技術編號：9816508
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。為了在制造半導體元件的沉積過程中改進沉積膜質的一致性(conformability)，而引入原子層沉積方式。原子層沉積方式是反復進行以原子層厚度沉積的單位反應循環(cycle)，來形成希望厚度的沉積層的過程，原子層沉積方式相對于化學氣相沉積(CVD)或者濺射(sputter)方式，沉積速度非常慢，而且用于形成希望的厚度的膜所需要的時間長，導致生產率降低。尤其，用于放置基板的基座的溫度均勻度，是影響沉積在基板上的薄膜的厚度均勻度的最主要要素中的一個。但是，基...
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