板10的整個區域形成有像素清晰膜51。像素清晰膜51例如由硅化合物(典型而言是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。如根據圖16的像素清晰膜的部分所理解的那樣，在像素清晰膜51形成有與各陽極130a對應的開口部51A。像素清晰膜51中的開口部51A的內周邊的附近的區域與陽極130a的周邊重合。即，開口部51A的內周邊在俯視時位于陽極130a的周邊的內側。各開口部51A的平面形狀(矩形形狀)、尺寸共同，并且，遍及X方向以及Y方向的各個以共同的間距排列為矩陣狀。如根據以上的說明所理解的那樣，像素清晰膜51在俯視時形成為格子狀。另外，也可以若顯示顏色相同則開口部51A的平面形狀、尺寸相同，在顯示顏色不同的情況下使開口部51A的平面形狀、尺寸不同。另外，也可以在顯示顏色相同的開口部彼此間，開口部51A的間距相同，在顯示顏色不同的開口部間，開口部51A的間距不同。

另外，雖然省略詳細的說明，但在陽極130a的上層層疊有發光功能層、OLED130的陰極以及密封體，在形成了以上的各要素的基板10的表面例如以粘合劑接合有密封基板(圖示省略)。密封基板是用于保護基板10上的各要素的透光性的板狀部件(例如玻璃基板)。此外，也能夠在密封基板的表面或者密封體的表面按照每個像素電路110形成彩色濾光器。

另外，雖然省略圖示，但在像素電路110形成有作為其它的電源線層的共用電極118。共用電極118經由多層布線層內的布線(圖示省略)，與被供給低位側的電源電位Vct的安裝端子導通。供電線116以及被供給低位側的電源電位Vct的共用電極118由例如含有銀、鋁的導電材料例如形成為100nm左右的膜厚。共用電極118與陽極130a導通。

如上述那樣，為了提高供給至驅動晶體管121的柵極g的電位Vg的數據壓縮率，期望增大傳輸電容(第一電容)133，但根據本實施方式，由分別形成在不同的層的第一電極133－1、第二電極133－2以及這些電極之間的絕緣層LD來形成傳輸電容133，采用MIM(Metal-Insulator-Metal)結構，所以能夠防止芯片面積的增大，能夠實現傳輸電容133的大電容化。另外，傳輸電容133與形成有第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層，所以形成在像素電路110的顯示區域內，從而能夠防止芯片面積的增大。

另外，關于屏蔽電容(第二電容)134，通過隔著絕緣層LF以規定的間隙配置第一數據傳輸線14－1和作為屏蔽線的供電線16來形成。因此，屏蔽電容134由兩條平行的布線形成，所以在Y方向具有規定的長度，從而能夠確保規定的電容。另外，屏蔽電容134也形成在像素電路110的顯示區域內，所以能夠防止芯片面積的增大。

在本實施例中，按照每個像素電路110形成了傳輸電容133，但也可以按照每條第二數據傳輸線14－2形成傳輸電容133。能夠進一步防止芯片面積的增大。

如根據圖15～圖17所理解的那樣，在本實施方式中，被供給的信號的振幅較大的第一數據傳輸線14－1與被供給壓縮后的信號的第二數據信號線14－2相比形成在上層。換句話說，能夠降低對驅動晶體管121的柵極的、供給到第一數據傳輸線14－1的振幅較大的信號的影響，抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

另外，如根據圖15以及圖17所理解的那樣，在本實施方式中，第二數據傳輸線14－2與形成有驅動晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

并且，如根據圖15以及圖17所理解的那樣，與驅動晶體管121的第二電流端連接的作為電源線的供電線116與第二數據傳輸線14－2相比形成在下層，所以供電線116作為屏蔽發揮作用，能夠進一步有效地抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

另外，如根據圖15所理解的那樣，驅動晶體管121被作為電源線的供電線116覆蓋，所以供電線116作為屏蔽發揮作用，能夠進一步有效地抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

如根據圖15～圖17所理解的那樣，傳輸電容133的第一電極133－1和第二電極133－2形成在與形成有第一數據傳輸線14－1的層不同的層。因此，即使在為了以較小的面積來確保某種程度的電容而使絕緣層變薄的情況下，也能夠不產生短路而形成具有均勻的層間的傳輸電容133。

如圖15的金屬層A的部分所示，以虛線的橢圓A表示第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置，以虛線的橢圓B表示驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置。另外，以虛線的橢圓C表示第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置。若以這種方式進行表示，則在像素電路的俯視時，表示第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A被設定成與表示驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置的虛線的橢圓B相比，更接近表示第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置的虛線的橢圓C。

第一數據傳輸線14－1被供給振幅較高的信號，在第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)有產生噪聲的可能性。但是，在像素電路的俯視時，第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)被設定在同第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)相比，遠離驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置(橢圓B)的位置。因此，即使在第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)產生噪聲，也能夠抑制對驅動晶體管121的噪聲的影響，能夠使顯示品質提高。

另外，第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)、驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置(橢圓B)、以及第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)的各個被配置在該像素電路110中的作為電源線的供電線116與沿Y方向相鄰的塊的像素電路110中的作為電源線的供電線116之間。因此，供電線116成為屏蔽，能夠減少噪聲的影響。

另外，如圖15所示，第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)被配置在與作為復位電位供給線的供電線16連接的第五晶體管125的柵極層GTorst所連接的控制線145與同第一晶體管126的柵極層GTfix連接的控制線146之間。因此，即使對第一數據傳輸線14－1供給振幅較高的信號而產生了噪聲，控制線145和控制線146也作為屏蔽發揮作用，能夠降低對驅動晶體管121的噪聲的影響。

另外，如圖15所示，第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)被配置在與作為復位電位供給線的供電線16連接的第五晶體管125的柵極層GTorst所連接的控制線145與同第四晶體管124的柵極層GTel連接的控制線144之間。因此，即使對第一數據傳輸線14－1供給振幅較高的信號而產生了噪聲，控制線145和控制線144也作為屏蔽發揮作用，能夠降低對驅動晶體管121的噪聲的影響。

第二實施方式

接下來，參照附圖的圖18～圖20對本發明的第二實施方式進行說明。此外，對于與第一實施方式的共同地方附加同一附圖標記并省略說明。

本實施方式的電路與圖4所示的第一實施方式的電路相同。如圖18～圖20所示，本實施方式的各晶體管的俯視時的配置與第一實施方式不同。但是，各布線的層上的位置關系與第一實施方式相同。

如根據圖18以及圖20所理解的那樣，在本實施方式中，傳輸電容(第一電容)133也由金屬的第一電極133－1、絕緣層LD以及金屬的第二電極133－2形成，由MIM(Metal-Insulator-Metal)結構形成。因此，能夠實現傳輸電容133的大電容化，能夠提高供給到驅動晶體管121的柵極g的電位Vg的數據壓縮率。另外，傳輸電容133與形成有第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層，所以形成在像素電路110的顯示區域內，能夠防止芯片面積的增大。

如根據圖19以及圖20所理解的那樣，關于屏蔽電容(第二電容)134，通過隔著絕緣層LF以規定的間隙配置第一數據傳輸線14－1和作為屏蔽線的供電線16來形成。因此，屏蔽電容134由兩條平行的布線形成，所以在Y方向具有規定的長度，從而能夠確保規定的電容。另外，屏蔽電容134也形成在像素電路110的顯示區域內，所以能夠防止芯片面積的增大。

在本實施例中，也按照每個像素電路110形成傳輸電容133，但也可以按照每條第二數據傳輸線14－2來形成傳輸電容133。能夠進一步防止芯片面積的增大。

如根據圖18～圖20所理解的那樣，在本實施方式中，被供給的信號的振幅較大的第一數據傳輸線14－1與被供給壓縮后的信號的第二數據信號線14－2相比形成在上層。換句話說，能夠降低對驅動晶體管121的柵極的、被供給到第一數據傳輸線14－1的振幅較大的信號的影響，抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

另外，如根據圖18及圖20所理解的那樣，在本實施方式中，第二數據傳輸線14－2與形成有驅動晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

圖18所示的中繼電極QA3為源極電極，是與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、以及形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

另外，圖18所示的中繼電極QA8也是源極電極，是與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、以及形成驅動晶體管121的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

并且，圖18所示的中繼電極QA11也是源極電極，是與形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。并且，如根據圖18以及圖20所理解的那樣，與驅動晶體管121的第二電流端連接的作為電源線的供電線116與第二數據傳輸線14－2相比形成在下層，所以供電線116作為屏蔽發揮作用，能夠進一步有效地抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

另外，如根據圖18所理解的那樣，驅動晶體管121被作為電源線的供電線116覆蓋，所以供電線116作為屏蔽發揮作用，能夠進一步有效地抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

如根據圖18～圖20所理解的那樣，傳輸電容133的第一電極133－1和第二電極133－2形成在與形成有第一數據傳輸線14－1的層不同的層。因此，即使在為了以較小的面積來確保某種程度的電容而使絕緣層變薄的情況下，也能夠不產生短路而形成具有均勻的層間的傳輸電容133。

如圖18的金屬層A的部分所示，以虛線的橢圓A表示第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置，以虛線的橢圓B表示驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置。另外，以虛線的橢圓C表示第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置。若以這種方式進行表示，則在一個像素電路110內觀察的情況下，表示第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A與表示第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置的虛線的橢圓C相比，接近表示驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置的虛線的橢圓B。

然而，如圖21以及圖22所示，在沿Y方向以及X方向相鄰的不同的像素電路110間觀察的情況下，表示第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A與表示驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置的虛線的橢圓B相比，接近表示第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置的虛線的橢圓C。

因此，即使第一數據傳輸線14－1被供給振幅較高的信號，而在第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)產生了噪聲，也能夠抑制對驅動晶體管121的噪聲的影響，能夠使顯示品質提高。

另外，如圖21以及圖22所示，在沿Y方向以及X方向相鄰的不同的像素電路110間觀察的情況下，表示第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A被配置在與第五晶體管125的柵極連接的控制線145和與驅動晶體管121的柵極連接的掃描線12之間。因此，驅動晶體管121的柵極被配置在控制線145與掃描線12之間，從而被控制線145和掃描線12屏蔽。其結果是，即使第一數據傳輸線14－1被供給振幅較高的信號，而在第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)產生了噪聲，也能夠抑制對驅動晶體管121的噪聲的影響，能夠使顯示品質提高。

另外，如圖18所示，第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)、驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置(橢圓B)、以及第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)的各個，被配置在該像素電路110中的作為電源線的供電線116與沿Y方向相鄰的塊的像素電路110中的作為電源線的供電線116之間。因此，供電線116成為屏蔽，能夠減少噪聲的影響。

另外，如圖18所示，第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)被配置在與第三晶體管123的柵極層GTcmp連接的控制線143與同第一晶體管126的柵極層GTfix連接的控制線146之間。因此，即使第一數據傳輸線14－1被供給振幅較高的信號而產生了噪聲，控制線143和控制線146也作為屏蔽發揮作用，能夠降低對驅動晶體管121的噪聲的影響。

另外，如圖18所示，第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)被配置在與作為復位電位供給線的供電線16連接的第五晶體管125的柵極層GTorst所連接的控制線145與同第四晶體管124的柵極層GTel連接的控制線144之間。因此，即使第一數據傳輸線14－1被供給振幅較高的信號而產生了噪聲，控制線145和控制線144也作為屏蔽發揮作用，能夠降低對驅動晶體管121的噪聲的影響。

第三實施方式

接下來，參照附圖的圖23～圖26對本發明的第三實施方式進行說明。在上述的各實施方式中，使用了六個晶體管，但在本實施方式中，使用五個晶體管。

電路圖

如圖23所示，在本實施方式中，未設置第五晶體管125的構成與上述的各實施方式不同。另外，在第一晶體管126的漏極或者源極連接有被供給初始電位Vini的供電線17。另外，第一數據傳輸線14－1經由傳輸門45被供給將第一數據傳輸線14－1初始化的電壓Vref。電壓Vref也可以與初始電位Vini相同。

本實施方式中的動作與上述的各實施方式相同，在其它的塊中進行初始化期間的處理的期間，將在發光期間中成為浮動節點的第二晶體管122的傳輸電容133側的第二數據傳輸線14－2設定為固定電位的初始電位Vini，所以能夠抑制第二數據傳輸線14－2的電位接近電源電壓。其結果是，第二晶體管122不會接通，在像素電容132中保持電壓，不會產生顯示的不良情況。

結構

接下來，以下對第三實施方式的電光學裝置1的具體的結構進行詳述。此外，在以下的說明所參照的各附圖中，為了方便說明，而使各要素的尺寸、比例與實際的電光學裝置1不同。圖24以及圖25是著眼于一個像素電路110來圖示了形成電光學裝置1的各要素的各階段下的基板10的表面的樣子的俯視圖。圖26是電光學裝置1的剖視圖。與包含圖24以及圖25的I－I’線的剖面對應的剖視圖相當于圖26。此外，雖然圖24以及圖25是俯視圖，但從使各要素的視覺性把握容易化的觀點考慮，對與圖26共同的各要素方便地附加有與圖26同形狀的陰影線。

如根據圖26以及圖24的有源層的部分所理解的那樣，在由硅等半導體材料形成的基板10的表面形成有像素電路110的各晶體管121、122、123、124、126的有源區域10A(源極/漏極區域)。有源區域10A被注入離子。像素電路110的各晶體管121、122、123、124、126的有源層存在于源極區域與漏極區域之間，并被注入與有源區域10A不同種類的離子，但為了方便，與有源區域10A一體地記載。另外，在本實施方式中，在構成像素電容132的區域中也形成有源區域10A，對有源區域10A注入雜質并與電源連接。然后，構成以有源區域10A為一個電極、以隔著絕緣層形成的電容電極為另一個電極的所謂的MOS電容。另外，構成像素電容132的區域中的有源區域10A也作為電源電位部發揮作用。如根據圖24的有源層的部分所理解的那樣，第三晶體管123的有源區域10A在設置有導通孔HA13的部分，與第二晶體管122的有源區域10A連接。因此，第三晶體管123的電流端也作為第二晶體管122的電流端發揮作用。如根據圖24的柵極層的部分以及圖26所理解的那樣，形成有有源區域10A的基板10的表面被絕緣膜L0(柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管121、122、123、124、126的柵極層GT(GTdr、GTwr、GTcmp、GTel、GTfix)形成在絕緣膜L0的表面上。各晶體管121、122、123、124、126的柵極層GT隔著絕緣膜L0與有源層對置。

另外，如圖24的柵極層的部分所例示的那樣，驅動晶體管121的柵極層GTdr以延伸到形成于構成電容元件的區域的有源區域10A的方式形成，構成像素電容132。

如根據圖26所理解的那樣，在形成有各晶體管121、122、123、124、126的柵極層GT以及像素電容132的絕緣膜L0的表面上形成有交替地層疊了多個絕緣層L(LA～LH)和多個導電層(布線層)的多層布線層。各絕緣層L例如由硅化合物(典型而言是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。此外，在以下的說明中，將通過導電層(單層或者多層)的有選擇的除去而以同一工序一并地形成多個要素的關系標記為“由同一層形成”。

絕緣層LA形成在形成有各晶體管121、122、123、124、126的柵極層GT的絕緣膜L0的表面上。如根據圖24的金屬層A的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LA的表面上，由同一層形成有供電線116和多個中繼電極QA(QA13、QA14、QA15、QA16、QA17、QA18、QA19、QA20、QA21)。

另外，如根據圖24所理解的那樣，在本實施方式中，第二數據傳輸線14－2與形成驅動晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122、以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

圖24所示的中繼電極QA13為源極電極，是與形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

另外，圖24所示的中繼電極QA15也是源極電極，是與形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、以及形成驅動晶體管121的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

并且，圖24所示的中繼電極QA17也是源極電極，是與形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、以及形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

如根據圖24的金屬層A的部分以及圖26所理解的那樣，供電線116經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA16與形成驅動晶體管121的源極區域或者漏極區域的有源區域10A導通。另外，供電線116經由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA15與形成像素電容132的有源區域10A導通。供電線116遍及多個像素電路110沿驅動晶體管121的溝道寬度的方向(X方向)延伸。供電線116經由多層布線層內的布線(圖示省略)，與被供給高位側的電源電位Vel的安裝端子導通。此外，雖然省略圖示，但在像素電路110的周邊區域內也形成其它的電源線層。該電源線層經由多層布線層內的布線(圖示省略)，與被供給低位側的電源電位Vct的安裝端子導通。供電線116以及被供給低位側的電源電位Vct的電源線層由例如含有銀、鋁的導電材料例如形成為100nm左右的膜厚。

驅動晶體管121的柵極層GTdr經由中繼電極QA13、貫通絕緣層LA的導通孔HB13以及貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導通孔HA14，與形成第二晶體管122的源極區域或者漏極區域的有源區域10A導通。

在驅動晶體管121與第三晶體管123及第四晶體管124的導通部、第三晶體管123與第一晶體管126的導通部的各個，中繼電極QA15、中繼電極QA17與供電線116形成在同一層。另外，在第二晶體管122的柵極層GTwr、第三晶體管123的柵極層GTcmp、第四晶體管124的柵極層GTel以及第一晶體管126的柵極層GTfix的導通部，中繼電極QA14、中繼電極QA16、中繼電極QA19以及中繼電極QA18與供電線116形成在同一層。并且，在第四晶體管124的源極區域或者漏極區域的導通部以及第一晶體管126的源極區域或者漏極區域的導通部，中繼電極QA20以及中繼電極QA21與供電線116形成在同一層。

如根據圖24的金屬層A的部分以及圖26所理解的那樣，中繼電極QA15經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA17，與形成驅動晶體管121的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。另外，中繼電極QA15經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA18，與形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。并且，中繼電極QA15經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA19，與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

中繼電極QA17經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA13，與形成第二晶體管122和第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。另外，中繼電極QA17經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA21，與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

中繼電極QA20經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA20，與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。中繼電極QA21經由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA22，與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。另外，中繼電極QA21與被供給初始電位的供電線17連接。

絕緣層LB形成在形成有供電線116和多個中繼電極QA(QA13、QA14、QA15、QA16、QA17、QA18、QA19、QA20、QA21)的絕緣層LA的表面上。如根據圖24的金屬層B的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LB的表面上，由同一層形成掃描線12、第三晶體管123的控制線143、第四晶體管124的控制線144、第一晶體管126的控制線146以及多個中繼電極QB(QB5、QB6)。

如根據圖24的金屬層B的部分以及圖26所理解的那樣，作為第一導電層的一個例子的掃描線12經由按照每個像素電路110形成于絕緣層LB的導通孔HC15與中繼電極QA14導通。因此，如根據圖24以及圖26所理解的那樣，掃描線12經由貫通絕緣層LB的導通孔HC15、中繼電極QA14以及貫通絕緣層LA的導通孔HB15，與第二晶體管122的柵極層GTwr導通。掃描線12遍及多個像素電路110沿X方向直線狀地延伸，通過絕緣層LC而與第一電容133以及第二數據傳輸線14－2電絕緣。

如根據圖24所理解的那樣，控制線143經由按照每個像素電路110形成于絕緣層LB的導通孔HC14與中繼電極QA16導通。因此，如根據圖24～圖26所理解的那樣，控制線143經由貫通絕緣層LB的導通孔HC14、中繼電極QA16以及貫通絕緣層LA的導通孔HB14，與第三晶體管123的柵極層GTcmp導通。控制線143遍及多個像素電路110沿X方向直線狀地延伸，通過絕緣層LC而與第一電容133以及第二數據傳輸線14－2電絕緣。

如根據圖24所理解的那樣，控制線144經由按照每個像素電路110形成于絕緣層LB的導通孔HC11與中繼電極QA19導通。因此，如根據圖24～圖26所理解的那樣，控制線144經由貫通絕緣層LB的導通孔HC11、中繼電極QA19以及貫通絕緣層LA的導通孔HB16，與第四晶體管124的柵極層GTel導通。控制線144遍及多個像素電路110沿X方向直線狀地延伸，通過絕緣層LC而與第一電容133以及第二數據傳輸線14－2電絕緣。

如根據圖24所理解的那樣，控制線146經由按照每個像素電路110形成于絕緣層LB的導通孔HC13與中繼電極QA18導通。因此，如根據圖24～圖26所理解的那樣，控制線146經由貫通絕緣層LB的導通孔HC13、中繼電極QA18以及貫通絕緣層LA的導通孔HB17，與第一晶體管126的柵極層GTfix導通。控制線146遍及多個像素電路110沿X方向直線狀地延伸，通過絕緣層LC而與第一電容133以及第二數據傳輸線14－2電絕緣。

中繼電極QB5經由按照每個像素電路110形成于絕緣層LB的導通孔HC12與中繼電極QA17導通。因此，如根據圖24～圖26所理解的那樣，中繼電極QB5經由貫通絕緣層LB的導通孔HC12、中繼電極QA17以及貫通絕緣膜L0以及絕緣層LA的導通孔HA21，與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

中繼電極QB6經由按照每個像素電路110形成于絕緣層LB的導通孔HC16與中繼電極QA20導通。因此，如根據圖24～圖26所理解的那樣，中繼電極QB6經由貫通絕緣層LB的導通孔HC16、中繼電極QA20以及貫通絕緣膜L0以及絕緣層LA的導通孔HA20，與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

絕緣層LC形成在形成有掃描線12、第三晶體管123的控制線143、第四晶體管124的控制線144、第一晶體管126的控制線146以及多個中繼電極QB(QB5、QB6)的絕緣層LB的表面上。如根據圖24以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LC的表面上，由同一層形成第二數據傳輸線14－2、與該第二數據傳輸線14－2一體地形成的傳輸電容133的第二電極133－2、以及中繼電極QC4。

作為第三導電層的一個例子的第二數據傳輸線14－2遍及多個像素電路110沿Y方向延伸。第二數據傳輸線14－2經由貫通絕緣層LC的導通孔HD5、中繼電極QB5、貫通絕緣層LB的導通孔HC12、中繼電極QA17以及貫通絕緣膜L0以及絕緣層LA的導通孔HA21，與形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。另外，第二數據傳輸線14－2經由貫通絕緣層LC的導通孔HD5、中繼電極QB5、貫通絕緣層LB的導通孔HC12、中繼電極QA17、以及貫通絕緣膜L0以及絕緣層LA的導通孔HA13，與形成第三晶體管123以及第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

傳輸電容133(第一電容)的作為第五導電層的一個例子的第二電極133－2在像素電路110中是覆蓋掃描線12、控制線143以及控制線146的矩形的電極，與第二數據傳輸線14－2一體地形成。

絕緣層LD形成在形成有第二數據傳輸線14－2、傳輸電容133的第二電極133－2以及中繼電極QC4的絕緣層LC的表面上。如根據圖24的電容電極層的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LD的表面上形成有傳輸電容133的第一電極133－1。

傳輸電容133(第一電容)的作為第四導電層的一個例子的第一電極133－1是隔著絕緣層LD與第二電極133－2對置的矩形的電容電極。第一電極133－1隔著絕緣層LD與第二電極133－2對置。這樣，傳輸電容133由MIM(Metal-Insulator-Metal)結構形成，所以能夠實現大電容化。

絕緣層LE形成在形成有傳輸電容133的第一電極133－1的絕緣層LD的表面上。如根據圖25的金屬層D的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LE的表面上形成有第一數據傳輸線14－1、供電線16以及中繼電極QD2。

作為第二導電層的一個例子的第一數據傳輸線14－1遍及多個像素電路110沿Y方向延伸。第一數據傳輸線14－1經由貫通絕緣層LE的導通孔HF4、HF5、HF6，與傳輸電容133的第一電極133－1導通。

作為第六導電層的一個例子的供電線16遍及多個像素電路110沿Y方向延伸。供電線16與第一數據傳輸線14－1形成在同一層，并以經由絕緣層LF與第一數據傳輸線14－1之間具有規定的間隙的方式配置。這樣一來形成屏蔽電容134，第一數據傳輸線14－1被供電線16屏蔽。

中繼電極QD2經由貫通絕緣層LE以及絕緣層LD的導通孔HE4與中繼電極QC4導通。因此，中繼電極QD2經由貫通絕緣層LE以及絕緣層LD的導通孔HE4、中繼電極QC4、貫通絕緣層LC的導通孔HD6、中繼電極QB6、貫通絕緣層LB的導通孔HC16、中繼電極QA20以及貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導通孔HA20，與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

絕緣層LF形成在形成有第一數據傳輸線14－1、供電線16以及中繼電極QD2的絕緣層LE的表面上。如根據圖25的反射層的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LF的表面上形成有反射層50。反射層50按照每個像素電路110獨立地形成。反射層50由例如含有銀、鋁的光反射性的導電材料例如形成為100nm左右的膜厚。如根據圖25以及圖26所理解的那樣，反射層50經由貫通絕緣層LF的導通孔HG2與中繼電極QD2導通。因此，反射層50經由中繼電極QD2與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

如圖26所示那樣，在形成有反射層50的絕緣層LF的表面上形成有光路調整層LG。光路調整層LG是規定各像素電路110的共振結構的共振波長(即顯示顏色)的透光性的膜體。設定為：在顯示顏色相同的像素中，共振結構的共振波長大致相同，在顯示顏色不同的像素中，共振結構的共振波長不同。

如圖25的像素電極層的部分以及圖26所示，在光路調整層LG的表面上形成有每個像素電路110的陽極130a。陽極130a例如由ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等透光性的導電材料形成。陽極130a經由貫通光路調整層LG的導通孔HH2與反射層50導通。因此，陽極130a經由反射層50與形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A導通。

如圖25的像素清晰膜的部分以及圖26所例示的那樣，在形成有陽極130a的光路調整層LG的表面上，遍及基板10的整個區域形成有像素清晰膜51。像素清晰膜51例如由硅化合物(典型而言是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。如根據圖25的像素清晰膜的部分所理解的那樣，在像素清晰膜51形成有與各陽極130a對應的開口部51A。像素清晰膜51中的開口部51A的內周邊的附近的區域與陽極130a的周邊重合。即，開口部51A的內周邊在俯視時位于陽極130a的周邊的內側。各開口部51A的平面形狀(矩形形狀)、尺寸共同，并且，遍及X方向以及Y方向的各個以共同的間距排列為矩陣狀。如根據以上的說明所理解的那樣，像素清晰膜51在俯視時形成為格子狀。另外，也可以若顯示顏色相同則開口部51A的平面形狀、尺寸相同，在顯示顏色不同的情況下使開口部51A的平面形狀、尺寸不同。另外，也可以在顯示顏色相同的開口部彼此間，開口部51A的間距相同，在顯示顏色不同的開口部間，開口部51A的間距不同。

為了提高供給至驅動晶體管121的柵極g的電位Vg的數據壓縮率，期望增大傳輸電容(第一電容)133，但根據本實施方式，通過MIM(Metal-Insulator-Metal)結構形成傳輸電容133，所以能夠實現傳輸電容133的大電容化。另外，傳輸電容133與形成了第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層，所以形成在像素電路110的顯示區域內，從而能夠防止芯片面積的增大。

在本實施例中，按照每個像素電路110形成了傳輸電容133，但也可以按照每條第二數據傳輸線14－2形成傳輸電容133。能夠進一步防止芯片面積的增大。

如根據圖24～圖26所理解的那樣，在本實施方式中，被供給的信號的振幅較大的第一數據傳輸線14－1與被供給壓縮后的信號的第二數據信號線14－2相比形成在上層。換句話說，能夠降低對驅動晶體管121的柵極的、供給到第一數據傳輸線14－1的振幅較大的信號的影響，抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

另外，如根據圖24以及圖26所理解的那樣，在本實施方式中，第二數據傳輸線14－2與形成有驅動晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

并且，如根據圖24以及圖26所理解的那樣，與驅動晶體管121的第二電流端連接的作為電源線的供電線116與第二數據傳輸線14－2相比形成在下層，所以供電線116作為屏蔽發揮作用，能夠進一步有效地抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

另外，如根據圖24所理解的那樣，驅動晶體管121被作為電源線的供電線116覆蓋，所以供電線116作為屏蔽發揮作用，能夠進一步有效地抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

如根據圖24～圖26所理解的那樣，傳輸電容133的第一電極133－1和第二電極133－2形成在與形成有第一數據傳輸線14－1的層不同的層。因此，即使在為了以較小的面積來確保某種程度的電容而使絕緣層變薄的情況下，也能夠不產生短路而形成具有均勻的層間的傳輸電容133。

第四實施方式

接下來，參照附圖的圖27～圖30對本發明的第四實施方式進行說明。此外，對與第三實施方式的共同地方附加同一附圖標記并省略說明。

電路圖

如圖27所示，本實施方式的電路與第三實施方式相同由五個晶體管構成，但不設置供電線17。替代此，第一晶體管126的漏極或者源極與第一數據傳輸線14－1連接，第一數據傳輸線14－1經由傳輸門45被供給初始電位Vini。其它的構成與第三實施方式相同。

本實施方式中的動作與上述的各實施方式相同，在其它的塊中進行初始化期間的處理的期間，將在發光期間中成為浮動節點的第二晶體管122的傳輸電容133側的第二數據傳輸線14－2設定為固定電位的初始電位Vini，所以能夠抑制第二數據傳輸線14－2的電位接近電源電位。其結果是，第二晶體管122不會接通，在像素電容132中保持電壓，不會產生顯示的不良情況。

結構

在本實施方式中，如圖28所示，第二數據傳輸線14－2的配置和形狀與第三實施方式不同。另外，構成第一晶體管126的漏極或者源極的節點區域10A經由導通孔HA22、中繼電極QA22、導通孔HD7以及中繼電極QB8，與第一數據傳輸線14－1連接。其它的結構與第三實施方式相同。

為了提高供給至驅動晶體管121的柵極g的電位Vg的數據壓縮率，期望增大傳輸電容(第一電容)133，但根據本實施方式，通過MIM(Metal-Insulator-Metal)結構形成傳輸電容133，所以能夠實現傳輸電容133的大電容化。另外，傳輸電容133與形成有第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層，所以形成在像素電路110的顯示區域內，從而能夠防止芯片面積的增大。

圖28所示的中繼電極QA13為源極電極，是與形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

另外，圖28所示的中繼電極QA15也是源極電極，是與形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、形成第四晶體管124的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、以及形成驅動晶體管121的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

并且，圖28所示的中繼電極QA17也是源極電極，是與形成第三晶體管123的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、形成第二晶體管122的漏極區域或者源極區域的有源區域10A、以及形成第一晶體管126的漏極區域或者源極區域的有源區域10A直接接觸地形成的電極。

在本實施例中，按照每個像素電路110形成了傳輸電容133，但也可以按照每條第二數據傳輸線14－2形成傳輸電容133。能夠進一步防止芯片面積的增大。

如根據圖28～圖30所理解的那樣，在本實施方式中，被供給的信號的振幅較大的第一數據傳輸線14－1與被供給壓縮后的信號的第二數據信號線14－2相比形成在上層。換句話說，能夠降低對驅動晶體管121的柵極的、供給到第一數據傳輸線14－1的振幅較大的信號的影響，抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

另外，如根據圖28以及圖30所理解的那樣，在本實施方式中，第二數據傳輸線14－2與形成有驅動晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

并且，如根據圖28以及圖30所理解的那樣，與驅動晶體管121的第二電流端連接的作為電源線的供電線116與第二數據傳輸線14－2相比形成在下層，所以供電線116作為屏蔽發揮作用，能夠進一步有效地抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

另外，如根據圖28所理解的那樣，驅動晶體管121被作為電源線的供電線116覆蓋，所以供電線116作為屏蔽發揮作用，能夠進一步有效地抑制驅動晶體管121的柵極的電位的變動，使顯示品質提高。

如根據圖28～圖30所理解的那樣，傳輸電容133的第一電極133－1和第二電極133－2形成在與形成有第一數據傳輸線14－1的層不同的層。因此，即使在為了以較小的面積來確保某種程度的電容而使絕緣層變薄的情況下，也能夠不產生短路而形成具有均勻的層間的傳輸電容133。

如圖28的金屬層A的部分所示，以虛線的橢圓A表示第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置，以虛線的橢圓B表示驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置。另外，以虛線的橢圓C表示第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置。若以這種方式進行表示，則在一個像素電路110內觀察的情況下，表示第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A與表示驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置的虛線的橢圓B相比，接近表示第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置的虛線的橢圓C。

另外，如圖28所示，第一晶體管126與第一數據傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)、驅動晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置(橢圓B)、以及第四晶體管124與作為發光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)的各個，被配置在該像素電路110中的作為電源線的供電線116與沿Y方向相鄰的塊的像素電路110中的作為電源線的供電線116之間。因此，供電線116成為屏蔽，能夠減少噪聲的影響。

變形例

本發明并不限定于上述的實施方式，例如能夠進行以下敘述的各種變形。另外，也能夠適當地組合以下敘述的變形的方式中的任意選擇的一個或者多個。

變形例1

在上述的實施方式中，在各像素電路110中第三晶體管123連接在驅動晶體管121的漏極與第二數據傳輸線14－2之間，但也可以如圖31所示那樣連接在驅動晶體管121的漏極與柵極g之間。

變形例2

在第一實施方式中，通過對第一數據傳輸線14－1經由傳輸門45供給初始電位Vini，并使第一晶體管126接通，來對第二數據傳輸線14－2供給初始電位Vini。但是，也可以如圖32所示那樣，設置供給初始電位Vini的供電線17，并將第一晶體管126的漏極或者源極與供電線17連接。在該情況下，通過使第一晶體管126接通，來從供電線17向第二數據傳輸線14－2供給初始電位Vini。

變形例3

在上述的實施方式的電路圖中，按照每個像素電路110一對一對應地設置第一晶體管126和傳輸電容133，但也可以如圖33所示那樣，針對Nb個像素電路110以各一個的比例設置第一晶體管126和傳輸電容133。

變形例4

在上述的實施方式中，構成為以每三列對第一數據傳輸線14－1進行分組，并且在各組中依次選擇第一數據傳輸線14－1來供給數據信號，但是構成組的數據線數只要是“2”以上“3n”以下的規定數量即可。例如，構成組的數據線數也可以是“2”，也可以是“4”以上。

另外，也可以構成為：不進行分組，即不使用多路分配器DM，而一起以線順序對各列的第一數據傳輸線14－1供給數據信號。

變形例5

在上述的實施方式中，使晶體管121～126統一為P溝道型，但也可以統一為N溝道型。另外，也可以適當地組合P溝道型以及N溝道型。

例如，在使晶體管121～126統一為N溝道型的情況下，對各像素電路110供給與上述的實施方式中的數據信號Vd(n)正負反轉的電位即可。另外，在該情況下，晶體管121～126的源極和漏極成為與上述的實施方式以及變形例反轉的關系。

變形例6

在上述的實施方式以及變形例中，作為電光學元件例示了作為發光元件的OLED，但是只要是例如無機發光二極管、LED(Light Emitting Diode：發光二極管)等以與電流對應的亮度進行發光的元件即可。

應用例

接下來，對應用了實施方式等、應用例所涉及的電光學裝置1的電子設備進行說明。電光學裝置1用于像素為小尺寸且高精度的顯示的用途。因此，作為電子設備，例舉頭戴式顯示器來進行說明。

圖34是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖35是表示其光學的構成的圖。

首先，如圖34所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般的眼鏡相同地具有眼鏡腿310、鼻架320以及透鏡301L、301R。另外，如圖35所示，頭戴式顯示器300在鼻架320附近且透鏡301L、301R的里側(在圖中為下側)設置有左眼用的電光學裝置1L和右眼用的電光學裝置1R。

電光學裝置1L的圖像顯示面以在圖35中成為左側的方式配置。由此，電光學裝置1L的顯示圖像經由光學透鏡302L在圖中向九點鐘的方向射出。半透鏡303L使電光學裝置1L的顯示圖像向六點鐘的方向反射，另一方面使從十二點鐘的方向射入的光透過。

電光學裝置1R的圖像顯示面以成為與電光學裝置1L相反的右側的方式配置。由此，電光學裝置1R的顯示圖像經由光學透鏡302R在圖中向三點鐘的方向射出。半透鏡303R使電光學裝置1R的顯示圖像向六點鐘方向反射，另一方面使從十二點鐘的方向射入的光透過。

在該構成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠以與外面的樣子重疊的透視狀態觀察電光學裝置1L、1R的顯示圖像。

另外，在該頭戴式顯示器300中，若使伴隨著視差的兩眼圖像中的左眼用圖像顯示于電光學裝置1L，使右眼用圖像顯示于電光學裝置1R，則能夠使佩戴者感覺到所顯示的圖像猶如具有縱深、立體感(3D顯示)。

此外，電光學裝置1除了應用于頭戴式顯示器300之外，也能夠應用于攝像機、可換鏡頭式數碼相機等中的電子取景器。

附圖標記說明：1、1L、1R…電光學裝置，2…顯示面板，3…控制電路，5…數據線驅動電路，6…掃描線驅動電路，12…掃描線，14－1…第一數據傳輸線，14－2…第二數據傳輸線，16…供電線，31…電壓生成電路，34…傳輸門，41…保持電容，42…傳輸門，45…傳輸門，70…數據信號供給電路，100…顯示部，110…像素電路，116…供電線，118…共用電極，121、122、123、124、125、126…晶體管，130…OLED，130a…陽極，132…像素電容，133…傳輸電容，143、144、145、146…控制線，300…顯示器，301L、301R…透鏡，302L、302R…光學透鏡，303L、303R…半透鏡，310…眼鏡腿，320…鼻架，DM…多路分配器，DT…數據傳輸電路。

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