技術編號：8458254
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管（VDMOS)是由多個單胞并聯而成的 集成器件，其在高阻外延層上采用平面自對準雙擴散工藝，利用兩次擴散結深差，在水平方 向形成MOS結構的多子導電溝道，這種結構可以實現較短的溝道，并且由于具有縱向漏極， 因此可以提高漏源之間的擊穿電壓。 對于溝槽型VDMOS器件來說，柵氧層的擊穿電壓是非常重要的參數。如果柵氧層 擊穿電壓偏低，將會導致IGSS (柵源間漏電）失效比例增大，嚴重時將會導致整片報廢，尤 其是在初始環區的...
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