技術編號：9015851
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是一種是由BJT(Bipolar Junct1n Transistor，雙極型三極管)和M0S(Metal-0xid-Semicon-ductor，絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，集合有MOSFE(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金氧半場效晶體管)的高輸入阻抗和G...
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