技術編號：9351490
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。GaSb (銻化鎵)是一種多用途的II1-V型半導體材料，GaSb與其他半導體材料的異質結在近紅外激光器、發光二極管、大氣污染探測器、熱-光電設備以及波長范圍2-5及8-14 μπι的光電探測器上表現出了良好的應用前景。此外，GaSb的晶格常數使它非常適于作為AlGaIn (鋁鎵銦)、AsSb (銻化砷)等三元或四元II1-V型半導體以及其他超晶格結構的外延生長表面。GaSb化學性質非常活潑，極易于氧化，這使得銻元素在加工過程中傾向于生成天然氧化層，從而在...
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