技術編號：9422965
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利說明本發明涉及一種開關元件，更具體而言，涉及一種具有雙向開關特性的雙端子型開關元件。技術背景當前，在商業化的電阻隨機存取存儲器(resistive random accessmemories, RRAM)閃存中，使用了基于電荷在電荷存儲層內儲存或電荷從該電荷存儲層去除的閾值電壓變化。電荷存儲層可以是作為多晶硅層的浮置柵極(floating gate)或作為氮化硅層的電荷捕獲層。近來，已經研究比閃存具有更低功耗和更高集成度的新一代電阻存儲元件。例如，所述...
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