技術編號:9812316
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著半導體器件尺寸的不斷縮小和集成度的不斷提高,電容的性能也需要得到提升,即在電容面積減小的前提下增加其電荷存儲量。眾所周知,深溝槽電容器件大大縮小了電容所占面積。而要得到更高容量的電容,需要采用高介電常數材料作為介電質,而現有的深溝槽電容器件形成工藝,是在深溝槽式電容形成之后,再進行CMOS前端工藝和后端工藝的制作,其中在CMOS前端工藝過程中,需要經過多次的熱氧化和退火等高溫處理,在深溝槽式電容中的高介電常數材料(高K材料)的完整性和穩定性會遭到破壞,...
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