技術編號：9236880
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。現今，發光二極管(LED)，特別是GaN基LED因其較高的發光效率，在普通照明領域已取得廣泛的應用。但是，由于發光二極管的發光從外延層發射到空氣層，因外延層的折射率大于空氣層，光從光密材料發射到光疏材料會面臨全反射角問題，導致入射角度大于全反射角的光線被完全反射而無法離開發光二極管。特別是GaN基發光二極管，因GaN的折射率為2.38，空氣的折射率為1.0，導致從GaN發光二極管出射的光的全反射角僅為約23度，從而引起光提取效率偏低，發光效率和發光強度偏低...
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