技術編號：9632623
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著平面型半導體器件的尺寸越來越小，短溝道效應愈加明顯。為此，提出了立體型半導體器件如FinFET(鰭式場效應晶體管)。一般而言，FinFET包括在襯底上豎直形成的鰭以及與鰭相交的柵極。因此，溝道區形成于鰭中，且其寬度主要由鰭的高度決定。然而，在集成電路制造工藝中，難以控制晶片上形成的鰭的高度相同，從而導致晶片上器件性能的不一致性。特別是，在體FinFET(即，形成于體半導體襯底上的FinFET)中，在源漏區之間可能存在經由鰭下方襯底部分的泄漏，這也可稱作...
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