技術(shù)編號:8715824
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在晶片級芯片TSV(Through Silicon Via,硅通孔)技術(shù)封裝中,通常在芯片的上表面即功能面粘合一玻璃基板或硅基板,以保護功能區(qū)不受損傷或污染,再在芯片的下表面即基底的下表面做開口露出焊墊,用金屬線路將焊墊電性引到芯片下表面。如圖1和圖2所示,公知的晶片級芯片封裝過程為首先,提供一具有多個芯片I的晶片和基板2,芯片通常具有元件區(qū)10和位于元件區(qū)周邊的焊墊4,焊墊位于芯片的氧化層11內(nèi),且與元件區(qū)電性連接,基板2通過粘結(jié)層9粘合于晶片的上表面;...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。