技術編號：9549523
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及存儲器領域，尤其涉及。背景技術半導體存儲器主要以速度，功耗，價格，循環壽命和非揮發性等指標衡量其水平。目前已有的諸多半導體存儲技術，包括易失性存儲技術如SRAM和DRAM，和非易失性存儲技術(如EEPR0M，Flash，鐵電存儲器和相變存儲器等)。這些技術已經滿足一系列的應用，目前業界還是在不斷探索新的存儲技術，尋找一種理想的，基于硅材料的半導體工藝，可用于大批量生產，使其存儲性能具有高容量低成本，高速度并且數據保持力良好，同時又可靠性高，操作電...
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