技術編號：9688802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制作領域，特別涉及一種存儲器的寄生電容測試結構。背景技術靜態隨機存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)作為存儲器中的一員，具有高速度、低功耗與標準工藝相兼容等優點，廣泛應用于電腦、個人通信、消費電子產品(智能卡、數碼相機、多媒體播放器)等領域。圖1為現有6T結構的SRAM存儲器的存儲單元的電路結構示意圖，所述存儲單元包括第一 PM0S晶體管P1、第二 PM0S晶體管P2、第一 NM0S晶體管N1、第二 ...
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