AMOLED顯示屏驅動方法、驅動電路及顯示裝置與流程
本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種AMOLED顯示器驅動方法、AMOLED顯示器驅動電路及AMOLED顯示裝置。
背景技術：
請參閱圖1，所述AMOLED顯示屏中的一個子像素的驅動電路包括開關薄膜晶體管(Switching TFT)T1、驅動薄膜晶體管(Driving TFT)T2及一個存儲電容C。所述開關薄膜晶體管T1的柵極電連接掃描信號線，以接收掃描信號，并在所述掃描信號的控制下開啟或者關閉。所述開關薄膜晶體管T1的漏極電連接數據線，以接收數據信號。當所述開關薄膜晶體管T1在所述掃描信號的控制下開啟時，所述數據信號經由所述開關薄膜晶體管T1的漏極傳輸至所述開關薄膜晶體管T1的源極。所述驅動薄膜晶體管T2的柵極電連接所述開關薄膜晶體管T1的源極，所述驅動薄膜晶體管T2的漏極電連接至一電源OVdd，所述驅動薄膜晶體管T2的源極電連接有機發光二極管OLED的正極。所述有機發光二極管OLED的負極接地OVSS。當所述開關薄膜晶體管T1開啟時，所述驅動薄膜晶體管T2接收所述數據信號，并在所述數據信號的控制下驅動所述有機發光二極管OLED。所述存儲電容C一端電連接所述驅動薄膜晶體管T2的柵極，一端電連接所述驅動薄膜晶體管T2的漏極。所述存儲電容C和所述驅動薄膜晶體管T2的柵極電連接的節點命名為P。上述描述的驅動電路結構，由于包括兩個薄膜晶體管及一個電容，因此，此種結構也稱為2T1C結構。在不同的灰階下，P點的電壓不同，但是P點的電壓大于OVSS的電壓。舉例而言，當灰階為255時，P點的電壓等于GM1，當灰階為0時，P點的電壓等于GM9，GM1大于GM9。請參閱圖2，圖2中左邊的圖中A區的灰階為255，B區的灰階為0，那么A區和B區中所述驅動薄膜晶體管T2的柵極和源極之間的電壓VGS的情況為：VGS_A＞VGS_B。導致A區的電應力(stress)永遠比B區的電應力大。因此，當圖2中左邊的圖中的畫面顯示一段時間過后，再切換到全灰階時，會產生嚴重的圖像殘留，如圖2右邊的圖所示。從而導致所述AMOLED顯示屏有較為嚴重的圖像殘留現象。
技術實現要素：
本發明提供一種AMOLED顯示屏驅動方法，用于驅動AMOLED顯示屏，所述AMOLED驅動方法包括：
檢測所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階是否大于預設灰階，且檢測所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目是否均大于預設像素數目；
當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階大于預設灰階，且所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目均大于所述預設像素數目時，計算在預設時間段內所述預設區域的每顆驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨著時間變化的情況；
根據在所述預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間變化的情況對加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號進行補償，以使加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號隨時間的變化等于所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化；
將補償后的數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
其中，當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階小于或等于所述預設灰階時，或者所述預設區域的寬度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，或者所述預設區域的長度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，則無需對所述數據信號進行補償，將所述數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
其中，所述預設區域為所述AMOLED顯示屏中的任意區域。
本發明還提供了一種AMOLED顯示屏驅動電路，用于驅動AMOLED顯示屏，所述AMOLED顯示屏驅動電路包括：
檢測單元，用于檢測所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階是否大于預設灰階，且檢測所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目是否均大于預設像素數目；
計算單元，當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階大于預設灰階，且所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目均大于所述預設像素數目時，計算在預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨著時間變化的情況；
補償單元，用于根據在所述預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間變化的情況對加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號進行補償，以使加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號隨時間的變化等于所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化；
驅動單元，用于將補償后的數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
其中，所述驅動單元還用于當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰度小于或等于所述預設灰階時，或者所述預設區域的寬度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，或者所述預設區域的長度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，則無需對所述數據信號進行補償，將所述數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
其中，所述預設區域為所述AMOLED顯示屏中的任意區域。
本發明還提供了一種AMOLED顯示裝置，所述AMOLED顯示裝置包括AMOLED顯示屏驅動電路，所述AMOLED顯示屏驅動電路用于驅動AMOLED顯示屏，所述AMOLED顯示屏驅動電路包括：
檢測單元，用于檢測所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階是否大于預設灰階，且檢測所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目是否均大于預設像素數目；
計算單元，當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階大于預設灰階，且所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目均大于所述預設像素數目時，計算在預設時間段內所述預設區域的每顆驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨著時間變化的情況；
補償單元，用于根據在所述預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間變化的情況對加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號進行補償，以使加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號隨時間的變化等于所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化；
驅動單元，用于將補償后的數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
其中，當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階小于或等于所述預設灰階時，或者所述預設區域的寬度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，或者所述預設區域的長度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，則無需對所述數據信號進行補償，將所述數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
其中，所述預設區域為所述AMOLED顯示屏中的任意區域。
相較于現有技術，本發明的AMOLED顯示屏驅動方法在所述AMOLED顯示屏的預設區域的灰階大于預設灰階，且所述預設區域的長度和寬度對應的像素數目均大于所述預設像素數目時，根據預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化情況對加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號進行補償，以使加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號隨時間的變化等于所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化，從而使流經所述有機發光二極管的電流保持不變，進而達到了減小所述AMOLED顯示屏圖像閃爍的技術效果。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術中AMOLED顯示屏中一個子像素的驅動電路的電路圖。
圖2為圖1中的驅動電路應用在AMOLED顯示屏中A區相對于B區產生圖像殘留的示意圖。
圖3為本發明一較佳實施方式的AMOLED顯示屏中一個子像素的驅動電路圖。
圖4為本發明一較佳實施方式的AMOLED顯示屏驅動方法的流程圖。
圖5為本發明一較佳實施方式的AMOLED顯示屏驅動電路的電路框圖。
圖6為本發明一較佳實施方式的AMOLED顯示裝置的示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
請一并參閱圖3及圖4，圖3為本發明一較佳實施方式的AMOLED顯示屏中一個子像素的驅動電路圖。圖4為本發明一較佳實施方式的AMOLED顯示屏驅動方法的流程圖。所述AMOLED顯示屏中的一個子像素的驅動電路包括開關薄膜晶體管(Switching TFT)T1、驅動薄膜晶體管(Driving TFT)T2及一個存儲電容C。所述開關薄膜晶體管T1的柵極電連接掃描信號線，以接收掃描信號，并在所述掃描信號的控制下開啟或者關閉。所述開關薄膜晶體管T1的漏極電連接數據線，以接收數據信號。當所述開關薄膜晶體管T1在所述掃描信號的控制下開啟時，所述數據信號經由所述開關薄膜晶體管T1的漏極傳輸至所述開關薄膜晶體管T1的源極。所述驅動薄膜晶體管T2的柵極電連接所述開關薄膜晶體管T1的源極，所述驅動薄膜晶體管T2的漏極電連接至一電源OVdd，所述驅動薄膜晶體管T2的源極電連接有機發光二極管OLED的正極。所述有機發光二極管OLED的負極接地OVSS。當所述開關薄膜晶體管T1開啟時，所述驅動薄膜晶體管T2接收所述數據信號，并在所述數據信號的控制下驅動所述有機發光二極管OLED。所述存儲電容C一端電連接所述驅動薄膜晶體管T2的柵極，一端電連接所述驅動薄膜晶體管T2的漏極。上述描述的驅動電路結構，由于包括兩個薄膜晶體管及一個電容，因此，此種結構也稱為2T1C結構。可以理解地，本發明以2T1C結構的驅動電路結構為例進行描述，但是本發明并不局限于2T1C結構的驅動電路。
所述AMOLED顯示屏驅動方法包括但不僅限于以下步驟。
步驟S110，檢測所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階是否大于預設灰階，且檢測所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目是否均大于預設像素數目。在一實施方式中，所述預設灰階可以為：當所述AMOLED顯示屏為8bit時，所述預設灰階為160。在一實施方式中，所述預設像素數目等于15。在一實施方式中，所述預設區域為所述AMOLED顯示屏中的任意區域。
步驟S120，當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階大于預設灰階，且所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目均大于所述預設像素數目時，計算在預設時間段內所述預設區域的每顆驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨著時間變化的情況。對于所述預設區域內的每顆驅動薄膜晶體管T2而言，所述驅動薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時間的變化情況Vth(t)的半經驗公式如公式(1)所示。
Vth(t)＝Vth，0+ΔVth(t) (公式1)
而，
ΔVth(t)＝A·exp(-EA/kT)·tβ(VGS-ηVDS-Vth,0)n (公式2)
其中，ΔVth(t)表示所述驅動薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時間的變化。由此可見，ΔVth(t)為VGS、VDS和時間的函數。
對于所述AMOLED顯示屏的特定的制程而言，A和β均為常數，越優良的制程，則A越小，β也越小。EA為活化能(Activation Energy)，對于AMOLED顯示屏的特定的制程而言，EA為常數。
Vth,0:Vth in t＝0，且η＝VGS/(VGS+VDS)
其中，VGS為所述驅動薄膜晶體管T2的柵極和源極之間的電壓；VDS為所述驅動薄膜晶體管T2的漏極和源極之間的電壓。流經所述有機發光二極管OLED的電流IOLED隨時間變化的公式如公式(3)所示。
IOLED(t)＝Ids,T2＝1/2μnCox(W/L)(VGS-Vth)2＝1/2μnCox(W/L)(Vdata(t)-VS-Vth(t))2 公式(3)
其中，Ids,T2指的是所述驅動薄膜晶體管T2的源極和漏極之間的電流；μn指的所述驅動薄膜晶體管T2的溝道層的載流子遷移率；Cox指的是所述驅動薄膜晶體管T2中柵極絕緣層單位面積的電容值；W指的是所述驅動薄膜晶體管T2的溝道層的寬度；L指的是所述驅動薄膜晶體管T2的溝道層測長度；Vdata(t)指的是所述數據信號隨時間的變化情況。
步驟S130，根據在所述預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間變化的情況對加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號進行補償，以使加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號隨時間的變化等于所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化。
具體地，根據在所述預設時間段內所述預設區域的每顆驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間變化的情況對加載在每顆驅動薄膜晶體管的數據信號進行補償，以使記載在每顆驅動薄膜晶體管的數據信號隨時間的變化等于所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化。
由公式(3)可見，對于所述預設區域的每個驅動薄膜晶體管而言，流經所述有機發光二極管OLED的電流IOLED(t)和所述驅動薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時間的變化情況Vth(t)以及所述數據信號隨時間的變化情況Vdata(t)相關。如果所述驅動薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時間的變化情況Vth(t)以及所述數據信號隨時間的變化情況Vdata(t)相等，即，ΔVth(t)＝ΔVdata(t)，則流經所述有機發光二極管OLED的電流IOLED不隨著時間變化，從而達到了減小所述AMOLED顯示屏圖像閃爍(Image Sticking)的技術效果。
步驟S140，將補償后的數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
所述AMOLED顯示屏驅動方法還包括如下步驟。
步驟I，當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階小于或等于所述預設灰階時，或者所述預設區域的寬度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，或者所述預設區域的長度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，則無需對所述數據信號進行補償，將所述數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
相較于現有技術，本發明的AMOLED顯示屏驅動方法在所述AMOLED顯示屏的預設區域的灰階大于預設灰階，且所述預設區域的長度和寬度對應的像素數目均大于所述預設像素數目時，根據預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化情況對加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號進行補償，以使加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號隨時間的變化等于所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化，從而使流經所述有機發光二極管的電流保持不變，進而達到了減小所述AMOLED顯示屏圖像閃爍的技術效果。
下面結合圖3、圖4及前述對AMOLED顯示屏中一個子像素的驅動電路及AMOLED顯示屏驅動方法的描述，對本發明的AMOLED顯示屏驅動電路進行描述。請參閱圖5，圖5為本發明一較佳實施方式的AMOLED顯示屏驅動電路的電路框圖。所述AMOLED顯示屏驅動電路100包括檢測單元110、計算單元120、補償單元130及驅動單元140。各個單元的具體功能詳細介紹如下。
所述檢測單元110，用于檢測所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階是否大于預設灰階，且檢測所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目是否均大于預設像素數目。在一實施方式中，所述預設灰階可以為：當所述AMOLED顯示屏為8bit時，所述預設灰階為160。在一實施方式中，所述預設像素數目等于15。在一實施方式中，所述預設區域為所述AMOLED顯示屏中的任意區域。
所述計算單元120，當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階大于預設灰階，且所述預設區域的寬度和長度對應的像素數目均大于所述預設像素數目時，計算在預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨著時間變化的情況。具體地，所述計算單元120計算在預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化情況請參閱步驟S120中的描述，在此不再贅述。
所述補償單元130，用于根據在所述預設時間段內所述預設區域的驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間變化的情況對加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號進行補償，以使加載在所述驅動薄膜晶體管的數據信號隨時間的變化等于所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓隨時間的變化。具體地，由公式(3)可見，流經所述有機發光二極管OLED的電流IOLED(t)和所述驅動薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時間的變化情況Vth(t)以及所述數據信號隨時間的變化情況Vdata(t)相關。如果所述驅動薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時間的變化情況Vth(t)以及所述數據信號隨時間的變化情況Vdata(t)相等，即，ΔVth(t)＝ΔVdata(t)，則流經所述有機發光二極管OLED的電流IOLED不隨著時間變化，從而達到了減小所述AMOLED顯示屏圖像閃爍(Image Sticking)的技術效果。所述驅動單元140，用于將補償后的數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
可以理解地，所述檢測單元110、所述計算單元120、所述補償單元130及所述驅動單元140都集成在TCON內。
在本實施方式中，所述驅動單元140還用于當所述AMOLED顯示屏中的預設區域的灰階小于或等于所述預設灰階時，或者所述預設區域的寬度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，或者所述預設區域的長度對應的像素數目小于或等于所述預設像素數目時，則無需對所述數據信號進行補償，將所述數據信號驅動所述AMOLED顯示屏。
請參閱圖6，圖6為本發明一較佳實施方式的AMOLED顯示裝置的示意圖。所述AMOLED顯示裝置1包括AMOLED顯示屏驅動電路100，所述AMOLED顯示屏驅動電路100用于驅動AMOLED顯示屏。所述AMOLED顯示屏驅動電路100如前面所述，在此不再贅述。
以上所揭露的僅為本發明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利范圍，本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分流程，并依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬于發明所涵蓋的范圍。
- 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊！