技術編號：9580368
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體，特別涉及一種SRAM存儲單元、存儲陣列及存儲器。背景技術靜態隨機存儲器(Static Random Access Memory,以下簡稱SRAM)具有高速度、低功耗與標準工藝相兼容的優點，其廣泛應用于PC、個人通信、消費電子產品(智能卡、數碼相機、多媒體播放器)等領域。最常見的SRAM存儲單元為6T單元，如圖1所示，所述SRAM存儲單元包括第一PMOS晶體管MLO、第二 PMOS晶體管MLl、第一 NMOS晶體管MPDO、第二 NMOS晶...
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