技術編號:8581872
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。ZnO是一種新型寬禁帶半導體材料,具有較高的激子束縛能,是未來一種理想的段波長發光器件材料。它具有低介電常數、高化學穩定性以及優異的光電特性,是一種多功能材料,在發光器件、非線性光學器件等領域有非常重要的應用,受到了越來越多的關注。但是本征的ZnO呈η型導電特性,難于實現P型摻雜,雖然諸多國內外報道取得了突破性成果,但當前P行摻雜對于ZnO基發光二極管的制備仍然是重點和難點,使得ZnO器件很難被制作。目前,ZnO有一個良好的應用方向是取代LED行業的ITO...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發人員的辛勤研發付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。