技術編號：9632660
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著IT技術的發展，各個領域對高性能電力半導體元件的需求都在增加。其中絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率M0SFET的高速開關性能與雙極性器件(BJT)的大電流驅動能力、低正向電壓降和優秀的正向傳導性能于一體，具有耐高壓、承受電流大等優點，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。如圖1所示，現有技術的絕緣柵雙極型晶體管的下端是集電極，上端是發射極和柵極，由N...
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