技術編號：9677334
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。磁控濺射鍍膜工藝中所使用的靶材組件由靶材和背板構成。使用過程中，將背板固定在濺射裝置上，并以各種高能量離子轟擊靶材正面，濺射出中性靶原子或分子，所述中性靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。在磁控濺射鍍膜過程中，磁控濺射鍍膜工藝在10 9Pa的高真空環境下進行，且靶材處于高達300°C至500°C的高壓電場和磁場中。為了避免靶材在高真空、高溫條件下致使靶材的溫度會急劇升高，在磁控濺射鍍膜過程中，需要通過諸如向背板噴射高壓冷卻水等方法，以及時傳導并迅速消散靶材的...
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