技術編號：9196335
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。第三代半導體材料如金剛石、GaN和SiC都是國內外近年來研宄的熱點，但是金剛石表現出比GaN和SiC更優越的半導體性能。金剛石禁帶寬度、臨界擊穿電場強度、載流子的飽和漂移速率以及迀移率都非常大，介電常數非常小，特別適用于高頻、高壓、高功率等電子器件。它集力學、電學、熱學、聲學、光學、耐蝕等優異性能于一身，是目前最有發展前途的半導體材料，在微電子、光電子、生物醫學、機械、航空航天、核能等高新中可望具有極佳的應用前景。高質量的金剛石薄膜是從事金剛石研宄以及金剛...
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