技術編號：9565796
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 如本領域的技術人員公知的那樣，在半導體器件制造工藝中，形成有如下的半導 體晶片在娃等基板的正面上通過層疊有絕緣膜和功能膜的功能層而矩陣狀地形成多個 1C、LSI等器件。W運種方式形成的半導體晶片的上述器件由形成為格子狀的分割預定線 劃分，通過沿著該分割預定線進行分割而制造出各個半導體器件。 近年來，為了提高1C、LSI等半導體忍片的處理能力，將如下形式的半導體晶片實 用化所述半導體晶片在娃等基板的正面上通過層疊有由SiOF、BSG(SiOB)等無機物類的...
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