技術總結
一種多電極的能量積分型X射線能譜探測器，本征半導體敏感區的一側表面通過重摻雜形成P型區，另一側表面通過重摻雜形成N型區，P型區遠離本征半導體敏感區一側的表面上設置有背面電極，本征半導體敏感區和N型區部分采用淺溝槽隔離結構被隔離為具有2個以上的像素單元的結構，每一個像素單元的N型區遠離本征半導體敏感區一側的表面上由上至下設置有長度依次遞增的第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極，每一個像素單元的正面電極分別各依次通過一個整形濾波器和一個電荷積分器共同連接本像素單元中的集成電路處理器，每一個像素單元的上端表面構成X射線的入射面。本實用新型降低了掃描時間和射線劑量，提高了時間和空間的分辨率。
技術研發人員：史再峰;孟慶振;高陽;謝向桅;王晶波
受保護的技術使用者：天津大學
文檔號碼：201621060663
技術研發日：2016.09.18
技術公布日：2017.09.29