技術編號：8488862
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 W雙擴散金屬-氧化物-半導體(M0S)場效應晶體管為基礎的電路，簡稱為 DM0S(double-difTusedM0S陽T)，其結構與CMOS器件類似，也具有源、漏、柵等電極。 DM0S器件主要包括兩種；垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDM0S陽T(vedical double-difTusedM0S陽T)和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDM0S陽T(lateral double-dif化sedM0S陽T)。在功率應用中，由于DMOS采用垂直器...
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