技術(shù)編號(hào):9476378
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。III族氮化物材料(例如GaN)形成的場效應(yīng)晶體管(FET)對電源開關(guān)表現(xiàn)出令人滿意的特性,例如相比于硅FET,表現(xiàn)出高帶隙和高熱導(dǎo)率。然而,不理想的是,GaN FET易受到從漏極通過區(qū)域外的二維電子氣到源極的泄漏電流的影響。發(fā)明內(nèi)容包含GaN FET的半導(dǎo)體裝置在區(qū)域外具有絕緣柵極結(jié)構(gòu),該絕緣柵極結(jié)構(gòu)可操作以阻斷半導(dǎo)體裝置的兩個(gè)域之間的二維電子氣中的電流。絕緣柵極結(jié)構(gòu)與GaN FET的柵極同時(shí)形...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。