技術編號:9549370
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。低介電質(Low k)薄膜主要用于后段的介電質層,一般使用八甲基硅醚(0MCTS)和氧氣(02)作為主要反應物反應成膜,八甲基硅醚常溫常壓下是液體狀態,成膜反應對溫度很敏感。Producer GT設備是AMAT公司用在Low k工藝上的一個成熟的產品。工藝腔體(process chamber)的前一個任務(Last job)的最后一個程式,例如制法程序(Recipe),清洗(clean)工藝或者沉積(deposit1n)工藝即將結束時,第二個任務(job)...
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