技術編號：9812503
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。S12介質長期作為柵極氧化層應用于CMOS，并為維持器件的縮小而逐漸減薄。然而，進入45nm技術節點，太薄的Si02介質已達到物理極限，即便采用S1N代替Si02將傳統技術沿用至45-32nm技術代，仍無法避免漏電流增大的問題。目前，在32nm及以下技術代，業界普遍采用高K(High-k，高介電常數)材料代替S12,其不但擁有高的介電常數，同時還具備類似S12的優越性能。但高k介質材料與作為柵電極材料的多晶硅并不兼容，兩者界面缺陷引起的費米能級釘扎效應會導...
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