長鏈非編碼rna分子snhg18在制備治療腦膠質瘤的藥物的應用
【技術領域】
[0001] 本發明涉及長鏈非編碼RNA分子SNHG18的新用途，尤其是涉及SNHG18在制備治 療腦膠質瘤的藥物的應用。
【背景技術】
[0002] 腦膠質瘤是人類最常見的顱內腫瘤。惡性腦膠質瘤治療上采用綜合療法，包括手 術切除、放射治療及化學治療等。大量臨床研宄表明，惡性腦膠質瘤術后輔以放射治療可明 顯提高患者生存率，放療在惡性膠質瘤的治療中有重要地位。但是綜合治療后的惡性膠質 瘤仍然極易復發，療效難以令人滿意。進一步探索提高惡性膠質瘤治療的新機制和新途徑 是當前惡性膠質瘤研宄的重要內容。
[0003] 腫瘤放射治療是一個多步驟、多階段的復雜生物過程，每一階段都涉及多個相關 基因的表達和功能變化。最近，一類長片段非編碼RNA分子（長鏈非編碼RNA)在腫瘤發 生發展和治療反應各環節中承擔的關鍵調控作用已引起人們的廣泛關注。長鏈非編碼 RNA(LncRNA)是一類重要的細胞功能調控分子，研宄顯示LncRNA參與腫瘤的發生、發展及 治療反應。
[0004] 長鏈非編碼RNA分子SNHG18位于人染色體chr5:9546311-9550409,最初是1996 年美國學者在分離人全長cDNA中被首次發現。但到目前為止，對于它的功能及結構特征尚 未見進一步的研宄報道。
【發明內容】
[0005] 本發明的目的在于提供長鏈非編碼RNA分子SNHG18的新的應用。
[0006] 本發明所述的應用是長鏈非編碼RNA分子SNHG18在制備治療腦膠質瘤的藥物的 應用。
[0007] 根據本發明所述的應用的進一步特征，所述治療腦膠質瘤的藥物是增強腦膠質瘤 細胞輻射敏感性的藥物。
[0008] 根據本發明所述的應用的進一步特征，提供了所述增強腦膠質瘤細胞輻射敏感性 的藥物是抑制腦膠質瘤細胞增殖的藥物。
[0009] 根據本發明所述的應用的進一步特征，提供了所述增強腦膠質瘤細胞輻射敏感性 的藥物是促進腦膠質瘤細胞凋亡的藥物。
[0010] 本發明的實驗證實，長鏈非編碼RNA分子SNHG18膠質瘤細胞增殖及放射敏感性相 關。本發明應用IncRNA芯片從不同放射敏感性人惡性膠質瘤細胞系中篩選獲得的與膠質 瘤放射敏感相關的一種IncRNA，即SNHG18。本發明利用轉染、干擾及構建動物模型等方法 從體內體外兩個方面明確SNHG18在膠質瘤增殖及放射抵抗中的作用。本發明的研宄發現， SNHG18在具有輻射抗性的腦膠質細胞中高表達，抑制SNHG18后可抑制腦膠質瘤細胞的增 殖，并提高腦膠質瘤細胞對輻射的敏感性。本發明從IncRNA這個新視野為闡明惡性膠質瘤 惡性增殖及放射抵抗的分子機制提供新依據與新思路，以及提供藥物靶點方面提供了一定 的應用價值。因此，可以將SNHG18用于制備治療腦膠質瘤的藥物，尤其是用于制備增強腦 膠質瘤細胞輻射敏感性的藥物。
【附圖說明】
[0011] 圖1是qRT-PCR實驗檢測SNHG18的相對表達量，該圖顯示，SNHG18在輻射抵抗的 腦膠質瘤細胞系M059K和U87中表達量比放射敏感株M059J和U118顯著升高。
[0012] 圖2A是通過qRT-PCR檢測轉染SNHG18siRNA后M059K細胞中SNHG18的相對表達 量，以驗證轉染效率，該圖顯示，干擾SNHG18表達后M059K細胞的SNHG18表達水平明顯降 低。
[0013] 圖2B是通過qRT-PCR檢測轉染SNHG18siRNA后U87細胞中SNHG18的相對表達量， 以驗證轉染效率，該圖顯示，干擾SNHG18表達后U87細胞的SNHG18表達水平明顯降低。
[0014] 圖2C是通過qRT-PCR檢測轉染SNHG18質粒后M059J細胞中SNHG18的相對表達 量，以驗證轉染效率，該圖顯示，過表達SNHG18后M059J細胞的SNHG18表達水平明顯升高。
[0015] 圖2D是通過qRT-PCR檢測轉染SNHG18質粒后U118細胞中SNHG18的相對表達量， 以驗證轉染效率，該圖顯示，過表達SNHG18后U118細胞的SNHG18表達水平明顯升高。
[0016] 圖3A是通過MTT檢測轉染SNHG18siRNA后不同時間點M059K細胞的存活分數，該 圖顯示，干擾SNHG18表達后M059K細胞增殖明顯受到抑制。
[0017] 圖3B是通過MTT檢測轉染SNHG18siRNA后不同時間點U87細胞的存活分數，該圖 顯示，干擾SNHG18表達后U87細胞增殖明顯受到抑制。
[0018] 圖3C是通過MTT檢測轉染SNHG18質粒后不同時間點M059J細胞的存活分數，該 圖顯示，過表達SNHG18后促進了 M059J細胞的增殖。
[0019] 圖3D是通過MTT檢測轉染SNHG18質粒后不同時間點U118細胞的存活分數，該圖 顯示，過表達SNHG18后促進了 Ul 18細胞的增殖。
[0020] 圖4A是用流式細胞儀檢測轉染SNHG18siRNA后48h的M059K細胞進行AnnexinV/ PI染色后的熒光強度，以檢測凋亡率。該圖顯示，干擾SNHG18表達后M059K細胞凋亡明顯 減少。（*P< 0.05)
[0021] 圖4B是用流式細胞儀檢測轉染SNHG18siRNA后48h的U87細胞進行AnnexinV/PI 染色后的熒光強度，以檢測凋亡率。該圖顯示，干擾SNHG18表達后U87細胞凋亡明顯減少。 (*P < 0· 05)
[0022] 圖5A是用克隆形成實驗檢（colon assay)測轉染SNHG18siRNA后M059K細胞在 不同照射劑量下的存活分數，并用單擊多靶模型捏合存活曲線。該圖顯示，干擾SNHG18表 達后M059K細胞接受X-ray照射后的存活率明顯減少。
[0023] 圖5B是用克隆形成實驗檢（colon assay)檢測轉染SNHG18siRNA后U87細胞在 不同照射劑量下的存活分數，并用單擊多靶模型捏合存活曲線。該圖顯示，干擾SNHG18表 達后U87細胞接受X-ray照射后的存活率明顯減少。
[0024] 圖5C是用克隆形成實驗檢（colon assay)檢測轉染SNHG18質粒后M059J細胞在 不同照射劑量下的存活分數，并用單擊多靶模型捏合存活曲線。該圖顯示，過表達SNHG18 后誘導了 M059J細胞對X-ray的抵抗。
[0025] 圖是用克隆形成實驗檢（colon assay)檢測轉染SNHG18質粒后U118細胞在 不同照射劑量下的存活分數，并用單擊多靶模型捏合存活曲線。該圖顯示，過表達SNHG18 后誘導了 Ul 18細胞對X-ray的抵抗。
【具體實施方式】
[0026] 下面將結合具體實例進一步闡述本發明。這些實例僅用于闡述本發明，而不用于 限制本發明的范圍。下列實例中未注明具體實驗條件的實驗方法，通常按照常規條件，或按 照制造廠商所建議的條件。
[0027] 本發明米用 Arraystar Human LncRNA Microarray V3. 0 芯片，對來源于同一親 本、具有不同放射敏感性的腦膠質瘤細胞株M059J (敏感株）及M059K(抵抗株）33進行 LncRNA表達譜分析，獲得一系列差異表達LncRNA，通過生物信息學分析以及對芯片結果實 驗驗證，從差異表達LncRNA中篩選出在放射抵抗的膠質瘤M059K細胞中表達明顯升高的 SNHG18作為一個調控腦膠質瘤放射敏感性的新靶點開展進一步研宄。
[0028] 首先，采用Trizol試劑提前細胞總RNA，進行反轉錄，利用qRT-PCR檢測SNHG18在 腦膠質瘤細胞株中的表達。研宄發現，SNHG18在輻射抵抗的腦膠質瘤細胞系M059K和U87 中表達量比放射敏感株M059J和Ul 18顯著升高。
[0029] 第二步，利用MTT技術檢測干擾SNHG18表達后M059K和U87細胞，以及過表達 SNHG18后M059J和U118的增殖情況的變化。分別在細胞轉染后24h，48h，72h進行MTT染 色及OD值檢測，繪制生長曲線，結果表明干擾SNHG18表達后M059K和U87細胞增殖明顯受 到抑制。而過表達SNHG18后促進了 M059J和U118細胞的增殖。
[0030] 第三步，利用流式細胞儀技術檢測干擾SNHG18表達后M059K和U87細胞，以及過 表達SNHG18后M059J和U118的凋亡情況的變化。用AnnexinV/PI試劑盒對轉染后48h的 細胞進