技術編號：9868424
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。提升晶體硅電池效率，是有效降低太陽能電池片效率的手段之一。隨著電池擴散工藝逐漸進步，低方阻均勻擴散電池已經可以在產線上實現，滿足了降低太陽能電池發射極雜質，減少少子復合，從而提升電池電壓的要求。同時，為了彌補金屬接觸發射極升高的接觸電阻問題，選擇發射極技術被廣泛應用，主流的技術為激光制熔選擇發射極技術。傳統的激光制熔選擇性發射極為以下制備步驟 第一步，如圖1-1所示，硅襯底Ia表面生長鈍化層2a，一般為氮化硅薄膜； 第二步，如圖1-2所示，擴散摻雜溶液...
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