技術編號：9766817
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體制造工序中出于改變導電性以及改變半導體晶片的晶體結構的目的等而規范地實施向半導體晶片注入離子的工序。該工序中所使用的裝置通常被稱為離子注入 目.ο已知有以旁熱型離子源作為這種離子注入裝置的離子源。旁熱型離子源通過直流電流加熱絲極以產生熱電子，并通過該熱電子加熱陰極。并且，產生自所加熱的陰極的熱電子在電弧室內被加速，并與電弧室內的源氣體分子相撞，使得源氣體分子中所含的原子離子化。專利文獻1日本專利第2961326號公報通過根據施加于引出電極與電弧...
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