技術編號：8499277
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。諸如離子或電子投影光刻的帶電粒子光刻具有分辨率非常高的圖案化。離子束光刻使用具有能量的輕量級離子的聚焦束或寬束以用于將圖案轉印至表面。使用離子束光刻(IBL)，納米級部件可以轉印至非平坦表面上。在傳統的帶電粒子(例如，電子以及氦離子(He+)、氖離子(Ne+)和鎵離子(Ga+))光刻中，基本工藝機制包括在正性光刻膠中使用鍵解離或者在負性光刻膠中使用鍵結合以及當使光刻膠顯影時曝光和未曝光的區域的產物之間的溶解速率差。這限制了光刻膠材料的選擇，該光刻膠材料主要...
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