技術編號：9868423
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體光電材料與器件，更具體地，涉及一種微米級銅鍺鋅錫硫砸單晶顆粒的制備方法及其單晶顆粒和太陽能電池。背景技術多元化合物CuInGaSe2(CIGS)薄膜太陽能電池具有較高的轉換效率，易于大規模生產，成為了目前最具有發展潛力的太陽能電池材料，目前CIGS電池是世界上光電轉換效率最高的薄膜太陽能電池，其最高轉換效率已達21.7%。但其組成元素In和Ga在地球上資源缺乏，導致CIGS薄膜電池很難實現太瓦(109kW)級別的大規模應用。銅鋅錫硫(CZT...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。