技術編號：8545226
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。為了滿足高速且低電力消耗的要求，NAND型的快閃存儲器改使用低電力供給。因此，快閃存儲器在編程或刪除操作時使用芯片內部所產生的高電壓。在編程操作中，內部的高電壓產生電路，若不提供穩定的高電壓至大負載的區塊(存儲器陣列)，所可產生的電壓大約30V。電壓調節器在此種產生高電壓的狀況下，可使用用于減少電力消耗的高阻抗元件的分壓電路以減少流入電流(Sink current)。在日本專利特開2004-140144號公報所揭露的現有技術中，第一輸出設定電路設置于參考電...
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