技術編號：9592436
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 本發明涉及太陽電池透明導電氧化物薄膜，特別是一種絨面結構ZnO-TCO薄膜的 制備方法及其應用。背景技術 氫化非晶硅（a-SiH)的光學帶寬為1.7eV左右，其吸收系數在短波方向較高， 而氫化微晶硅（yc-SiH)的光學帶寬約為1.leV，其吸收系數在長波方向較高，并能吸 收到近紅外長波區域，吸收波長可擴展至llOOnm，這就使太陽光譜能得到更好利用。此 外，相比于非晶硅薄膜材料，微晶硅薄膜材料結構有序性程度高，因此，微晶硅薄膜電池具 有很好的器件穩定性...
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