技術編號：9411967
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體制造的過程中，通常需要在基片上進行薄膜沉積，在薄膜沉積工藝中，為了保證成膜厚度、薄膜的折射率等參數達到要求，對于基片表面的溫度以及基片表面的溫度均勻性的控制要求嚴格。然而，現有的薄膜沉積設備對于基片表面溫度的檢測精度較差。例如，如圖1所不，等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n, PECVD)設備包括真空腔室I，真空腔室I中設置有上電極裝置2和下電極裝置3，其中下電極裝置包括用于放...
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