技術編號:9581358
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。例如,為了對流過半導體開關元件(例如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT))的電流進行檢測,公知的是采用具有主IGBT和感測IGBT的元件來檢測電流。通常,在主IGBT中流動的電流和在感測IGBT中流動的電流的比率大量變化。如果直接使用由感測IGBT所檢測到的電流,則檢測值也大量變化。當基于這種電流大量變化來執行主IGBT的過電流保護時,有必要將電流的最差值估計為較大的值。IGBT的元件尺寸需要根據最差值來選擇,以具有到擊穿的裕度。例如,JP 2013-19818...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發人員的辛勤研發付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。