技術編號：8432317
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體集成電路過程中，后段工藝主要包括在形成有器件的半導體襯底上形成層間介質層ILD (Inter Layer Dielectric)和金屬布線層堆疊結構；其中，金屬布線層堆疊結構包括多個金屬布線層以及設置于兩相鄰金屬布線層之間的金屬間介電層MDdnterMetal Dielectric),通過在ILD和IMD中形成接觸孔并填充金屬線實現器件與金屬布線層，以及金屬布線層之間或金屬布線層與其他器件的連接。在現有技術中，IMD的沉積一般使用的是等離子體化學氣...
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