技術編號：9188435
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。現有的分立器件的圓胞結構，如圖1和2所示，因為寄生三極管效應，寄生體電阻較大，限制了雪崩沖擊和短路能力。實用新型內容本實用新型的目的是提供一種分立器件圓胞排布結構。本實用新型的技術方案是，一種分立器件圓胞排布結構，所述分立器件圓胞排布結構的接觸孔Contact的寬度小于源區N+的寬度，圓胞結構的源區N+是間隔排列。所述分立器件的器件類型是VDMOS或IGBT。所述分立器件的Poly結構是平面結構或者溝槽結構。本實用新型通過減小接觸孔Contact與源區N+...
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