技術編號：9529343
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 本發明涉及一種在高耐壓功率模塊（多600V)中使用的二極管等半導體裝置。背景技術 在20世紀50年代的半導體初期以后，針對Si基p-i-n二極管中的高頻振蕩現象 (例如參照非專利文獻1)和擊穿現象（例如參照非專利文獻2)進行了各種研究。近年來， 在高速動作化得到發展的功率器件中，會導致周邊電路的誤動作和器件自身的浪涌擊穿， 這些現象再次受到了關注（例如參照非專利文獻3)。 已知在快速恢復二極管中，這些現象在高Vcc、高配線電感（Ls)、低動作溫度、以 及...
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