技術編號：8569952
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。化學機械平坦化(CMP)是光學、半導體以及其它電子器件制造工藝中的常用技術，使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的玻璃基片、硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。在常規的CMP工藝中，待拋光的壓板被固定在載體組件上，并使襯底與CMP工藝中的拋光層接觸并提供受控的壓力，同時使拋光漿料在拋光層表面流動。在設計拋光層時，需要考慮的主要因素有拋光漿料在拋光層上的分布，新鮮拋光漿料進入拋光軌跡的流動，拋光漿料從拋光軌跡的流動，以及流過拋光區域基本未被利用的拋光漿料的量等等...
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