技術編號：9304664
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 本發明涉及一種，屬于 空間單粒子效應地面模擬試驗技術及加固技術研究領域。背景技術 隨著衛星電子系統對大規模集成電路性能要求的不斷提高，采用超深亞微米、納 米級集成電路已成為不可避免的發展趨勢。器件特征工藝尺寸的減小帶來的首要問題是臨 界電荷的降低，臨界電荷是器件發生單粒子翻轉所需的最小電荷量，隨工藝尺寸約成平方 反比關系，如90nm工藝器件，在最壞情況下器件的臨界電荷已經小于2fC。這意味著高能粒 子進入器件后，觸發器件狀態翻轉需要的電離能量沉積減小了，...
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