技術編號：8769077
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。商用電磁爐電控板上的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)和絕緣柵雙極型晶體管是由BJT (雙極型三極管)和MOS (絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點電磁爐在工作時，IGBT本身也要消耗功率，其消耗功率主要包括通態損耗和開關損耗，其結果就是使IGBT的外表基板溫度和內部的工作結溫迅速上升，但是IGBT有一定的極限工作溫度，當基本...
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